半导体装置和显示装置制造方法及图纸

阵列基板(11b)包括：第一二极管(29)，其具有由第二金属膜(38)构成的第一电极部(29a、29b)、和通过第一二极管侧开口部(29c1、29c2)与第一电极部(29a、29b)连接的第一半导体部(29d)；接触部(32)，其具有由第一金属膜(34)构成且在栅极配线(19)的端部形成的栅极配线侧连接部(48)和通过接触部侧开口部(49a)与栅极配线侧连接部(48)连接的二极管侧连接部(50)；和静电保护部(51)，其具有由半导体膜(36)构成，用于引导在将第二金属膜(38)成膜前的阶段在第一二极管(29)和接触部(32)中的任一方产生的静电的静电引导部(52)，和由保护膜(37)构成，具有在俯视时与静电引导部(52)重叠的位置贯通形成的静电引导开口部(53a)的引导部保护部(53)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置和显示装置。
技术介绍
在用于液晶显示装置的液晶面板中，作为用于控制各像素的动作的开关元件呈矩阵状设置有多个TFT。在现有技术中，作为用于TFT的半导体膜，一般使用非晶硅等硅半导体，但是近年来作为半导体膜提案有使用电子迁移率更高的氧化物半导体的技术。在下述专利文献1中记载有将使用了这样的氧化物半导体的TFT作为开关元件来使用的液晶显示装置的一个例子。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-230744号公报(专利技术所要解决的问题)氧化物半导体由于电子迁移率高，所以不仅能够进一步实现TFT的小型化，能够实现液晶面板的开口率的提高，而且能够在设置有TFT的阵列基板上设置各种电路部。但是，当在阵列基板上形成电路部时，例如会担心在制造过程中产生的静电被施加至电路部，如果这样则有可能在电路部产生不良。
技术实现思路
本专利技术是基于上述的情况而完成的专利技术，其目的在于抑制因静电而产生的不良。(用于解决问题的手段)本专利技术的第一半导体装置包括：基板；在上述基板上形成的第一金属膜；至少在上述第一金属膜上形成的绝缘膜；在上述绝缘膜上形成的半导体膜；至少在上述半导体膜上形成，保护上述半导体膜的保护膜；在上述保护膜上形成的第二金属膜；半导体功能部，其至少具有2个电极部、保护部和半导体部，上述电极部由上述第二金属膜构成，上述保护部由上述保护膜构成，具有在与2个上述电极部重叠的位置分别贯通形成的2个半导体功能部侧开口部，该半导体部由上述半导体膜构成，通过2个上述半导体功能部侧开口部与2个上述电极部分别连接；由上述第一金属膜构成的信号配线部；接触部，其至少具有信号配线侧连接部、绝缘部和半导体功能部侧连接部，上述信号配线侧连接部由上述第一金属膜构成，形成于上述信号配线部的端部，上述绝缘部由上述保护膜和上述绝缘膜构成，具有在与上述信号配线侧连接部重叠的位置贯通形成的接触部侧开口部，上述半导体功能部侧连接部由上述第二金属膜构成，与上述半导体功能部所具有的2个上述电极部中的任一电极部相连，并且通过上述接触部侧开口部与上述信号配线侧连接部连接；和静电保护部，其至少具有静电引导部和引导部保护部，上述静电引导部由上述半导体膜构成，俯视时配置在上述半导体功能部与上述接触部之间，并且用于引导在形成上述第二金属膜前的阶段在上述半导体功能部和上述接触部中的任一方产生的静电，上述引导部保护部由上述保护膜构成，具有在俯视时与上述静电引导部重叠的位置贯通形成的静电引导开口部。这样，由第一金属膜构成的信号配线部中，在接触部形成于端部的信号配线侧连接部，通过贯通绝缘部的接触部侧开口部与由第二金属膜构成且与半导体功能部所具有的电极部中的任一电极部相连的半导体功能部侧连接部连接，由此，来自半导体功能部侧的信号被供给至信号配线部侧。此处，在该半导体装置的制造过程中，在形成第二金属膜前的阶段，在半导体功能部形成有贯通由保护膜构成的保护部的半导体功能部侧开口部，而且在接触部形成有贯通由保护膜和绝缘膜构成的绝缘部的接触部侧开口部，成为由半导体膜构成的半导体部通过半导体功能部侧开口部露出，由第一金属膜构成的信号配线侧连接部通过接触部侧开口部露出的状态。在该状态下，如果在半导体功能部和接触部中的任一方产生静电，则有可能该静电被施加至另一侧的半导体功能部或信号配线侧连接部，在半导体功能部或接触部产生不良。关于这一点，因为包括至少具有静电引导部和引导部保护部的静电保护部，该静电引导部由半导体膜构成，俯视时配置在半导体功能部与接触部之间，该引导部保护部由保护膜构成，具有在俯视时与静电引导部重叠的位置贯通形成的静电引导开口部，所以，在该半导体装置的制造过程中，在形成第二金属膜前的阶段，静电引导部通过贯通引导部保护部的静电引导开口部露出。因此，即使在形成第二金属膜前的阶段，在半导体功能部和接触部中的任一方产生静电的情况下，也能够将该静电通过在到达另一侧的途中存在的静电引导开口部向静电引导部引导。由此，能够使得在半导体功能部或接触部不易产生起因于静电的不良。而且，因为静电引导部与半导体功能部的半导体部由相同的半导体膜构成，所以在接触部的信号配线侧连接部侧产生静电的情况下能够有效地引导该静电，能够更好地防止静电被施加至半导体部。作为本专利技术的第一半导体装置的实施方式，优选以下的结构。(1)上述半导体膜由氧化物半导体构成。这样，当令半导体膜为氧化物半导体时，在制造过程中形成第二金属膜时蚀刻变得容易，而且存在成膜后也容易被氧化或还原的趋势，但是因为在半导体膜与第二金属膜之间设置有保护膜，半导体膜由保护膜保护，所以在形成第二金属膜时难以被蚀刻，而且在成膜后半导体膜也难以被氧化或还原。(2)包括静电释放配线部，其由上述第一金属膜构成，通过俯视时位于上述半导体功能部与上述接触部之间且配置在至少一部分与上述静电引导部和上述引导部保护部重叠的位置，能够将被引导至上述静电引导部的静电释放。这样，如果在半导体功能部和接触部中的任一方产生的静电被引导至静电引导部，则能够将静电从静电引导部释放到静电释放配线部，因此能够更有效地抑制由静电导致的不良的产生。(3)包括：第二半导体功能部，其至少具有2个第二电极部、第二保护部和第二半导体部，上述第二电极部由上述第二金属膜构成，上述第二保护部由上述保护膜构成，具有在与2个上述第二电极部重叠的位置分别贯通形成的2个第二半导体功能部侧开口部，上述第二半导体部由上述半导体膜构成，通过2个上述第二半导体功能部侧开口部与2个上述第二电极部分别连接；第一短路配线部，其由上述第二金属膜构成，使2个上述电极部中的一个电极部与2个上述第二电极部中的一个第二电极部短路，且与上述半导体功能部侧连接部相连；第二短路配线部，其由上述第二金属膜构成，使2个上述电极部中的另一个电极部与2个上述第二电极部中的另一个第二电极部短路；第二绝缘部，其由上述保护膜和上述绝缘膜构成，具有在与上述第二短路配线部重叠的位置贯通形成的第二短路配线部侧开口部；和静电释放配线侧连接部，其由上述第一金属膜构成，以与上述静电释放配线部相连且俯视时至少一部分与上述第二短路配线部重叠的方式配置，并且通过上述第二短路配线部侧开口部与上述第二短路配线部连接。这样，在半导体功能部和第二半导体功能部，一个电极部与一个第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的第一金属膜；至少在所述第一金属膜上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的半导体膜；至少在所述半导体膜上形成，保护所述半导体膜的保护膜；在所述保护膜上形成的第二金属膜；半导体功能部，其至少具有2个电极部、保护部和半导体部，所述电极部由所述第二金属膜构成，所述保护部由所述保护膜构成，具有在与2个所述电极部重叠的位置分别贯通形成的2个半导体功能部侧开口部，所述半导体部由所述半导体膜构成，通过2个所述半导体功能部侧开口部与2个所述电极部分别连接；由所述第一金属膜构成的信号配线部；接触部，其至少具有信号配线侧连接部、绝缘部和半导体功能部侧连接部，所述信号配线侧连接部由所述第一金属膜构成，形成于所述信号配线部的端部，所述绝缘部由所述保护膜和所述绝缘膜构成，具有在与所述信号配线侧连接部重叠的位置贯通形成的接触部侧开口部，所述半导体功能部侧连接部由所述第二金属膜构成，与所述半导体功能部所具有的2个所述电极部中的任一电极部相连，并且通过所述接触部侧开口部与所述信号配线侧连接部连接；和静电保护部，其至少具有静电引导部和引导部保护部，所述静电引导部由所述半导体膜构成，俯视时配置在所述半导体功能部与所述接触部之间，并且用于引导在形成所述第二金属膜前的阶段在所述半导体功能部和所述接触部中的任一方产生的静电，所述引导部保护部由所述保护膜构成，具有在俯视时与所述静电引导部重叠的位置贯通形成的静电引导开口部。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.02 JP 2012-2203731.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基板；
在所述基板上形成的第一金属膜；
至少在所述第一金属膜上形成的绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成的半导体膜；
