垂直磁记录介质制造技术

本发明专利技术提供一种垂直磁记录介质，其磁性晶粒被充分有序化且晶粒分离、并且具有较高的磁各向异性常数。提供一种具有较高矫顽力的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质包括非磁性基板和磁记录层。特征在于：上述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围上述磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构，上述磁性晶粒含有有序合金，上述非磁性晶界含有Ge氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及垂直磁记录介质，特别涉及含有Ge氧化物的垂直磁记录介质。
技术介绍
现有技术中，作为磁记录装置的记录方式，使用对磁记录介质的磁记录层(磁化膜)的表面垂直地磁化的垂直磁记录方式。垂直磁记录方式中使用的磁记录介质(以下称为垂直磁记录介质)包括非磁性基板和用磁性材料形成的磁记录层等。为了提高垂直磁记录介质的记录密度，其特性的变更和改良在持续地进行。主要在于构成磁记录层的磁性晶粒的尺寸的逐渐缩小。结果，当前的磁性晶粒的尺寸正逐渐接近因为周围的热影响而不能够稳定保持磁化的称为超顺磁极限的物性极限。垂直磁记录介质的热稳定性能够通过使用具有较强的磁各向异性的材料作为磁记录层而改良。该垂直磁记录介质的热稳定性指数，在设磁各向异性常数为Ku、磁性晶粒的体积为V、玻尔兹曼常数为kb、绝对温度为T时，用KuV/kbT表达。为了使记录信息保持10年稳定，估算KuV/kbT需要在60以上。作为克服上述超顺磁极限的问题的方案，要求使用具有较高的磁各向异性常数Ku的材料。进而，作为用于使磁记录层高密度化的一个方式，提出了使用用氧化物和氮化物这样的非磁性晶界包围磁性晶粒的周围的粒状结构的方法。专利文献1中记载了在合金的晶粒之间隔着非磁性物质而使磁性薄膜成为粒状膜的结构。作为用于形成该粒状膜的非磁性物质，可以列举SiO2、Cr2O3、ZrO2和Al2O3等。这些非磁性物质使Co-Pt-C系合<br>金的晶粒磁分离的可能性较高。专利文献2中记载了具有粒状结构的磁性薄膜。该粒状结构由以具有L11型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(上述M表示单一或多种Co、Pt以外的金属元素)为主成分的强磁性晶粒和包围它的非磁性晶界构成。上述合金是具有粒状结构的CoFePt等三元有序合金。在具有这样的粒状结构的磁记录层中，非磁性晶界使磁性晶粒物理地分离，使磁性晶粒之间的磁相互作用降低。磁相互作用的降低抑制记录单位的过渡区域中产生的锯齿状磁壁的形成，能够实现低噪声特性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-135610号公报专利文献2：日本特开2010-34182号公报非专利文献非专利文献1：R.F.Penoyer：Rev.Sci.Instr.30(1959)711非专利文献2：強磁性体の物理(下)近角聰信＿裳華房(强磁体的物理(下)近角聪信＿裳华房)p10-21
技术实现思路
专利技术要解决的课题形成具有粒状结构的磁记录层的情况下，以往使用的非磁性非金属物质不能满足垂直磁记录介质的磁各向异性常数和矫顽力。例如，以往SiO2、TiO2等材料用于使FePt等有序合金粒状化。但是，这些材料对该合金的有序化和晶粒分离不充分，磁各向异性降低，矫顽力减小。因此，要求具有特别高的磁特性的新的垂直磁记录介质。此外，使FePt有序合金粒状化的垂直磁记录层中存在各种课题。例如，矫顽力高、进行热辅助记录的温度升高，并且在高温下记录时颠倒磁场梯度减小。本专利技术鉴于上述问题，目的在于提供一种磁性晶粒被充分有序化且晶粒分离、并且具有较高的磁各向异性常数的垂直磁记录介质。本专利技术的另一目的在于提供一种在保存记录的常温区间中具有较高的矫顽力的垂直磁记录介质。本专利技术的另一目的在于提供一种在进行记录的高温区间中能够降低颠倒磁场的垂直磁记录介质。本专利技术的另一目的在于提供一种在进行记录的高温区间中能够增大颠倒磁场的温度梯度的垂直磁记录介质。用于解决课题的技术方案用于解决本专利技术的课题的技术方案的一例，是一种包括非磁性基板和磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于：所述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围所述磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构，所述磁性晶粒含有有序合金，所述非磁性晶界含有Ge氧化物。此处，所述非磁性晶界也可以还含有从由Mn氧化物、Si氧化物、Al氧化物、Zn氧化物、B氧化物和Ti氧化物构成的组中选择的至少一者。此外，优选所述磁性晶粒含有L10型有序合金。进而，优选所述L10型有序合金含有Fe和Pt。此外，所述L10型有序合金也可以还含有从由Ni、Mn、Cr、Cu、Ag和Au构成的组中选择的至少一者。用于解决本专利技术的课题的技术方案的其他例子，是一种依次包括非磁性基板、第一磁记录层和第二磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于：所述第一磁记录层具有包括第一磁性晶粒和包围所述第一磁性晶粒的第一非磁性晶界的粒状结构，所述第一磁性晶粒含有有序合金，所述第一非磁性晶粒含有C，所述第二磁记录层具有包括第二磁性晶粒和包围所述第二磁性晶粒的第二非磁性晶界的粒状结构，所述第二磁性晶粒含有有序合金，所述第二非磁性晶界含有Ge氧化物。此处，所述第二非磁性晶界也可以含有从由Mn氧化物、Si氧化物、Al氧化物、Zn氧化物、B氧化物和Ti氧化物构成的组中选择的至少一者。此外，所述第一磁性晶粒和所述第二磁性晶粒中的至少一者含有L10型有序合金。进而，优选所述L10型有序合金含有Fe和Pt。此外，所述L10型有序合金也可以还含有从由Ni、Mn、Cr、Cu、Ag和Au构成的组中选择的至少一者。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种磁性晶粒微细化且被充分有序化并且晶粒分离的垂直磁记录介质。根据本专利技术，能够提供一种具有较高的磁各向异性常数Ku的垂直磁记录介质。根据本专利技术，能够提供一种具有较高的矫顽力Hc的垂直磁记录介质。进而，本专利技术中，特别是采用具有添加了Mn的磁性晶粒和含有Ge氧化物的非磁性晶界的磁记录层时，能够通过居里温度的降低而使颠倒(反转)磁场降低，热辅助记录变得容易。此外，通过形成含有以C(碳)为主的晶界材料的粒状层和该层上的含有主要含Ge的氧化物的粒状层，对这些层的磁性晶粒添加不同的添加材料，而能够降低热辅助记录温度并且减小颠倒磁场。此外，能够增大颠倒磁场梯度。附图说明图1是表示本专利技术的垂直磁记录介质的结构例的概略截面图。图2是表示本专利技术的垂直磁记录介质中的磁记录层的结构例的概略平面图。图3是表示本专利技术的垂直磁记录介质的另一个结构例的概略截面图。图4表示实施例4(虚线)和实施例5(实线)的颠倒磁场的温度依赖性。具体实施方式图1是表示本专利技术的垂直磁记录介质的结构例的概略截面图。垂直磁记录介质10在非磁性基板11上依次包括密合层12、衬底层13、晶种层(Seed Layer本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括非磁性基板和磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于：所述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围所述磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构，所述磁性晶粒含有有序合金，所述非磁性晶界含有Ge氧化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.12.06 JP 2012-267589;2013.05.08 JP 2013-098391.一种包括非磁性基板和磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在
于：
所述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围所述磁性晶粒的非磁性晶
界的粒状结构，
所述磁性晶粒含有有序合金，所述非磁性晶界含有Ge氧化物。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述非磁性晶界还含有从由Mn氧化物、Si氧化物、Al氧化物、
Zn氧化物、B氧化物和Ti氧化物构成的组中选择的至少一者。
3.如权利要求1或2所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述磁性晶粒含有L10型有序合金。
4.如权利要求3所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述L10型有序合金含有Fe和Pt。
5.如权利要求4所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述L10型有序合金还含有从由Ni、Mn、Cr、Cu、Ag和Au构成
的组中选择的至少一者。
6.一种依次包括非磁性基板、...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野拓也，岛津武仁，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP