一种有机发光显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种有机发光显示装置及其制作方法，该显示装置包括：第一基板；位于第一基板表面的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，漏极与有源层相连；位于薄膜晶体管背离第一基板的一侧，覆盖有平坦化层，平坦化层具有第一刻蚀孔，第一刻蚀孔完全贯穿平坦化层，延伸至有源层的表面；位于平坦化层背离薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连，从而降低了各TFT源极区域的寄生电容，进而降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光显示
，尤其涉及。
技术介绍
现有技术中的有机发光(Organic Light-Emitting D1de，简称0LED)显示装置中，其每个发光单元均由TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)控制，通过其对应的TFT的导通和截止，控制各发光单元的工作与否。具体的，如图1所示，所述TFT通常包括:栅极01、源极02和漏极03，其中，所述源极02和漏极03位于同一层，通过有源层04相连，所述栅极01与所述源极02、漏极03位于不同层，且所述栅极01与所述有源层04之间具有栅绝缘层05，在工作时，所述TFT的源极与所述发光单元的驱动电极06电连接，漏极03与所述OLED显示装置中的数据线(图中未示出)电连接，栅极01与所述OLED显示装置中的扫描线(图中未示出)电连接，通过所述扫描线中传输的信号控制所述TFT的导通和截止。当所述TFT导通时，所述TFT漏极接收与其相连的数据线中的数据信号，并传输至所述TFT的源极，再通过所述TFT的源极传输给发光单元的驱动电极，控制所述发光单元工作。但是，上述OLED显示装置中各TFT源极区域的寄生电容较大，导致所述OLED显示装置的功耗较大。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了，以降低所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，降低所述有机发光显示装置的功耗。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:一种有机发光显示装置，包括:第一基板；位于所述第一基板表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板的一侧，覆盖有平坦化层，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括:相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层连接。可选的，所述薄膜晶体管包括:位于所述第一基板表面的栅极；位于所述栅极背离所述第一基板一侧表面的栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一基板；位于所述栅绝缘层背离所述栅极一侧表面的有源层；位于所述有源层背离所述栅绝缘层一侧表面的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层具有第二刻蚀孔；位于所述刻蚀阻挡层背离所述有源层一侧表面和所述第二刻蚀孔内的漏极，所述漏极与所述有源层相连。可选的，所述薄膜晶体管包括:位于栅极背离所述栅绝缘层一侧的层间绝缘层，层间绝缘层具有第二刻蚀孔，第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层，延伸至所述有源层的表面；位于层间绝缘层背离所述栅绝缘层一侧表面和第二刻蚀孔内的漏极，漏极与所述有源层相连。可选的，所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间还形成有钝化层。可选的，所述第一驱动电极为阳极或阴极。可选的，所述第一驱动电极包括:相对设置的第一透明电极层和第二透明电极层，以及位于所述第一透明电极层和第二透明电极层之间的金属电极层。可选的，所述有源层为氧化物半导体层。一种有机发光显示装置的制造方法，包括:提供第一基板；在所述第一基板表面形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；在所述薄膜晶体管背离所述第一基板一侧形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述薄膜晶体管；刻蚀所述平坦化层，在所述平坦化层中形成第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；在所述平坦化层背离所述薄膜晶体管的一侧形成发光单元，所述发光单元包括:相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。可选的，在所述第一基板表面形成薄膜晶体管包括:在所述第一基板表面形成栅极；在所述栅极背离所述第一基板一侧表面形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一基板；在所述栅绝缘层背离所述栅极一侧表面形成有源层；在所述有源层背离所述栅绝缘层一侧表面形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡层内形成第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔贯穿所述刻蚀阻挡层，延伸至所述有源层表面；在所述刻蚀阻挡层背离所述有源层一侧表面和所述第二刻蚀孔内形成漏极，所述漏极与所述有源层相连。可选的，在所述第一基板表面形成薄膜晶体管包括:在所述第一基板表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述第一基板一侧表面形成有源层；在所述有源层背离所述缓冲层一侧表面形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层背离所述有源层一侧表面形成栅极；在栅极背离栅绝缘层一侧表面形成层间绝缘层；对层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，在层间绝缘层和栅绝缘层内形成第二刻蚀孔，第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层和栅绝缘层，延伸至所述有源层的表面；在层间绝缘层背离栅绝缘层一侧表面和第二刻蚀孔内形成漏极，漏极与有源层相连。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本专利技术实施例所提供的有机发光显示装置包括:薄膜晶体管、发光单元和位于所述薄膜晶体管和发光单元之间的平坦化层，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和漏极，且所述漏极与所述有源层相连，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面，所述发光单元包括第一驱动电极、第二驱动电极和发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。由此可见，本专利技术实施例所提供的有机发光显示装置中，所述薄膜晶体管不包括源极，所述发光单元中的第一驱动电极直接与所述薄膜晶体管的有源层相连，即所述发光单元中的第一驱动电极既有发光单元中驱动电极的作用，又有薄膜晶体管中源极的作用，使得本专利技术实施例所提供的有机发光显示装置中第一刻蚀孔周围区域有源层和第一驱动电极之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，从而大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中有机显示装置的结构示意图；图2为本专利技术一个实施例所提供的有机显示装置的结构示意图；图3为本专利技术一个实施例所提供的有机显示装置的结构示意图；图4-图6为本专利技术一个实施例所提供的有机显示装置的制造方法的流程示意图；图7为本专利技术一个实施例所提供的有极显示装置的制造方法中，薄膜晶体管的制作方法流程示意图；图8-图10为本专利技术一个实施例所提供的有极显示装置的制造方法中，薄膜晶体管的制作方法流程示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
部分所述，现有技术中OLED显示装置中各TFT源极区域的寄生电容较大，导致所述OLED显示装置的功耗较大。有鉴于此，本专利技术实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层连接；位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板的一侧，覆盖有平坦化层，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：楼均辉，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31