一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高PID抗性的高效单晶电池的钝化减反射膜，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底层的第一层SiOx层；作为中间层的第二层SiOx层以及作为顶层的第三层SiNx层；所述的第一层SiOx层、第二层SiOx层以及第三层SiNx层总膜厚为65～120nm；折射率为1.9～2.2；所述的第三层SiNx层为单层或多层SiNx层。采用本实用新型专利技术这种钝化减反射膜能够降低反射率，提高钝化效果，从而提高太阳电池效率，且具有非常优良的抗PID衰减特性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池领域，尤其是一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射 膜。
技术介绍
随着环境问题和能源问题得到越来越多人的关注，太阳电池作为一种清洁能源， 人们对其研宄开发已经进入到了一个新的阶段。PID(potentialinduceddegradation)效 应指在长期高电压作用下，组件中玻璃和封装材料之间存在漏电现象，造成先是表面钝化 减反射膜失效，然后PN结失效，最终使得组件性能降低。传统工艺的P型太阳能晶硅组件 都存在一定的PID失效问题，所以研宄PID现象，研发出PIDFree的晶硅电池片是广大太 阳能厂商研发部和部分科研院校的目标之一。目前较通用且较严格的是双85PID测试，其 测试条件为1000V的负电压，85°C的环境温度，85%的湿度，96h的测试时间，组件最终最大 输出功率衰减比例小于5%就可判定为PID测试合格，即PIDFree。 传统太阳能单晶电池表面的SiNx钝化减反射膜层几乎都因折射率较低使得PID 衰减较为严重；目前市场为了追求PIDFree，主要方法是提高SiNx膜层的折射率，但电池 转换效率较常规工艺降低1-2% ;还有方法就是使用紫外电离生成的臭氧03氧化硅片表 面，生成较薄的SiOx层或PECVD法直接在硅片表面沉积一层SiOx薄膜，使电池具有一定的 PID抗性。 另一方面，目前大规模生产中单晶电池表面常用的减反射膜多为单层氮化硅，通 常其光学厚度为特定波长的的四分之一或者二分之一。对于单层减反射膜，其仅对单一波 长具有较好的减反射效果，具有相对较高的反射率和较差的钝化效果。能够降低反射率并 提高钝化效果的减反射膜是太阳电池研宄的热点。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提供一种高PID抗性的高效单晶电池的钝化减 反射膜，这种钝化减反射膜能够降低反射率，提高钝化效果，从而提高太阳电池效率，且具 有非常优良的抗PID衰减特性。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种高PID抗性单晶电池的钝 化减反射膜，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底层的第一层SiOji;作为中间层 的第二层SiOji以及作为顶层的第三层SiNJi;所述的第一层SiOji、第二层SiOji以 及第三层SiNjl总膜厚为65~120nm;折射率为1. 9~2. 2 ;所述的第三层SiNjl为单层 或多层SiNx层。 进一步的说，本技术所述的第一层SiOji采用高压电离或紫外电离产生的03 或游离〇原子在单晶硅片衬底表面生成，膜厚为〇. 2~2nm，折射率为1. 48~1. 8。 再进一步的说，本技术所述的第二层SiOji采用PECVD法将\0、0)2、02等含 氧气体与SiH4-起沉积而成，膜厚为2~20nm，折射率为1. 4~1. 8。 再进一步的说，本技术所述的第三层SiNji采用PECVD法将NH3与SiH4-起 沉积而成，膜厚为30~80nm，折射率为1. 9~2. 2;并且若第三层SiNjl为多层，则每层的 折射率不同。 本技术的原理为：在底层引入两层SiOx薄膜，第一层SiOx薄膜采用高压电离 或紫外电离产生的〇3或游离0原子在单晶硅片衬底表面生成，该SiOji较致密，具有较好 钝化效果，能有效降低电池片的表面复合速率；且该致密SiOji较薄（0. 2nm-2nm)，电子的 遂穿效应非常明显，可以将电池表面富集的一部分电荷导走从而防止因电荷堆积而导致钝 化减反射膜钝化效果减弱，使电池具有抗PID衰减特性； 第二层310!￡薄膜采用PEO〇r；iN20、C02、02等含氧气体与SiH4-起沉积，该SiOx 层具有优良的导电性，可以从电池表面导走更多的富集电荷，且由于该SiOji厚度相对较 厚，可以有效阻挡组件电场中正电荷离子如Na+的移动，进一步明显增强电池的抗PID衰减 特性； 顶层单层或多层不同折射率SiNx层在光学设计优化后，具有一定PID抗性的同时 还可以大幅降低电池片迎光面的反射率，能够有效降低中短波波段的反射率，提高电池片 的短路电流。 本技术的有益效果是，解决了
技术介绍
中存在的缺陷，由于底层引入两层 SiOx薄膜能够有效降低硅片表面界面态，提高表面钝化效果，同时降低减反射膜的整体折 射率，极大的增加了单晶电池抗PID衰减特性；光学设计优化后的单层或多层不同折射率 SiNjl具有一定PID抗性的同时还可以大幅降低电池片迎光面的反射率，能够有效降低中 短波波段的反射率，提高电池片的短路电流；并且本技术基于传统单晶硅电池工艺，只 改变钝化减反射膜的膜质结构，可与传统晶硅电池工艺兼容，对普通刻蚀设备和PECVD设 备稍加改造后即可生产，无特殊要求，易于实现，适用于规模化生产，也可运用于一些先进 电池工艺，如：背钝化电池、N型双面电池、MWT电池等。【附图说明】 下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。 图1是本技术的结构示意图； 图中：1、第一层SiOji;2、第二层SiOji;3、单层或多层SiNjl。【具体实施方式】 现在结合附图和优选实施例对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简 化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关 的构成。 如图1所示的一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，包括在单晶硅片衬底正 面依次沉积的作为底层的第一层SiOji1 ;作为中间层的第二层SiOji2以及作为顶层的 单层或多层SiNjl3 ;三层SiNJ1总膜厚为65~120nm;折射率为1. 9~2. 2。 实施例1 1)将原始硅片预处理，该预处理包括电池工艺中的制绒、扩散和刻蚀等工艺； 2)采用高压电离或紫外电离氧气或压缩空气产生的03或游离0原子在刻蚀后单 晶硅片表面生成一层薄薄的致密SiOji1，折射率为1. 65,膜层厚度为0. 8nm; 3)使用PECVD设备在扩散面镀剩余膜层，镀膜时取消预淀积步骤，先镀SiOji2， 折射率为1. 65,膜层厚度为2nm;再镀顶层单层SiNjl3,折射率为2. 05,膜层厚度为75nm; 4)使用传统电池印刷工艺印刷背电极、错背场、正栅线和正电极，并烧结； 经过检测发现，本实施例获得的太阳能电池片的光电转换效率增大且PID抗性有 较大的提升。具体数据见下表1 : 表1本实施例获得的太阳能电池的光电转换效率及PID【主权项】1. 一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：包括在单晶硅片衬底正面 依次沉积的作为底层的第一层SiOJl ;作为中间层的第二层SiOJl以及作为顶层的第三层 SiNJl ;所述的第一层SiO J1、第二层SiO Jl以及第三层SiN Jl总膜厚为65~120nm ;折 射率为1. 9~2. 2 ;所述的第三层SiNJl为单层或多层SiN Jl。2. 如权利要求1所述的一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：所述 的第一层SiOJl的膜厚为0? 2~2nm，折射率为L 48~L 8 〇3. 如权利要求1所述的一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：所述 的第二层SiOJl的膜厚为2~20nm，折射率为L 4~L 8 〇4. 如权利要求1所述的一种高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高PID抗性单晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的作为底层的第一层SiOx层；作为中间层的第二层SiOx层以及作为顶层的第三层SiNx层；所述的第一层SiOx层、第二层SiOx层以及第三层SiNx层总膜厚为65～120nm；折射率为1.9～2.2；所述的第三层SiNx层为单层或多层SiNx层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿辉，徐春，曹玉甲，张一源，
申请(专利权)人：江苏顺风光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32