至少在所述半导体膜上形成，保护所述半导体膜的保护膜；
在所述保护膜上形成的第二金属膜；
半导体功能部，其至少具有2个电极部、保护部和半导体部，所
述电极部由所述第二金属膜构成，所述保护部由所述保护膜构成，具
有在与2个所述电极部重叠的位置分别贯通形成的2个半导体功能部
侧开口部，所述半导体部由所述半导体膜构成，通过2个所述半导体
功能部侧开口部与2个所述电极部分别连接；
由所述第一金属膜构成的信号配线部；
接触部，其至少具有信号配线侧连接部、绝缘部和半导体功能部
侧连接部，所述信号配线侧连接部由所述第一金属膜构成，形成于所
述信号配线部的端部，所述绝缘部由所述保护膜和所述绝缘膜构成，
具有在与所述信号配线侧连接部重叠的位置贯通形成的接触部侧开口
部，所述半导体功能部侧连接部由所述第二金属膜构成，与所述半导
体功能部所具有的2个所述电极部中的任一电极部相连，并且通过所
述接触部侧开口部与所述信号配线侧连接部连接；和
静电保护部，其至少具有静电引导部和引导部保护部，所述静电
引导部由所述半导体膜构成，俯视时配置在所述半导体功能部与所述
接触部之间，并且用于引导在形成所述第二金属膜前的阶段在所述半
导体功能部和所述接触部中的任一方产生的静电，所述引导部保护部
由所述保护膜构成，具有在俯视时与所述静电引导部重叠的位置贯通
形成的静电引导开口部。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体膜由氧化物半导体构成。
3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体装置包括静电释放配线部，所述静电释放配线部由所
述第一金属膜构成，俯视时位于所述半导体功能部与所述接触部之间
且配置在至少一部分与所述静电引导部和所述引导部保护部重叠的位
置，由此，能够释放被引导至所述静电引导部的静电。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，包括：
第二半导体功能部，其至少具有2个第二电极部、第二保护部和
第二半导体部，所述第二电极部由所述第二金属膜构成，所述第二保
护部由所述保护膜构成，具有在与2个所述第二电极部重叠的位置分
别贯通形成的2个第二半导体功能部侧开口部，所述第二半导体部由
所述半导体膜构成，通过2个所述第二半导体功能部侧开口部与2个
所述第二电极部分别连接；
第一短路配线部，其由所述第二金属膜构成，使2个所述电极部
中的一个电极部与2个所述第二电极部中的一个第二电极部短路，且
与所述半导体功能部侧连接部相连；
第二短路配线部，其由所述第二金属膜构成，使2个所述电极部
中的另一个电极部与2个所述第二电极部中的另一个第二电极部短路；
第二绝缘部，其由所述保护膜和所述绝缘膜构成，具有在与所述
第二短路配线部重叠的位置贯通形成的第二短路配线部侧开口部；和
静电释放配线侧连接部，其由所述第一金属膜构成，以与所述静
电释放配线部相连且俯视时至少一部分与所述第二短路配线部重叠的
方式配置，并且通过所述第二短路配线部侧开口部与所述第二短路配
线部连接。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，包括：
第三绝缘部，其由所述保护膜和所述绝缘膜构成，具有在与所述
第一短路配线部重叠的位置贯通形成的第一短路配线部侧开口部；
栅极电极部，其设置在所述半导体功能部，由所述第一金属膜构
成，以俯视时与2个所述电极部、所述半导体部和所述第一短路配线

\t部的至少一部分重叠的方式配置，并且通过所述第一短路配线部侧开
口部与所述第一短路配线部连接；和
第二栅极电极部，其设置于所述第二半导体功能部，由所述第一
金属膜构成，以俯视时与2个所述第二电极部和所述第二半导体部重
叠的方式配置，并且与所述静电释放配线侧连接部相连。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，包括：
第三绝缘部，其由所述保护膜和所述绝缘膜构成，具有在与所述
第一短路配线部重叠的位置贯通形成的第一短路配线部侧开口部；
栅极电极部，其设置于所述半导体功能部，由所述第一金属膜构
成，以俯视时与2个所述电极部、所述半导体部和所述第一短路配线
部重叠的方式配置，并且通过所述第一短路配线部侧开口部与所述第
一短路配线部连接；
第四绝缘部，其由所述保护膜和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田幸伸，前田昌纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP