存储器和包括存储器的存储系统技术方案

一种存储器，其可以包括：多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；刷新控制部，适于响应于周期输入的刷新命令而激活刷新信号，以及在自刷新模式下周期性激活所述刷新信号；目标刷新控制部，适于当所述刷新信号被激活M次时激活目标刷新信号，其中M是自然数，以及在所述自刷新模式下去激活所述目标刷新信号；以及行控制部，适于响应于所述刷新信号而顺序地刷新所述多个字线，以及当所述目标刷新信号被激活时，响应于所述刷新信号而刷新与所述目标地址相对应的字线。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】存储器和包括存储器的存储系统相关申请的交叉引用本申请要求2013年12月18日提交的申请号为10-2013-0158151的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及存储器和存储系统。
技术介绍
存储器的存储器单元包括用作开关的晶体管和储存电荷(数据)的电容器。根据存储器单元的电容器中是否存在电荷，即，电容器的端电压是高还是低来确定“高”(逻辑I)和“低”(逻辑O)数据值。由于数据的储存表示电容器中电荷的累积，所以理论上在数据储存期间不消耗能量。然而，由于储存在电容器中的初始电荷因PN结处以及MOS晶体管的其他位置的电流泄露而减少，所以数据可能会丢失。为了防止这种丢失，读取存储器单元中的数据，并且基于读取信息来在数据丢失之前对存储器单元进行再充电。仅当这种操作被周期性重复时，数据的储存可以得到维持。这种存储器单元再充电处理被称作为刷新操作。图1是说明包括在存储器中的单元阵列的一部分的示意图，为了解释字线干扰现象。‘BL’表示位线。在图1中，单元阵列中的‘WLK-1’、‘WLK’和‘WLK+Γ表示彼此平行布置的三个字线。‘HIGH_ACT’标记的字线WLK表示具有大量激活次数或高激活频率的字线，而字线WLK-1和WLK+1是与字线WLK相邻布置的字线。‘CELL_K-1’、‘CELL_K’和‘CELL_K+1’表示分别与字线‘WLK-1’、‘WLK’和‘WLK+Γ电耦接的存储器单元。存储器单元‘CELL_K_1’、‘CELL_K’和‘CELL_K+1’分别包括单元晶体管TR_K-1和单元电容器CAP_K_1、单元晶体管TR_K和单元电容器CAP_K以及单元晶体管TR_K+1和单元电容器CAP_K+1。在图1中，当字线WLK被激活以及被预充电(去激活)时，字线WLK-1和字线WLK+1的电压由于字线WLK与字线WLK-1和字线WLK+1之间出现的耦合现象而升高和下降，导致对储存在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量的影响。因此，当字线WLK被过度激活、预充电，以及在激活状态和预充电状态之间切换时，储存在存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1中的数据可能由于储存在电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量的改变而丢失。此外，字线在激活状态和预充电状态之间切换时产生的电磁波引起电子向/从相邻字线中的电耦接的存储器单元电容器的迁移，这导致数据丢失。
技术实现思路
本专利技术的各种实施例涉及刷新与高激活字线相邻的字线并且实质上防止电耦接的存储器单元的数据丢失的一种存储器和一种存储系统。另外，本专利技术的各种实施例涉及在产生高激活字线是低概率的情况下减少执行刷新操作的次数(减少功耗)的一种存储器和一种存储系统。在一个实施例中，存储器可以包括:多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；刷新控制部，适于响应于周期性输入的刷新命令而激活刷新信号，以及在自刷新模式下周期性激活刷新信号；目标刷新控制部，适于当刷新信号被激活M次时，激活目标刷新信号，其中，M是自然数，以及在自刷新模式下去激活目标刷新信号；以及行控制部，适于响应于刷新信号而顺序地刷新多个字线，以及当目标刷新信号被激活时响应于刷新信号而刷新与目标地址对应的字线。存储器可以包括地址检测单元，适于检测多个字线中的已被激活参考次数或更多次数、或者以具有参考值或更高值的频率被激活的字线的地址。刷新控制部可以包括:周期信号发生部分，适于响应于自刷新进入命令而激活周期信号，以及响应于自刷新退出命令而去激活周期信号，其中，周期信号表示自刷新模式；自刷新信号发生部分，适于当周期信号被激活时周期性激活自刷新信号；以及刷新信号发生部分，适于响应于刷新命令或自刷新信号而产生刷新信号。在一个实施例中，存储器可以包括:多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；以及控制单元，适于:响应于周期性输入的刷新命令而顺序地刷新多个字线，同时具有目标刷新操作，所述目标刷新操作当字线被刷新参考次数时刷新与目标地址对应的字线，以及在自刷新模式下顺序地刷新多个字线而不具有目标刷新操作。存储器可以包括地址检测单元，适于检测被激活参考次数或更多次数、，或者以具有参考值或更高值的频率激活的字线的地址。在一个实施例中，一种存储系统可以包括:存储器控制器，适于周期性产生刷新命令以及顺序地产生自刷新进入命令和自刷新退出命令；以及存储器，包括多个字线和地址发生单元，该地址发生单元通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址，并且存储器适于分别响应于自刷新进入命令和自刷新退出命令而进入自刷新模式和退出自刷新模式，其中，存储器适于响应于刷新命令而顺序地刷新多个字线，在自刷新模式下顺序刷新多个字线，以及仅响应于刷新命令而当将字线刷新参考次数时刷新与目标地址对应的字线。存储器可以包括:刷新控制部，适于响应于刷新命令而激活刷新信号以及在自刷新模式下周期性激活刷新信号；目标刷新控制部，适于当刷新信号被激活参考次数时激活目标刷新信号，以及在自刷新模式下去激活目标刷新信号；以及行控制部，适于响应于刷新信号而顺序地刷新多个字线，以及当目标刷新信号被激活时，响应于刷新信号而刷新与目标地址对应的字线。根据本公开的一个实施例，与高激活字线相邻的字线被刷新，使得与相邻于高激活字线的字线电耦接的存储器单元的数据被防止被丢失。根据本公开的另一个实施例，当不产生激活字线以减少功耗时，不执行目标刷新操作。【附图说明】图1是说明包括在存储器中的单元阵列的一部分的示意图，为了解释字线干扰现象；图2是说明存储器的一部分的示意图，为了解释刷新操作；图3是用于解释图2的存储器的操作的波形图；图4是根据本专利技术的一个实施例的存储器的配置图；图5是刷新控制部441的配置图；图6是目标刷新控制部442的配置图；图7是用于解释图4的存储器的操作的波形图；图8是根据本专利技术的一个实施例的存储系统的配置图。【具体实施方式】以下将参照附图更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以以不同形式体现并且不应当被解释为局限于本文中提出的实施例。更确切地，提供这些实施例，使得本公开全面和完整，并且将本专利技术的范围全面地传达给本领域中的技术人员。在本公开中，相同的附图标记在本专利技术的各种附图和实施例中表示相同的部件。附图不一定按比例，并且在一些示例中，比例可能被夸大以清楚地说明实施例的特征。当第一层被指在第二层“上”或衬底“上”时，其不仅指第一层直接形成在第二层或衬底上的情形，还指在第一层和第二层或衬底之间存在第三层的情形。在下文中，高激活字线可以表示满足下列条件中的一个或多个的字线:激活次数大于或等于参考次数、和/或激活频率大于或等于参考频率。在下文中，“正常刷新”操作表示存储器顺序刷新多个字线的操作，以及“目标刷新”操作表示存储器刷新与高激活字线相邻的一个或多个字线的操作。图2是说明存储器的一部分的示意图，为了解释刷新操作。如在图2中所示，存储器可以包括刷新控制单元210、计数单元220、目标地址发生单元230、行控制单元240和单元阵列250。单元阵列250可以包括与一个或多个存储器单元MC电耦接的多个字线WLO至WLN。可以以‘WL0’至‘WLN’本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括：多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；刷新控制部，适于：响应于周期性输入的刷新命令而激活刷新信号，以及在自刷新模式下周期性激活所述刷新信号；目标刷新控制部，适于：当所述刷新信号被激活M次时激活目标刷新信号，其中M是自然数，以及在所述自刷新模式下去激活所述目标刷新信号；以及行控制部，适于：响应于所述刷新信号而顺序地刷新所述多个字线，以及当所述目标刷新信号被激活时，响应于所述刷新信号而刷新与所述目标地址相对应的字线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李荣燮，宋清基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR