一种模拟开关电路，包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3；在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Q1的源级和栅极并联了一个电阻R2，在Q1的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Q1的栅极和地之间，然后与R3并联，R4的一端接在Q1的栅极上，另一端接在Q3的漏极上，Q3的源级接地，Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7，Q3的栅极与单片机的IO口相连，电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端，二极管D3的正极与电阻R5和单片机的IO口联接，二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。本实用新型专利技术体积小、成本低、使用方便。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电路
，特别涉及一种用于辐射探测仪器的模拟开关电路。
技术介绍
目前辐射探测仪器的开关电路通常有一个专用的按键，实现开关功能，不能实现其他的功能，占用体积大。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述
技术介绍
的缺陷，提供一种用于辐射探测仪器的模拟开关电路。本技术所涉及的一种模拟开关电路，包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3 ;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1，在Ql的源级和栅极并联了一个电阻R2，在Ql的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3，电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Ql的栅极和地之间，然后与R3并联，R4的一端接在Ql的栅极上，另一端接在Q3的漏极上，Q3的源级接地，Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7，Q3的栅极与单片机的1 口相连，电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端，二极管D3的正极与电阻R5和单片机的1 口联接，二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。本技术所涉及的模拟开关电路，电源键可以用作其它功能，省了一个按键的体积，因而体积小、成本低、使用方便。【附图说明】图1为本技术t吴拟开关电路图；【具体实施方式】:下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。实施例本实施例的模拟开关电路图结构如图1所示，该电路包括P沟道场效应开关管Ql、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3 ;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1，在Ql的源级和栅极并联了一个电阻R2，在Ql的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3，电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Ql的栅极和地之间，然后与R3并联，R4的一端接在Ql的栅极上，另一端接在Q3的漏极上，Q3的源级接地，Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7，Q3的栅极与单片机的1 口相连，电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端，二极管D3的正极与电阻R5和单片机的1 口联接，二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。本实施例电路工作过程为:当处于关机状态下按下开机键时，KEY_OK为低电平，Ql为P沟道的场效应管(I脚为栅极，2脚为源级，3脚为漏极)，Ql的栅源极电压为负，Ql处于导通状态，电池为单片机供电。Q3为N沟道场效应管(I脚为栅极，2脚为源级，3脚为漏极)，此时ON/OFF为低电平，Q3截止。单片机供电初始化后进入计时程序，设定的开机时间到后ON/OFF脚置高，Q3导通。此后按键断开后Ql仍处于导通状态，开机成功。若设定时间到之前按键松开则单片机断电，开机失败。同时开机成功后，开机键的按下与否不会影响Ql栅源级电压所以不会影响电路的正常运行，因此开机键还可以作为其他功能复用。【主权项】1.一种模拟开关电路，包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3 ;在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1，在Ql的源级和栅极并联了一个电阻R2，在Ql的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3，电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Ql的栅极和地之间，然后与R3并联，R4的一端接在Ql的栅极上，另一端接在Q3的漏极上，Q3的源级接地，Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7，Q3的栅极与单片机的1 口相连，电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端，二极管D3的正极与电阻R5和单片机的1 口联接，二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。【专利摘要】一种模拟开关电路，包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3；在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Q1的源级和栅极并联了一个电阻R2，在Q1的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Q1的栅极和地之间，然后与R3并联，R4的一端接在Q1的栅极上，另一端接在Q3的漏极上，Q3的源级接地，Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7，Q3的栅极与单片机的IO口相连，电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端，二极管D3的正极与电阻R5和单片机的IO口联接，二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。本技术体积小、成本低、使用方便。【IPC分类】H03K17-687【公开号】CN204408302【申请号】CN201420850020【专利技术人】艾斯 【申请人】重庆建安仪器有限责任公司【公开日】2015年6月17日【申请日】2014年12月29日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种模拟开关电路，包括P沟道场效应开关管Q1、N沟道场效应开关管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、二极管D3；在电源通路上连接了一个P沟道场效应开关管Q1,在Q1的源级和栅极并联了一个电阻R2，在Q1的栅极和开关的一端之间接了一个电阻R3,电阻R4和N沟道场效应开关管Q3串联在Q1的栅极和地之间，然后与R3并联，R4的一端接在Q1的栅极上，另一端接在Q3的漏极上，Q3的源级接地，Q3的栅极和源级之间并联了一个电阻R7，Q3的栅极与单片机的IO口相连，电阻R5和二极管D3串联在3.3V电源与R3接开关的一端，二极管D3的正极与电阻R5和单片机的IO口联接，二极管D3的负极与电阻R3接开关的一端相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：艾斯，
申请(专利权)人：重庆建安仪器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85
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