液晶显示器下基板的制备方法技术

本发明专利技术公开一种液晶显示器下基板的制备方法，包括如下步骤：提供玻璃基板；在玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；在栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；在栅极氮化硅层上形成栅极；在栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；采用CF4刻蚀层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀层间氮化硅层和栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；在过孔内形成源漏电极。上述制备方法将第二多晶硅层直接氧化成栅极氧化硅层和改进过孔刻蚀方法，可以使液晶显示器下基板的平带电压漂移较小、以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。此外，改进后的过孔刻蚀工艺也较简单，过孔品质较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造
，特别是涉及一种液晶显示器下基板的制备方法。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑等产品的不断发展，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的液晶显示器得到越来越广泛的应用，并促使各大厂商积极地进行产品的研发与制造。液晶显示器主要包括上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件等几部分。在传统工艺中，下基板的制造方法主要包括以下步骤：提供玻璃基板；在玻璃基板上形成有源层；采用化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)或等离子增强型化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在玻璃基板和有源层上依次形成栅极绝缘层(GI)和层间绝缘层(ILD)，其中，栅极绝缘层为氧化硅/氮化硅(SiOx/SiNx)两层膜结构，层间绝缘层(ILD)为氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)两层膜结构；对层间绝缘层和栅极绝缘层进行过孔(Contact Hole)刻蚀，请参阅图1，过孔刻蚀包括主刻蚀(Main Etching)和过刻蚀(Over Etching)两个步骤，其中，主刻蚀：采用CF4刻蚀层间绝缘层10的氧化硅层11和部分氮化硅层12；过刻蚀：采用C2HF5刻蚀层间绝缘层10余下的氮化硅层12，以及栅极绝缘层20的氮化硅层21和氧化硅层22；形成源漏电极(S/D)，并使源漏电极贯穿过孔后与有源层搭接。然而，采用上述传统工艺制备下基板依然存在如下缺陷：1、在过孔刻蚀工艺中，由于CF4和C2HF5对氧化硅层和氮化硅层的刻蚀速率有所差异，从而导致整个过孔的坡度角、形貌、关键尺寸偏差(CD Loss)等参数难以控制，此外，在过刻蚀中，C2HF5还会对部分的有源层造成一定的破坏。而过孔品质的好坏对后续的源漏电极形成至关重要，例如，坡度角过大，会导致后续的源漏电极搭接容易出现断裂问题，又如，坡度角过小会导致关键尺寸偏差过大。2、在形成栅极绝缘层的工艺中，化学气相沉积法或等离子增强型化学气相沉积法需要使用SiH4和N2O气体，使得制备的氧化硅层含有大量的Si-H键和Si-OH键，造成膜质疏松和悬挂键缺陷的问题，这会对开态电流、漏电流、载流子迁移率等TFT器件性能产生影响。此外，N2O中的N成分则会导致制备的氧化硅层与有源层界面缺陷较多，造成平带电压漂移较大的问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种过孔刻蚀工艺较简单，过孔品质较高，平带电压漂移较小，以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少的液晶显示器下基板的制备方法。一种液晶显示器下基板的制备方法，包括如下步骤：提供玻璃基板；在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；在所述栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；在所述栅极氮化硅层上形成栅极；在所述栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；在所述过孔内形成源漏电极。在其中一个实施例中，所述第一多晶硅层的厚度大于所述第二多晶硅层的厚度。在其中一个实施例中，所述第一多晶硅层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为在其中一个实施例中，所述将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层采用化学气相沉积法进行，其中，氧气流量为1000sccm～2000sccm，腔室压强为50500Pa～151500Pa，温度为400～600℃，反应时间为30S～90S。在其中一个实施例中，所述采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层采用干法刻蚀进行，其中，CF4流量为100sccm～300sccm，氧气流量为50sccm～300sccm，腔室压强为10Pa～30Pa，电源功率为800W～1000W。在其中一个实施例中，所述采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层采用干法刻蚀进行，其中，C2HF5流量为200sccm～400sccm，氢气流量为100sccm～200sccm，氧气流量为100sccm～200sccm，腔室压强为10Pa～20Pa，电源功率为300W～800W。在其中一个实施例中，所述采用HF刻蚀栅极氧化硅层采用湿法刻蚀进行。在其中一个实施例中，所述在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层的步骤之前，还包括如下步骤：在所述玻璃基板上形成保护绝缘层。在其中一个实施例中，所述在所述过孔内形成源漏电极的步骤之后，还包括如下步骤：在所述源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层。在其中一个实施例中，所述在所述源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层的步骤之后，还包括如下步骤：刻蚀所述平坦化层后，形成与所述漏电极连接的像素电极。上述液晶显示器下基板的制备方法通过将第二多晶硅层直接氧化形成栅极氧化硅层，且改进了过孔的刻蚀方法，如此，可以使液晶显示器下基板的平带电压漂移较小、以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。此外，改进后的过孔刻蚀工艺也较简单，过孔品质较高。附图说明图1为传统液晶显示器下基板的局部结构示意图；图2为本专利技术一实施方式的液晶显示器下基板的制备方法流程图；图3～图12是本专利技术实施例1的液晶显示器下基板的制备过程中的各个阶段的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。如图2所示，本专利技术一实施方式的液晶显示器下基板的制备方法包括如下步骤：S110：提供玻璃基板。在实际应用中，该玻璃基板需要具有高的透明度、较低的反射率、较好的热稳定性和抗腐蚀性、较高的机械强度和较好的机械加工特性，此外，该玻璃基板还需要具有良好的电绝缘性。优选的，玻璃基板为不含碱离子的硼硅酸盐玻璃或无碱硅酸铝玻璃等。为了进一步保护后续在玻璃基板上形成的多晶硅层，以防止玻璃基板内的金属离子在多晶硅层的沉积过程中进入多晶硅层内，例如，在玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层的步骤之前，还包括如下步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供玻璃基板；在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；在所述栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；在所述栅极氮化硅层上形成栅极；在所述栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；在所述过孔内形成源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将所述第二多
晶硅层氧化为栅极氧化硅层；
在所述栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；
在所述栅极氮化硅层上形成栅极；
在所述栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；
采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所
述栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；
在所述过孔内形成源漏电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所
述第一多晶硅层的厚度大于所述第二多晶硅层的厚度。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所
述第一多晶硅层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为4.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所
述将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层采用化学气相沉积法进行，其中，
氧气流量为1000sccm～2000sccm，腔室压强为50500Pa～151500Pa，温度为
400～600℃，反应时间为30S～90S。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所
述采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层采用干法刻蚀进行，其中，CF4流量为100
sccm～300sccm...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，张毅先，任思雨，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44