具有镶嵌研磨块的CMP衬垫修整器和相关方法技术

一种CMP衬垫修整器，其包括多个研磨块。每个研磨块包括块坯和附着于块坯的研磨层，该研磨层包括超硬研磨材料。还提供一种衬垫修整器基底。所述多个研磨块中的每一个以一个取向被永久固定在衬垫修整器基底上，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】具有镶嵌研磨块的CMP衬垫修整器和相关方法本申请是2008年9月29日提交的名称为“具有镶嵌研磨块的CMP衬垫修整器和相关方法”的中国专利申请200880118437.8的分案申请。要求优先权本申请要求2007年9月28日提交的序列号为60/976，198的美国临时专利申请和2008年7月5日提交的序列号为12/168，110的美国非临时专利申请的优先权，上述专利申请通过引用合并于此。
本专利技术一般涉及用于从CMP衬垫消除材料(如使平滑、抛光、修整等)的CMP衬垫修整器。此外，本专利技术涉及化学、物理和材料学领域。
技术介绍
目前半导体工业每年在制造必须具有非常平坦和光滑表面的硅晶片上花费超过10亿美元。用于制造光滑和平坦表面硅晶片的已知技术有很多。这些技术中最常用的包括称为化学机械抛光(CMP)的处理，该CMP包括使用抛光垫与研磨浆(slurry)。所有CMP处理中最重要的是在各方面达到高性能水平，诸如抛光晶片的均匀性、IC电路的平滑性、用于生产的消除率、CMP经济学的消耗寿命等。
技术实现思路
根据一个实施例，本专利技术提供一种CMP衬垫修整器，其包括多个研磨块。每个研磨块可以包括块坯和附在块坯上的研磨层。研磨层可以包括超硬研磨材料。还提供衬垫修整器基底并且所述多个研磨块的每一个可以以一个取向被永久固定在衬垫修整器基底上，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料。根据本专利技术的另一个方面，提供一种CMP衬垫修整器，其包括多个研磨块。每个研磨块可以包括块坯、有机粘附层和研磨层，研磨层通过该有机粘附层附在块坯上。研磨层可以包括超硬研磨材料。还提供衬垫修整器基底，所述多个研磨块的每一个可以以一个取向被永久固定在衬垫修整器基底上，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料。根据本专利技术的另一个方面，提供一种CMP衬垫修整器，其包括多个研磨块。每个研磨块可以包括块坯和通过钎焊合金附在块坯上的研磨层。研磨层可以包括超硬研磨材料。还提供衬垫修整器基底，所述多个研磨块的每一个可以以一个取向被永久固定在衬垫修整器基底上，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料。根据本专利技术的另一个方面，提供一种CMP衬垫修整器，其包括多个研磨块。每个研磨块可以包括块坯和附在块坯上的研磨层。研磨层可以包括超硬研磨叶片。还提供衬垫修整器基底，所述多个研磨块的每一个可以以一个取向被永久固定在衬垫修整器基底上，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料。根据本专利技术的另一个方面，提供一种CMP衬垫修整器，其包括多个研磨块。每个研磨块可以包括块坯和附在块坯上的研磨层。研磨层可以包括切削面，该切削面与被应用到CMP衬垫的加工面成90度角或小于90度角。还提供衬垫修整器基底，所述多个研磨块的每一个可以以一个取向被永久固定在衬垫修整器基底上，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料。根据本专利技术的另一个方面，提供一种形成CMP衬垫修整器的方法，其包括:获得至少一个研磨块。所述研磨块包括块坯和附在块坯上的研磨层。研磨层包括超硬研磨材料。所述方法可以包括以一个取向在衬垫修整器基底的面上设置所述至少一个研磨块，其能够随着衬垫修整器和CMP衬垫的相对移动通过研磨层从CMP衬垫上消除材料；并且将所述至少一个研磨块永久固定在该衬垫修整器基底上。因此，已经概括，而不是扩大，本专利技术的各个特征，以便下面可以更好地理解其详细描述，并且以便可以更好地理解本专利技术对本领域的贡献。根据下面本专利技术的详细描述结合附属权利要求，本专利技术的其他特征将变得很清楚，或可以通过实践本专利技术学习到本专利技术的其他特征。【附图说明】图1是根据本专利技术一个实施例的示例性衬垫修整器的示意俯视图；图1A是可用于图1的衬垫修整器中的示例性研磨块的放大透视示意图；图1B是图1A的研磨块的端示意图，显示一个示例性研磨轮廓；图1C是图1A的研磨块的端示意图,显示另一个示例性研磨轮廓；图2是根据本专利技术一个实施例的另一个衬垫修整器的示意俯视图；图2A是图2衬垫修整器的研磨块的放大透视示意图；图3A是具有切削面的研磨块的侧视示意图，显示从一部分CMP衬垫消除材料；图3B是具有不同结构切削面的研磨块的侧视示意图，显示从一部分CMP衬垫消除材料；图3C是具有不同结构切削面的研磨块的侧视示意图，显示从一部分CMP衬垫消除材料；图4A和4B是根据本专利技术一个实施例的以叶片结构形成的另一个研磨块的示意透视图；及图5是具有以相互之间不同标高设置的一系列研磨块的CMP衬垫修整器的一部分的不意侧视图。应该理解上述附图仅用于图示说明目的以进一步理解本专利技术。此外，附图不是按比例画的，因此尺寸、颗粒大小和其他方面可以并且通常是被夸大的以使图示说明清楚。例如，一些附图中的研磨层被图示说明为包括许多研磨颗粒；然而，此处公开的许多具体实施例不需要包括研磨颗粒。因此，应该理解可以偏离并且可能偏离附图中的具体尺寸和方面以便生产本专利技术的衬垫修整器。【具体实施方式】在公开和描述本专利技术之前，应该理解本专利技术不限于此处公开的具体结构、加工步骤或材料，而是意欲覆盖相关领域的普通技术人员能够意识到的其等同物。还应该理解此处使用的术语仅用于描述具体实施例的目的而不意欲受限。必须注意到，如在本说明书和附属权利要求中使用的，单数形式的“一个”、“一种”、“该个”包括复数参照对象除非文本中清楚另外说明。因此，例如，提到的“一个研磨块”可以包括一个或多于一个此种研磨块。定义在本专利技术的说明书和权利要求中，下面术语将根据下面陈述的定义使用。此处涉及的所有网格大小是指美国通用的网格大小，除非另有说明。此外，网格大小通常被理解为给定收集颗粒的平均网格大小，因为在具体“网格大小”内每个颗粒可以实际变化超出小的粒度分布。如此处使用的，术语“基本”是指完全或接近完全的程度的运动、特性、性质、状态、结构、零件(item)或结果。作为任意示例，当两个或多于两个对象被称为相互之间间隔“基本”固定距离时，应该理解两个或多于两个对象相互间隔完全不变的距离，或相互间隔接近不变的距离，该接近不变的距离，普通人不能发现其差异。在一些情况下，偏离绝对完全的精确允许度可以取决于具体文本。然而，通常说的接近完全是指具有相同的整体结果，如绝对和整体完全所获得的结果。当用于负面含义时，“基本”的使用同样适用，其是指完全或接近完全没有运动、特性、性质、状态、结构、零件或结果。作为任意示例，一个腔“基本没有”杂质是指完全没有任何杂质，或几乎接近完全没有杂质，其效果与完全没有杂质相同。换句话说，“基本没有”杂质的腔实际可以包含小部分杂质，只要其对腔的影响结果是不可测量的。如此处使用的，衬垫修整器“基本”表示一部分支持研磨材料的衬垫修整器，并且在其上可以固定研磨材料和/或携带研磨材料的块坯。在本专利技术中有用的基底可以是以一种足以提供衬垫修整器用于其预期目的方式能够支持研磨材料的各种形状、厚度、或材料。基底可以是固体材料、当加工时可以变成固体的粉末材料、或柔性材料。示例的一般基底材料包括当不限于金属、金属合当前第1页1 2 3 4&本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造CMP衬垫修整器的方法，其包括：提供多个研磨块，其中通过将研磨层附着于块坯来制造每个研磨块；和利用附着于衬垫修整器基底的面上的所述研磨层，永久固定所述多个研磨块中的每个。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋建民，M·宋，
申请(专利权)人：宋健民，M·宋，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71