本发明专利技术公开了一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺，1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800℃；2)通源：在该温度向扩散炉管中通入通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮气，整个过程是10-25分钟；3)升温推结：用10-25分钟将扩散炉管内温度升至850-860℃，整个升温过程中持续向扩散炉管中通入流量比为10：3的吹扫氮气和氧气；4)用10-25分钟将扩散炉管内温度降至750℃-800℃，整个降温过程中持续向扩散炉管中通入吹扫氮气；5)取出硅片。本发明专利技术可以降低硅片的表面复合速度，增加结深，减少多晶硅基体的宽度，提高了太阳能电池的开路电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池制造领域，具体为一种太阳能电池的扩散工艺。
技术介绍
目前，单、多晶硅太阳电池的主要制造工艺已经标准化，主要生产步骤为：清洗制 备硅片表面绒面，扩散形成PN结，干、湿法刻蚀去除周边及背面结，PECVD形成减反射氮化 硅薄膜，丝网印刷形成电极，烧结形成欧姆接触电阻。 我们通过高温下POCl3扩散，形成PN结。现有技术形成的PN结是内部掺杂浓度 低，表面掺杂浓度高，导致硅片的表面复合速度大，降低了太阳能电池的开路电压，开路电 压低会降低电池片的效率。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有技术中的不足而提供一种提高多晶硅开路电压的新型扩散 工艺，降低硅片表面的杂质浓度，降低硅片的表面复合速度，提高太阳能电池的开路电压。 为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为： 一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括： 1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800°C ; 2)通源：在该温度向扩散炉管中通入通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹 扫氮气，整个过程是10-25分钟； 3)升温推结：用10-25分钟将扩散炉管内温度升至850-860°C，整个升温过程中持 续向扩散炉管中通入流量比为10 :3的吹扫氮气和氧气； 4)用10-25分钟将扩散炉管内温度降至750°C -800°c，整个降温过程中持续向扩 散炉管中通入吹扫氮气； 5)取出硅片。 本专利技术可以降低硅片的表面复合速度，增加结深，减少多晶硅基体的宽度，提高了 太阳能电池的开路电压。 作为本专利技术所述的提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺的一种优选方案，所述的 步骤2中氧气通入量为0-3L。 作为本专利技术所述的提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺的一种优选方案，所述的 步骤3中吹扫氮气和氧气的通入总量为5-10L。 作为本专利技术所述的提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺的一种优选方案，所述的 步骤4中吹扫氮气的通入量为0-30L。 作为本专利技术所述的提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺的一种优选方案，所述的 取出娃片速度小于30cm/min。【具体实施方式】 实施例1 本专利技术实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤： 1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800°C ; 2)通源：在该温度向扩散炉管中通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮 气，扩散氮气、氧气和吹扫氮气为通入量分别为〇. 9L:0. 3L :5. 1L，整个过程为10分钟； 3)升温推结：用20分钟将扩散炉管内温度升至850°C，整个升温过程中持续向扩 散炉管中通入流量比为10 :3的吹扫氮气和氧气，通入总量为IOL ; 4)用20分钟将扩散炉管内温度降至750°C，整个降温过程中持续向扩散炉管中通 入吹扫氮气20L ; 5)以20cm/min的速度取出娃片。 实施例2 本专利技术实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤： 1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800°C ; 2)通源：在该温度向扩散炉管中通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮 气，扩散氮气、氧气和吹扫氮气为通入量分别为2. 1L、0. 7L、11. 9L，整个过程为25分钟； 3)升温推结：用15分钟将扩散炉管内温度升至850°C，整个升温过程中持续向扩 散炉管中通入流量比为10 :3的吹扫氮气和氧气，通入总量为8L ; 4)用20分钟将扩散炉管内温度降至780°C，整个降温过程中持续向扩散炉管中通 入氮气15L ; 5)以30cm/min的速度取出娃片。 实施例3 本专利技术实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤： 1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800°C ; 2)通源：在该温度向扩散炉管中通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮 气，扩散氮气、氧气和吹扫氮气为通入量分别为3L、1L、17L，整个过程为20分钟； 3)升温推结：用25分钟将扩散炉管内温度升至860°C，整个升温过程中持续向扩 散炉管中通入流量比为10 :3的吹扫氮气和氧气，通入总量为； 4)用25分钟将扩散炉管内温度降至800°C，整个降温过程中持续向扩散炉管中通 入吹扫氮气25L ; 5)以15cm/min的速度取出娃片。 测得现有工艺与实施例1的对比数据如表一和表二。【主权项】1. 一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺，其特征在于，包括： 1) 第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800°C ; 2) 通源：在该温度向扩散炉管中通入通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮 气，整个过程为1〇-25分钟； 3) 升温推结：用10-25分钟将扩散炉管内温度升至850-860°C，整个升温过程中持续向 扩散炉管中通入流量比为10 :3的吹扫氮气和氧气； 4) 用10-25分钟将扩散炉管内温度降至750°C -800°C，整个降温过程中持续向扩散炉 管中通入吹扫氮气； 5) 取出硅片。2. 根据权利要求1所述的提高多晶硅开了电压的新型扩散工艺，其特征在于：所述的 步骤2中扩散氮气通入量为0-3L。3. 根据权利要求1所述的提高多晶硅开了电压的新型扩散工艺，其特征在于：所述的 步骤3中吹扫氮气和氧气的通入总量为5-10L。4. 根据权利要求1所述的提高多晶硅开了电压的新型扩散工艺，其特征在于：所述的 步骤4中吹扫氮气的通入量为0-30L。5. 根据权利要求1所述的提高多晶硅开了电压的新型扩散工艺，其特征在于：所述的 取出娃片速度小于30cm/min。【专利摘要】本专利技术公开了一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺，1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800℃；2)通源：在该温度向扩散炉管中通入通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮气，整个过程是10-25分钟；3)升温推结：用10-25分钟将扩散炉管内温度升至850-860℃，整个升温过程中持续向扩散炉管中通入流量比为10：3的吹扫氮气和氧气；4)用10-25分钟将扩散炉管内温度降至750℃-800℃，整个降温过程中持续向扩散炉管中通入吹扫氮气；5)取出硅片。本专利技术可以降低硅片的表面复合速度，增加结深，减少多晶硅基体的宽度，提高了太阳能电池的开路电压。【IPC分类】H01L31-18, H01L21-223【公开号】CN104752564【申请号】CN201510156048【专利技术人】钱小芳, 杨冬生 【申请人】中建材浚鑫科技股份有限公司【公开日】2015年7月1日【申请日】2015年4月2日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺，其特征在于，包括：1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800℃；2)通源：在该温度向扩散炉管中通入通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮气，整个过程为10‑25分钟；3)升温推结：用10‑25分钟将扩散炉管内温度升至850‑860℃，整个升温过程中持续向扩散炉管中通入流量比为10：3的吹扫氮气和氧气；4)用10‑25分钟将扩散炉管内温度降至750℃‑800℃，整个降温过程中持续向扩散炉管中通入吹扫氮气；5)取出硅片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱小芳，杨冬生，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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