激光气相沉积方式修补白缺陷的方法技术

技术编号:11684054 阅读:148 留言:0更新日期:2015-07-06 15:52
本发明专利技术公开了一种激光气相沉积方式修补白缺陷的方法,包括:在靠近所述白缺陷的一角设置修补起点,在靠近所述白缺陷的所述修补起点的对角设置修补终点,使得在所述白缺陷所在平面上,以所述修补起点沿横向延伸的直线、所述修补起点沿纵向延伸的直线、所述修补终点沿横向延伸的直线、所述修补终点沿纵向延伸的直线围成的区域为扫描修补区域,所述白缺陷完全位于所述扫描修补区域内;采用激光气相沉积方式在所述扫描修补区域内从所述修补起点扫描修补至所述修补终点,使所述白缺陷表面完全覆盖修补薄膜完成所述修补。本发明专利技术实施例的激光气相沉积方式修补白缺陷的方法,通过扫描修补的方式,可以修补大尺寸的白缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏产业的白缺陷修补
,具体涉及一种激光气相沉积方式修 补白缺陷的方法。
技术介绍
激光气相沉积技术广泛用于铬版等光伏产业的白缺陷修补,目前技术为step单 光斑激光气相沉积技术,对狭缝slit范围内激光能量的均匀性有较高的要求,因此不适用 于较大尺寸的白缺陷修补,且其修补黑度和粘附力略有不足,难以满足高标准要求产品的 制作要求。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种激光气相沉积方式 修补白缺陷的方法,可以修补大尺寸的白缺陷。 为了实现上述专利技术目的,本专利技术实施例的技术方案如下: -种,包括: 在靠近所述白缺陷的一角设置修补起点,在靠近所述白缺陷的所述修补起点的对 角设置修补终点,使得在所述白缺陷所在平面上,以所述修补起点沿横向延伸的直线、所述 修补起点沿纵向延伸的直线、所述修补终点沿横向延伸的直线、所述修补终点沿纵向延伸 的直线围成的区域为扫描修补区域,所述白缺陷完全位于所述扫描修补区域内; 采用激光气相沉积方式在所述扫描修补区域内从所述修补起点扫描修补至所述 修补终点,使所述白缺陷表面完全覆盖修补薄膜完成所述修补。 本专利技术实施例的,通过扫描修补的方式,相 对于现有技术中单光斑修复方式(点修复),可以修补大尺寸的白缺陷。【附图说明】 图1为本专利技术实施例的的流程图; 图2为本专利技术实施例1的修补前的白缺陷的示意图; 图3为本专利技术实施例1的采用激光气相沉积方式修补后的白缺陷的示意图。【具体实施方式】 为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对 本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并 不用于限定本专利技术。 本专利技术实施例提供了 一种。该修复方法通过 激光气相沉积技术使扫描修补气体沉积到白缺陷处完成修补。该方法适用于在以玻璃作为 基板的表面上镀有金属层的白缺陷的修补。依靠在 载板平台上分别安装用于气相沉积的蒸汽供给排放系统和激光光路系统,在激光光路系统 LCVD头处由激光照射LCVD头吹向待修复板的蒸汽,将该蒸汽粘附在待修复板上的白缺陷 处。 如图1所示,为本专利技术实施例的的流程图。 该方法具体包括如下的步骤: 步骤S01 :在靠近白缺陷的一角设置修补起点,在靠近白缺陷的修补起点的对角 设置修补终点,使得在白缺陷所在平面上,以修补起点沿横向延伸的直线、修补起点沿纵向 延伸的直线、修补终点沿横向延伸的直线、修补终点沿纵向延伸的直线围成的区域为扫描 修补区域,白缺陷完全位于该扫描修补区域内。 其中,修补起点沿纵向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为10~ 20 ym,修补起点沿横向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为5~10 ym ;修补 终点沿纵向延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为10~20 ym,修补终点沿横向 延伸的直线距与其相邻的白缺陷的一侧的距离为5~10 ym。上述的"距与其相邻的白缺 陷的一侧的距离"在此处具体指的是"该侧与直线最接近的一点与直线之间的距离"。 上述修补起点、修补终点和扫描修补区域的设置,使得修补薄膜可以完全覆盖白 缺陷,不会使修补产生遗漏的白缺陷;同时,由于覆盖修补薄膜的非白缺陷区域较小,不会 影响其正常的功能,也不会造成材料的浪费。 步骤S02 :采用激光气相沉积方式在扫描修补区域内从修补起点扫描修补至修补 终点,使白缺陷表面完全覆盖修补薄膜完成修补。 从扫描开始就同时进行抽废气,该抽废气的过程包括抽走并加热废气使废气便于 排放。抽走废气的流量为16~20L/min。具体的加热温度可以根据废气的成分具体确定。 例如,当废气为铬蒸汽时,加热废气的温度为300°C。由于在激光气相沉积的过程中,不可避 免有多余的修补气体沉积到白缺陷表面造成修补后的白缺陷平整度低,因此,需要在扫描 修补的同时抽走多余的修补气体。 步骤S02的具体过程包括: 步骤S021A :从修补起点沿横向扫描修补至扫描修补区域的另一侧,在经过的区 域的表面覆盖一层薄膜。 步骤S022A :从修补起点沿纵向移动一行,沿横向从扫描修补区域的一侧扫描修 补至扫描修补区域的另一侧,在经过的区域的表面覆盖一层薄膜。 步骤S023A :重复步骤S022A直到扫描修补到修补终点。 应当理解的是,上述的扫描修补方式也可以是沿纵向修补,则步骤S02的具体过 程包括: 步骤S021B :从修补起点沿纵向扫描修补至扫描修补区域的另一侧,在经过的区 域的表面覆盖一层薄膜。 步骤S022B :从修补起点沿横向移动一列,沿纵向从扫描修补区域的一侧扫描修 补至扫描修补区域的另一侧,在经过的区域的表面覆盖一层薄膜。 步骤S023B :重复步骤S022B直到扫描修补到修补终点。 上述扫描修补方式在每扫描一行或者一列后,回到该行或者列的扫描修补的起 点,再移动到下一行或者列继续扫描,不采用来回往复扫描的方式。本专利技术的技术方案的扫 描修补的移动方式使得扫描修补的过程易于控制。由于在扫描修补的过程中还伴随有抽废 气的过程,抽废气的方向是固定的,因此,采用上述的移动方向可以使扫描修补的过程和抽 废气的过程不会相互影响,从而不会影响扫描修补的过程。 具体地,采用横向扫描方式时,相邻两行修补薄膜的沿纵向的重叠区域的尺寸为 2~4 ym,优选为3 ym ;采用纵向扫描方式时,相邻两列修补薄膜的沿横向的重叠区域的尺 寸为2~4 y m,优选为3 y m。该参数的设置使得扫描修补过程中不会遗漏任何的白缺陷区 域,同时重叠区域的尺寸较小,不会造成材料的浪费。 具体地,扫描修补的速度为7~11 y m/s。该扫描修补的速度保证了适合的修补区 域的能量,过快的修补速度会因为修补区域能量过低导致粘附力不佳和欠修补,过慢的修 补速度则会因为修补区域能量过高而导致修补点裂纹和凸起翘起等问题。扫描修补的过程 中激光功率为1. 8~2. 2mw,激光功率过大会因为修补区域能量过高而导致修补点裂纹和 凸起翘起等问题,激光功率过小会因为修补区域能量过低导致粘附力不佳和欠修补。载流 气体当前第1页1 2 本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种激光气相沉积方式修补白缺陷的方法,其特征在于,包括:在靠近所述白缺陷的一角设置修补起点,在靠近所述白缺陷的所述修补起点的对角设置修补终点,使得在所述白缺陷所在平面上,以所述修补起点沿横向延伸的直线、所述修补起点沿纵向延伸的直线、所述修补终点沿横向延伸的直线、所述修补终点沿纵向延伸的直线围成的区域为扫描修补区域,所述白缺陷完全位于所述扫描修补区域内;采用激光气相沉积方式在所述扫描修补区域内从所述修补起点扫描修补至所述修补终点,使所述白缺陷表面完全覆盖修补薄膜完成所述修补。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张俊李跃松
申请(专利权)人:深圳清溢光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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