多晶硅太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种多晶硅太阳能电池及其制作方法，该方法包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成太阳能电池。本发明专利技术实施例所提供的制作方法，可以利用酸溶液清洗去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，再利用扩散吸杂减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，降低了所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，提高了所述多晶硅太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种。
技术介绍
作为清洁环保的新能源，太阳能电池的应用越来越普遍，而多晶硅太阳能电池因其成本优势，占有的市场份额很大。现有技术中多晶硅太阳能电池的制作材料主要为多晶硅，而多晶硅在铸锭过程中会引进含量较高的铁、铜、镍等重金属杂质，而这些重金属杂质进入硅基体，会成为少数载流子的复合中心，影响少数载流子的寿命，导致多晶硅太阳能电池的转换效率较低。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种，以提尚所述多晶娃太阳能电池的转换效率。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:一种多晶硅太阳能电池的制作方法，包括:对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成多晶硅太阳能电池。优选的，所述酸溶液为盐酸和氢氟酸的混合溶液，其中，所述酸溶液中氢氟酸的质量浓度为5% -20%，所述盐酸的质量浓度为5% -20%。优选的，酸洗时间为2min-8min，包括端点值。优选的，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂包括:对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。优选的，所述磷重掺杂区域的掺杂浓度大于1021cm_3，包括端点值。优选的，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域包括:将所述多晶硅基体放入扩散管内，在预设温度下通入氧气和三氯氧磷，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。优选的，所述预设温度范围为:580°C -900°c，包括端点值。优选的，氧气流量为100sccm-300sccm，包括端点值；三氯氧磷流量为800sccm-2000sccm，包括端点值；通入时间为25min_45min，包括端点值。优选的，所述太阳能电池的方块电阻小于40Ω / 口。一种多晶硅太阳能电池，所述多晶硅太阳能电池利用上述任一项所述的制作方法制作而成，其方块电阻小于40 Ω/ 口。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本专利技术实施例所提供的多晶硅太阳能电池的制作方法，先对多晶硅基体进行酸溶液清洗，去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，然后对所述多晶硅基体进行扩散吸杂，减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，从而降低所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，最后在对所述多晶硅基体表面进行织构化处理等常规工艺，制成太阳能电池。由此可见，利用本专利技术实施例所提供的制作方法制作的多晶硅太阳能电池中，重金属杂质离子较少，从而提高了其转换效率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一个实施例所提供的多晶硅太阳能电池的制作方法流程示意图；图2为本专利技术一个实施例所提供的多晶硅太阳能电池的制作方法中，步骤3的流程不意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
部分所述，现有技术中多晶硅太阳能电池的制作材料主要为多晶硅，而多晶硅在铸锭过程中会引进含量较高的铁、铜、镍等重金属杂质，影响少数载流子的寿命，导致多晶硅太阳能电池的转换效率较低。专利技术人研宄发现，这是由于重金属杂质在高温条件下，进入硅基体的内部，会形成深能级，而复合中心的能级越深，少子的寿命就越短，因此，制作太阳能电池的多晶硅中重金属的杂质含量越高，相应制成的多晶硅太阳能电池的转换效率越低。有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种多晶硅太阳能电池的制作方法，包括:对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成太阳能电池。相应的，本专利技术实施例还提供了一种利用上述制作方法制作的多晶硅太阳能电池。相较于现有技术中多晶硅太阳能电池的制作方法，本专利技术实施例所提供的制作方法，在常规制作工艺之前，增加了酸溶液清洗和扩散吸杂两步工艺，从而可以利用酸溶液清洗去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，再利用扩散吸杂减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，降低了所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，提高了所述多晶硅太阳能电池的转换效率。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种多晶硅太阳能电池的制作方法，包括: 步骤1:对多晶硅基体进行酸溶液清洗；步骤2:清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；步骤3:扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成多晶硅太阳能电池。在上述实施例的基础上，在本专利技术的一个实施例中，所述酸溶液为盐酸和氢氟酸的混合溶液。具体的，对多晶硅基体进行酸溶液清洗包括:步骤101:利用盐酸和氢氟酸的混合溶液，对所述多晶硅基体进行酸洗；步骤102:酸洗完后，利用去离子水对所述多晶硅基体进行冲洗并风干。需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本专利技术的一个优选实施例中，所述酸溶液中氢氟酸的质量浓度为5% _20%，所述盐酸的质量浓度为5% _20%，但本专利技术对此并不做限定，具体视情况而定。更优选的，所述酸洗时间为2min-8min，包括端点值，本专利技术对此并不做限定，具体视情况而定。由于重掺杂区对金属杂质具有更大的溶解度，而如果掺杂磷浓度较低，则无法达到对多晶硅在铸锭过程中引当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成多晶硅太阳能电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张红妹，王涛，马红娜，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，英利能源中国有限公司，保定天威英利新能源有限公司，河北流云新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13