对准标记布置、半导体工件和用于对准晶圆的方法技术

本发明专利技术涉及对准标记布置、半导体工件和用于对准晶圆的方法。在各个实施例中，对准标记布置可包括在一行中彼此接近地设置的多个对准标记，其中，满足以下条件中的至少一个：多个对准标记中的第一对准标记具有第一宽度且多个对准标记中的第二对准标记具有不同于第一宽度的第二宽度；多个对准标记中的第一对相邻的对准标记以第一间距进行布置，以及多个对准标记中的第二对相邻的对准标记以不同于第一间距的第二间距进行布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各个实施例总体上涉及。
技术介绍
现代半导体器件(诸如集成电路(IC)器件或芯片)通常可通过处理诸如晶圆的半导体载片来制造。集成电路可包括多层，例如一个或多个半导电的、绝缘的和/或导电的层，它们可相互堆叠。在这种连接中，上层与下层的重叠(对准)是很重要的。例如，当例如通过步进机或扫描仪对准光刻限定层时，对准标记通常可用于进行对准。当使用步进机/扫描仪装置调整光刻层时，会发生对准跳变(alignment jump)。为了避免该问题，步进机/扫描仪装置通常包括软件解决方案，其检查测量位置(即，测量带)处的对比差是否大于测量位置之间的对比差。此外，检查与测量带(围栏带)相邻的标记。软件解决方案的缺点在于，如果干扰在测量带之间带来大的对比差，如果带的宽度等于带之间距离的一半，或者如果与测量带(即，围栏带)相邻的带示出与测量带相比不同的对比差，则在对准处理期间，软件解决方案不能适当地工作或不得不失效。期望提供一种确定和/或避免对准跳变而不使用软件解决方案的可选方式。
技术实现思路
根据各个实施例的对准标记布置可包括多个对准标记，在一行中彼此接近地设置，其中满足以下至少一个条件:多个对准标记中的第一对准标记具有第一宽度，多个对准标记中的第二对准标记具有不同于第一宽度的第二宽度；多个对准标记中的第一对相邻的对准标记以第一间距进行布置，多个对准标记中的第二对相邻的对准标记以不同于第一间距的第二间距进行布置。根据各个实施例的对准标记布置可包括:多个对准标记，在一行中彼此接近地设置，对准标记布置在对准标记的间距和宽度中的至少一个方面包括不对称性。根据各个实施例的半导体工件可包括至少一个对准标记布置，其包括在一行中彼此接近地设置的多个对准标记，满足以下条件中的至少一个:多个对准标记中的第一对准标记具有第一宽度，并且多个对准标记中的第二对准标记具有不同于第一宽度的第二宽度多个对准标记中的第一对相邻的对准标记以第一间距进行布置，并且多个对准标记中的第二对相邻的对准标记以不同于第一间距的第二间距进行布置。根据各个实施例的用于对准晶圆的方法可包括:提供具有至少一个对准标记布置的晶圆，对准标记布置包括在一行中彼此接近地设置的多个对准标记，其中，满足以下条件中的至少一个:多个对准标记中的第一对准标记具有第一宽度，并且多个对准标记中的第二对准标记具有不同于第一宽度的第二宽度；多个对准标记中的第一对相邻的对准标记以第一间距进行布置，并且多个对准标记中的第二对相邻的对准标记以不同于第一间距的第二间距进行布置；向至少一个对准标记布置照射光；收集来自对准标记布置的反射的光；分析收集的光的光学信息；以及基于分析的光学信息确定晶圆的位置。【附图说明】在附图中，类似的参考符号在不同的附图中通常表示相同的部件。附图不需要按比例绘制，而是通常将注意力集中于示出专利技术原理。在以下描述中，参照附图描述本专利技术的各个实施例，其中:图1示出了包括管芯的半导体工件的顶视图；图2示出了典型的对准处理的示图；图3A示出了典型的预对准标记；图3B示出了典型的精对准标记的组；图4A至图4C分别示出了传统的精对准处理期间发生的正确对准和典型错误；图5示出了对准处理期间步进装置屏幕的典型对准图像；图6A至图6C示出了在步进机/扫描仪装置中实施的用于确定对准跳变的传统软件方法的示意图；图7A示出了根据实施例的包括具有不同宽度的对准标记的对准标记布置，以及图7B示出了根据另一实施例的包括在相邻的对准标记对之间具有不同间距的对准标记的对准标记布置；图8A示出了对准标记的传统图案；图8B至图8J示出了根据各个实施例的对准标记布置；图9示出了根据各个实施例的包括至少一个对准标记布置的半导体工件；以及图10示出了根据各个实施例的用于对准晶圆的方法的流程图。【具体实施方式】以下详细描述参照通过图示示出了实施本专利技术的具体细节和实施例的附图。充分详细地描述了这些实施例以能够使本领域技术人员实施本专利技术。在不背离本专利技术的范围的情况下，可以使用其他实施例并且可以进行结构、逻辑和电子方面的变化。各个实施例不是必须相互排斥，因为一些实施例可以与一个或多个其他实施例相互组合以形成新的实施例。注意，在本说明书中，包括在“一个方面”、“一个实施例”、“实例方面”、“方面”、“另一方面”、“一些方面”、“各个方面”、“其他方面”、“可选方面”等中的各个特征(例如，区域、层、处理、步骤、堆叠、特性、材料等)用于表示包括在本专利技术一个或多个方面中的任何这些特征，并且可以在相同方面中组合或者不是必须在相同方面中组合。针对方法提供了本专利技术的各个方面，并且针对器件或制造提供了本方面的各个方面。应该理解，方法的基本特性还可以适用于器件或制造，反之亦然。因此，为了简要，可以省略这些特性的重复描述。本文使用的词语“示例性”表示“用作实例、例子或例示”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不是必须构造为相对于其他实施例或设计是优选的或有利的。注意，在该说明书中，“至少一个”可以表示任何组合。例如，对象A和对象B的至少一个可以为对象A、对象B、或者对象A和对象B。本文描述将一个部件(例如，层)形成在侧或表面“上方”所使用的词语“上方”可用于表示该部件(例如层)可以“直接”形成在所指侧或表面上，例如与指侧或表面直接接触。本文描述将一个部件(例如，层)形成在侧或表面“上方”所使用的词语“上方”可用于表示该部件(例如层)可以“间接”形成在所指侧或表面上，一个或多个附加层被配置为在所指侧或表面与所形成的层之间。尽管参照特定方面示出和描述了本专利技术，但本说明书不用于限制所示细节。在权利要求的范围和等效范围内可进行修改。当通过步进机或扫描仪自动对准光刻层(即，光刻限定层)时，对准处理的多个因素的不利组合会导致所谓的对准跳变，即较差的对准结果，例如在从预对准到精对准的转换期间或之后。这些因素例如可以包括或可以为对准标记的设计、对准标记的宽度和对准标记之间的间距、对准标记之间的干扰(例如，在利用步进机或扫描仪调整光刻层期间，在读取或识别对准标记的过程中生成的光学干扰图案)、设备(即，扫描仪或步进机)中的错误偏移设置以及较差的预对准。这些对准跳变可导致步进机或扫描仪中光刻曝光期间晶圆对准的不精确。图1示出了半导体工件102的顶视图。现在参照图1，示图100示出了半导体工件102的顶视图，其中，半导体工件102可以为半导体晶圆，其包括多个管芯区域104和与管芯区域104相邻的切口区域(krefreg1n) 106ο管芯区域104可以表示半导体工件102的例如通过光刻图案化(例如，曝光)和半导体制造工艺可以形成一个或多个电子器件的区域。半导体工件102可包括至少一个对准标记114，其包括伸长图案。半导体工件102可以包括多个对准标记114，多个对准标记114中的每个对准标记114可以包括伸长图案。如示图100所示，一组对准标记可以被称为对准标记组112或对准标记布置112或多标记。每个对准标记组112可包括多个对准标记114，例如两个以上，例如六个、八个或者十个对准标记114，并且可以在半导体工件102的顶面上方形成在与管芯区域104相邻的切口区域106中。每个对准标记114都可配置为精对准标记。在这种情况下，对准标记组112本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对准标记布置，包括：多个对准标记，在一行中彼此接近地设置，其中满足以下至少一个条件：所述多个对准标记中的第一对准标记具有第一宽度，所述多个对准标记中的第二对准标记具有不同于所述第一宽度的第二宽度；所述多个对准标记中的第一对相邻的对准标记以第一间距进行布置，所述多个对准标记中的第二对相邻的对准标记以不同于所述第一间距的第二间距进行布置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·韦尔茨，E·施泰因基希纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE