载体和用于加工载体的方法技术

本发明专利技术的各个实施例涉及载体和用于加工载体的方法。根据本发明专利技术的各种实施例，可以提供一种载体，该载体包括：中空腔室，与载体的表面间隔开来；沟槽结构，从载体的表面延伸至该中空腔室并且横向环绕载体的第一区域，沟槽结构包括从载体的表面延伸至中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿该一个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中该一个或多个支撑结构包括电绝缘材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各种实施例大体上涉及。
技术介绍
一般来说，在微电子学、微系统学、生物医学以及其它领域中，存在针对薄芯片或超薄芯片的各种应用，这类芯片形成在例如具有在约几十微米范围内的厚度的载体上。另夕卜，可以利用各种工艺来在载体中设置电隔离区域。常用工艺例如可以允许形成所谓的绝缘体上硅(SOI)结构或悬空硅(SON)结构，其中薄硅区域可以与载体分隔。该绝缘体上硅技术例如可以包括在载体内形成掩埋氧化物层(buried oxide layer)，从而设置在掩埋氧化物层之上的电隔离薄硅区域。悬空硅结构可以通过以硅技术构造所谓的真空空间(emptyspace)来设置。然而，首先，实施用于制造电隔离载体区域的常用工艺，首先可能例如需要承担用于在载体中设置特定结构的高成本，其次复杂工艺可能倾向于发生错误从而导致例如缺陷结构。
技术实现思路
根据本专利技术的各种实施例，可以提供一种载体，该载体包括:中空腔室(hollowchamber)，与载体的表面间隔开来；沟槽结构，从载体的表面延伸至该中空腔室并且横向环绕载体的第一区域，沟槽结构包括从载体的表面延伸至该中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿(intersect) —个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中该一个或多个支撑结构包括电绝缘(electrically insulating)材料。【附图说明】在附图中，相似参考符号贯穿不同附图大体上指相同的部分。附图并不必按比例绘制，而是将重点大体上放在说明本专利技术的原理方面。在以下描述中，本专利技术的各种实施例是参考附图进行描述，在附图中:图1A示出根据本专利技术的各种实施例的载体的示意性截面图或侧视图；图1B示出根据本专利技术的各种实施例的载体的示意性俯视图；图1C示出根据本专利技术的各种实施例的载体的示意性截面图或侧视图；图1D示出根据本专利技术的各种实施例的载体的示意性俯视图；图1E示出根据本专利技术的各种实施例的载体的示意性截面图或侧视图；图2A至图2E分别示出根据本专利技术的各种实施例的载体的俯视图；图2F示出根据本专利技术的各种实施例的载体的扫描电子显微镜图像(SEM图像)；图3示出根据本专利技术的各种实施例的一种用于加工载体的方法的示意性流程图；图4A和图4B分别示出根据本专利技术的各种实施例在加工期间的载体的截面图或侧视图；图5A至图5C分别示出根据本专利技术的各种实施例在加工期间的载体的截面图或侧视图；图6A和图6B分别示出根据本专利技术的各种实施例在加工期间的载体的截面图或侧视图；以及图7示出根据本专利技术的各种实施例的一种用于加工载体的方法的示意性流程图。【具体实施方式】以下详细描述涉及以说明性方式示出特定细节和其中可以实践本专利技术的实施例的附图。本文中使用的词语“示例性”意指“用作示例、实例或者例示”。在本文中任何实施例或设计被描述为“示例性”并不一定被理解为要比其它实施例或设计优选或有利的。本文中使用的关于形成在一侧或表面“之上”的沉积材料或者将层沉积在载体“之上”而使用的词语“之上”，可以意指沉积材料可以“直接”形成在暗示的侧、表面或者载体“上”，例如与暗示的侧、表面或者载体直接接触。本文中使用的关于形成在一侧或表面“之上”的沉积材料或者将层沉积在载体“之上”而使用的词语“之上”，可以意指沉积材料可以通过使用布置在暗示的侧、表面或者载体与沉积材料之间的一个或多个另外的层，“间接”形成在暗示的侧、表面或者载体“上”。本文中使用的关于结构(或者载体)的“横向”延伸、“横向”方向、或者“横向”相邻而使用的术语“横向”，可以意指沿平行于载体的表面的方向延伸、或者平行于载体的表面的方向。这意味着，载体的表面(例如，衬底的表面、或者晶片的表面)可以用作参考，通常称作载体的主要加工表面(或者另一类型载体的主要加工表面)。另外，本文中使用的关于结构的(或者结构元件例如空腔例如中空腔室的)“宽度”而使用的“宽度”，可以意指结构的横向延伸。另外，本文中关于结构的(或者结构元件的)“高度”而使用的“高度”，在这里可以用于意指沿垂直于载体表面的方向(例如，垂直于载体的主要加工表面)的结构延伸。另外，本文中使用的关于凹槽(recess)的(或者结构元件的)“深度”而使用的“深度”，可以意指沿垂直于载体的表面的方向(例如，垂直于载体的主要加工表面)的凹槽(或者结构元件)延伸。另外，“竖直”结构可以指在垂直于横向方向的方向(例如，垂直于载体的主要加工表面)上的结构延伸，并且“竖直”延伸可以指沿垂直于横向方向的方向的延伸(例如，垂直于载体的主要加工表面的延伸)。本文中使用的关于覆盖结构(或者结构元件)的沉积材料而使用的词语“覆盖”，可以意指沉积材料可以完全覆盖结构(或者结构元件)，例如覆盖结构的所有暴露的侧以及表面。本文中使用的关于覆盖结构(或者结构元件)的沉积材料而使用的词语“覆盖”，可以意指沉积材料可以至少部分地覆盖结构，例如材料可以至少部分地覆盖结构的暴露的侧和表面。根据本专利技术的各种实施例，中空腔室可以例如还用材料填充，例如，在硅晶片中的中空腔室可以被填充有或者部分被填充有氧化硅。因此，本文中使用的关于“中空”腔室而使用的术语“中空”，可以意指中空腔室本身(例如空腔，例如空隙，例如中空结构)可以不含材料。然而，中空腔室可以部分被填充有填充材料，或者可以完全被填充有填充材料。就此而言，中空腔室可以部分被填充有或者完全被填充有除设置中空腔室的材料外的另一材料。根据本专利技术的各种实施例，如本文中所描述的形成层(例如，沉积层、沉积材料和/或实施形成层的工艺(layering process))也可包括形成层，其中该层可以包括各种子层，由此不同子层可以分别包括不同材料。换句话说，各种不同子层可以被包括在层中，或者各种不同区域可以被包括在沉积层中以及/或者在沉积材料中。根据本专利技术的各种实施例，如本文中所描述的，一种用于加工载体的方法可以包括几项基础半导体制造技术，该制造技术可以在总体加工工艺中使用至少一次、或者在载体加工期间至少一次中使用至少一次。以下对基础技术的描述应理解为说明性的示例，这些技术可以被包括在本文所描述的工艺中。示例性描述的基础技术可以并不一定需要被解释为比其它技术或者方法优选或有利，因为它们仅仅用于说明一个或多个实施例可以如何实践。为了简略起见，对示例性描述的基础技术的说明可以仅是短的概述，并且不应被认为是详尽的说明。根据本专利技术的各种实施例，形成层工艺(或者形成层)可以被包括在用于加工载体的一种方法中或者本文中描述的另一工艺或方法中。根据本专利技术的各种实施例，在形成层工艺中，可以通过使用沉积技术来将层沉积在表面之上(例如，在载体之上、在晶片之上、在衬底之上、在另一个层之上等等)，沉积技术可以包括化学气相沉积(CVD或者CVD工艺)以及物理气相沉积(PVD或者PVD工艺)(形成层工艺可以因此包括沉积材料)。根据本专利技术的各种实施例，沉积层的厚度可以在几纳米直至几微米的范围内，这取决于其特定的功能。另外，根据本专利技术的各种实施例，层可以包括电学上绝缘的材料、电学上半导电的材料(electrically semiconducting material)和电学上导电的材料中的至少一种，这取决于层的相应特定功能。根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载体，包括：中空腔室，与所述载体的表面间隔开；以及沟槽结构，从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室并且横向环绕所述载体的第一区域，所述沟槽结构包括从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿所述一个或多个沟槽并且将所述载体的所述第一区域与所述载体在所述沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中所述一个或多个支撑结构包括电绝缘材料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·比塞尔特，
申请(专利权)人：英飞凌技术德累斯顿有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE