基板支撑装置及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板支撑装置及基板处理装置，包括：腔室，形成处理空间；气体喷射器，在所述腔室的内部供给处理气体；及基板支撑台，配置在所述腔室的内部支撑基板，所述基板支撑台，具有通过分别的流通渠道，向所述基板的上部边缘及下部边缘供给净化气体的流通渠道，可使净化气体在基板的边缘位置领域均匀的供给。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术作为涉及基板支撑装置及基板处理装置，更详细的说为了在基板边缘位置 领域均匀的供给净化气体的基板支撑装置及基板处理装置。
技术介绍
制造了层叠多种薄膜的半导体存储器等各种电子元件。即，在基板上形成各种薄 膜，并且使用照片蚀刻工序图形化如同其形成的薄膜，形成元件构造。 薄膜根据材料具有导电膜、电介质膜、绝缘膜等，制造薄膜的方法也是多种多样， 制造薄膜的方法大致有物理性方法及化学性方法等。最近为了制造半导体元件，主要使 用的是根据气体的化学反应在基板上形成金属、电介质、或绝缘体薄膜的化学气相沉积 (CVD:Chemicalvapordeposition)。 以CVD方法在基板制造薄膜的情况，使基板配置在CVD装置的腔室内部的基板支 撑台上，向腔室内部供给工序气体，以其气体反应制造薄膜。这种CVD方式为，在基板上的 薄膜以所有方向形成的等向性沉积，在供给工序气体的所有领域制造薄膜。若基板加载在 CVD腔室内，基板的后面被支撑在基板支撑台，则基板的前面及侧面露出，因此在基板的前 面及侧面形成薄膜。另外，就算基板的后面接触基板支撑台，由于向基板的后面与基板支撑 台之间的缝隙渗透工序气体，可在基板后面形成薄膜。 另一方面，半导体元件在基板前面的有效领域制造，在这种有效领域形成高品质 的均匀的薄膜为最佳。另外，在基板的边缘位置及后面形成的薄膜不仅不能运用为元件，附 着在基板引起使基板整体或一部分不可用的污染物质，在基板的边缘位置及在后面沉积的 材料被剥离，引起粒子（particle)污染。即，剥离的材料发生为不希望的粒子，不当的附着 在基板或使污染在腔室内部的多个位置引起。 就此，在基板支撑台安装基板，设置具有基板边缘位置领域且屏蔽的遮蔽环，或在 基板的下面侧或边缘位置供给净化气体，抑制或防止在这部分的薄膜沉积。 但是，就算设置遮蔽环，向基板与遮蔽环缝隙之间渗透工序气体，存在不能有效抑 制在基板的边缘位置或后面形成薄膜的问题。另外，就算供给净化气体，基板的下面或边缘 位置净化气体不能均匀的供给，仍然存在在一部分领域形成薄膜的问题。 (先行技术文献） (专利文献） (专利文献 1)KR852〇98B
技术实现思路
(要解决的课题） 本专利技术提供的基板支撑装置及基板处理装置为，可使净化气体在基板的边缘位置 领域均匀的供给。 本专利技术提供的基板支撑装置及基板处理装置为，可防止在基板的边缘位置及后面 沉积薄膜。(课题的解决方法）根据本专利技术实施形态的基板支撑装置，包括：基板支撑体，安装基板；及保护环， 设置在所述基板支撑体上，形成在高于所述基板支撑体的上面的位置，使气体向所述基板 喷射的流通渠道。所述保护环，也可包括：环形态的第1机体；第2机体，从所述第1机体向内侧方向 延长形成；第1流通渠道，一端与所述第2机体的下面连接，由此向上部方向延长形成；及 第2流通渠道，与所述第1流通渠道的其他端连接，向内侧方向延长形成。 另外，所述保护环的特征在于，包括：下部环，具有环形态的机体且与所述机体的 下面连接，由此向上部方向延长形成的第1流通渠道，及与所述第1流通渠道的其他端连 接，向内侧方向延长形成的第2流通渠道；及上部环，设置在所述下部环上，在与所述下部 环的内侧面之间，形成与所述第2流通渠道连接的第3流通渠道，所述流通渠道，包括所述 第1流通渠道、所述第2流通渠道、所述第3流通渠道。 所述第1及第2流通渠道，根据所述下部环的圆周方向也可形成多个。 所述第1流通渠道，垂直贯通所述下部环的机体形成，所述第2流通渠道，也可在 所述机体的上面形成为凹陷的槽。 所述第2机体，在内侧面的至少一部分形成，也可具有向下倾斜的倾斜面。所述倾斜面，也可具有45°至80°的倾斜。 所述第1机体，也可具有在其上面凹陷形成的至少一个以上的结合槽。所述保护环与所述基板支撑体之间，形成通过气体的主渠道，并且所述主渠道也 可与所述流通渠道连接。所述主渠道，也可与在所述第1流通渠道及所述保护环的下面边缘位置领域，与 所述基板支撑体的侧面之间形成的第4流通渠道连接。所述基板支撑体，具有在内部通过气体的气体通道，所述气体通道也可与所述主 渠道连接。所述下部环，具有在上面凹陷形成的结合槽。所述上部环，也可具有在下面对应所 述结合槽的结合凸起。所述结合槽具有多个，并且其中一部分结合所述结合凸起时，使其具有与所述结 合凸起隔离的间隔，所述结合槽的直径形成为也可大于所述结合凸起的直径。所述结合槽，也可形成所述第1机体向所述第1机体的外侧方向垂直贯通的贯通 孔。在所述上部环的内侧端部具有向下方弯曲的弯曲部。在所述下部环的内侧面至 少一部分，具有向下倾斜的倾斜面，并且在所述弯曲部与所述倾斜面之间也可形成所述第3 流通渠道。所述下部环，在上面具有阶梯部，所述上部环也可在下面具有对应所述阶梯部的 凸出部。根据本专利技术实施形态的基板处理装置的特征在于，包括：腔室，形成处理空间；气 体喷射器，在所述腔室的内部供给处理气体；及基板支撑台，配置在所述腔室的内部且支撑 基板。所述基板支撑台，具有通过分别的流通渠道，向所述基板的上部边缘及下部边缘供给 净化气体的流通渠道。 所述基板支撑台，包括：基板支撑体，安装基板；及保护环，设置在所述基板支撑 体上。所述流通渠道，也可包括：上部流通渠道，通过所述保护环；与下部流通渠道，在所述 基板支撑体与所述保护环之间形成。 所述保护环，也可包括：环形态的第1机体；第2机体，从所述第1机体向内侧方 向延长形成；第1流通渠道，一端与所述第2机体的下面连接，从其向上部方向延长形；第2 流通渠道，与所述第1流通渠道的其他端连接，向内侧方向延长形成。 所述保护环，包括下部环及上部环。在所述下部环，具有：第1流通渠道，一端与所 述下部环的下面连接，向上部方向延长形成；及第2流通渠道，与所述第1流通渠道的其他 端连接，向内侧方向延长形成，所述下部环的内侧面与所述上部环之间，形成与所述第2流 通渠道连接的第3流通渠道。所述上部流通渠道，也可包括所述第1流通渠道、所述第2流 通渠道及所述第3流通渠道。(专利技术的效果） 根据本专利技术实施形态，可在基板的边缘位置领域均匀的供给净化气体，可有效抑 制或防止在基板的边缘位置及后面沉积薄当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板支撑装置，其特征在于，包括：基板支撑体，安装基板；及保护环，设置在所述基板支撑体上，形成为了在高于所述基板支撑体的上面的位置向所述基板喷射气体的流通渠道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李大濬，崔亨燮，金容珍，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR