硅片背面工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片背面工艺方法，该方法在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。本发明专利技术通过在背面工艺流程中增加一步高能激光退火步骤，大幅减弱甚至消除了因硅片减薄而产生的坑槽现象，提高了硅片表面的平整度，从而保证了后续离子注入的均一性和稳定性，以及背面增金的良好吸附效果，并进而保证了薄片产品最终的稳定性和均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及半导体制造过程中的。
技术介绍
在IGBT (绝缘栅双极型晶体管)等工艺中，需要进行背面的工艺步骤，因此首先要根据硅片所需要的厚度，进行硅片减薄。由于目前的硅片都是用机械刀具进行减薄的，因此，在减薄完成后，会留下明显的刀痕。这些刀痕根据刀的性状会在硅片背面表面形成一定深度宽度的坑槽。这些坑槽会对后续的注入等其他工艺步骤产生影响。尤其是一些浅层注入，本身注入深度都比较浅，甚至注入深度小于坑槽的深度，因此会对最后的工艺特性产生较大影响，往往会导致硅片最终的均一性和稳定性的问题。为了改善在减薄工艺中产生的这些坑槽，有时候也会增加一步BSE (背面硅片刻蚀)的步骤来消除，但一方面这种刻蚀的方法改善的程度比较粗糙，且不是非常的稳定，另一方面耗材的成本也较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以提高薄片产品的稳定性和均匀性。为解决上述技术问题，本专利技术的，是在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。本专利技术通过在背面工艺流程中增加一步高能激光退火步骤，大幅减弱甚至消除了因硅片减薄而产生的坑槽现象，提高了硅片表面的平整度，从而保证了后续离子注入等步骤的均一性和稳定性，以及背面增金的良好吸附效果，并进而保证了薄片产品最终的稳定性和均匀性。该方法不仅工艺效果和稳定性比背面硅片刻蚀的方法要好，而且由于没有耗材成本，因此所需的成本也比背面硅片刻蚀方法要低得多。【附图说明】图1是传统的背面工艺流程(B)和本专利技术的背面工艺流程(A)对比图。图2是激光退火对硅片减薄后的刀痕表面的改善情况对比图。【具体实施方式】为对本专利技术的
技术实现思路
、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下:参见图1 (A)所示，本专利技术的的具体流程为:步骤1，按照需要的厚度，对硅片进行减薄。步骤2，在减薄完成后，进行第一次高能激光退火，使硅片表面因减薄而产生的坑槽减弱或消失。激光具有高温特性，当激光的温度达到或超过1400°C时，硅片表面会发生熔融，温度越高，硅片的熔融深度也会越大。利用这一特性，让硅片表面发生熔融后再结晶，可以使硅片表面的刀痕得以平缓或消除，从而使硅片表面变得平整(见图2)。激光的能量可以根据减薄工艺和需要改善的平整程度而定，能量越高，对硅片表面改善的深度也越深。激光器可以使用固定激光器，也可以使用准分子激光器。步骤3，高能激光退火完成后，对平整的硅片表面进行离子注入。步骤4，用最佳的激光退火能量条件进行第二次退火，激活所注入的离子。激光的能量取决于所注入的离子的深度和浓度。步骤5，进行硅片背面增金，完成整套硅片背面工艺流程。在第一次激光退火时，对硅片表面坑槽所做的改善，也有利于提高背面金属在硅片上的吸附效果。【主权项】1.，其特征在于，在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，高能激光退火的温度在1400°C以上。【专利摘要】本专利技术公开了一种，该方法在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。本专利技术通过在背面工艺流程中增加一步高能激光退火步骤，大幅减弱甚至消除了因硅片减薄而产生的坑槽现象，提高了硅片表面的平整度，从而保证了后续离子注入的均一性和稳定性，以及背面增金的良好吸附效果，并进而保证了薄片产品最终的稳定性和均匀性。【IPC分类】H01L21-268【公开号】CN104733293【申请号】CN201310714672【专利技术人】童宇锋, 胡荣星, 郭晓波 【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司【公开日】2015年6月24日【申请日】2013年12月23日本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片背面工艺方法，其特征在于，在硅片减薄完成后，进行离子注入前，对硅片进行高能激光退火，减弱或消除硅片表面的坑槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇锋，胡荣星，郭晓波，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31