【技术实现步骤摘要】
三维空间封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种封装结构,特别涉及一种三维空间封装结构。
技术介绍
电子封装结构凭借复杂的封装制程所形成。不同的电子封装结构具有不同的电性和散热能力,因此设计者根据设计需求可选择具有理想电性和散热能力的电子封装结构。图1例示传统电子封装结构100的示意图。参阅图1,传统电子封装结构100包含一印刷电路板(PCB)110和复数个电子元件120。电子元件120配置在印刷电路板110的表面112上且电性连接印刷电路板110。印刷电路板110具有从印刷电路板110的另一面114向外延伸的复数个引脚(pin)116以电性连接一电子装置,例如主机板(motherboard)(未图示)。图2例示另一个传统电子封装结构200的剖面示意图。参阅图2,传统电子封装结构200包含一线路基板210和复数个电子元件220。电子元件220配置在线路基板210的表面212上且通过打线(wirebond)技术、覆晶(flip-chip)结合技术或表面粘着技术(surfacemounttechnology)电性连接线路基板210。此外,传统电子封装结构200通过焊料胶(solderpaste)或复数个焊球(solderball)(未图示)可电性连接一电子装置(例如主机板)(未图示)。应该要注意的是,传统电子封装结构100的电子元件120全配置在印刷电路板110的表面112上,且传统电子封装结构200的电子元件220全配置在线路基板210的表面212上。因此,在传统电子封装结构100、200中,印刷电路板110和线路基板210具有较低的空间使用,使得传统电子封 ...
【技术保护点】
一种三维空间封装结构,其特征在于,包含:一第一电子元件,具有一上表面和一下表面;复数个第二电子元件,配置在该第一电子元件的该上表面上方;以及一连接结构,配置在该第一电子元件的该上表面上方,用以包覆该复数个第二电子元件,其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案,其中该复数个第一导电图案配置在该复数个第二电子元件上方,用以电性连接该复数个第二电子元件以及该第一电子元件。
【技术特征摘要】
2013.12.20 US 61/918,6841.一种三维空间封装结构,其特征在于,包含:一第一电子元件,具有一上表面和一下表面;复数个第二电子元件,配置在该第一电子元件的该上表面上方;以及一连接结构,配置在该第一电子元件的该上表面上方,用以包覆该复数个第二电子元件,其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案,其中该复数个第一导电图案配置在该复数个第二电子元件上方,以电性连接该复数个第二电子元件以及该第一电子元件,其中该复数个第一导电图案中的一导电图案通过导孔电性连接该复数个第二电子元件中的一电子元件与该第一电子元件,其中一环氧模造物层配置在该第一电子元件的该上表面上,其中该复数个第二电子元件和一第二导电图案配置在该环氧模造物层上,其中该第二导电图案电性连接该复数个第一导电图案。2.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:一部分的该复数个第一导电图案电性连接该复数个第二电子元件中的至少两个电子元件。3.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:该第一电子元件为一电感。4.根据权利要求3所述的三维空间封装结构,其特征在于:该电感为一低温共烧陶瓷(LTCC)电感。5.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:一绝缘层配置在该第一电子元件上以形成在该复数个第二电子元件上方的一实质水平面,其中该复数个第一导电图案配置在该实质水平面上方。6.根据权利要求5所述的三维空间封装结构,其特征在于:该复数个第二电子元件的至少一接点配置在该实质水平面上。7.根据权利要求5所述的三维空间封装结构,其特征在于:该复数个第二电子元件的所有接点配置在该实质水平面上。8.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:至少一垫片配置在该连接结构的上表面上,用以连接外部电路。9.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:各个该第二电子元件为一电容、一电阻、一二极管、一电晶体、一裸晶片或一集成电路。10.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:该连接结构的该至少一绝缘层中每一层由ABF(AjinomotoBuild-upFilm)制成。11.根据权利要求1所述的三维空间封装结构,其特征在于:该三维空间封装结构为一直流对直流转换器或一电力模块。12.根据权利要求11所述的三维空间封装结构,其特征在于:该第一电子元件为一电感。13.一种三维空间封装结构,其特征在于,包含:一第一电子元件,具有一上表面和一下表面;复数个第二电子元件,配置在该第一电子元件的该上表面上方;以及一连接结构,配置在该第一电子元件的该上表面上方,用以包覆该复数个第二电子元件,其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案,其中该复数个第一导电...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕保儒,吴明佳,吕绍维,
申请(专利权)人:乾坤科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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