【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多层石墨烯薄膜的等离子体增强化学气相沉积制备法，其特征在于该方法至少包括以下步骤： 步骤一 在石英或玻璃衬底上沉积SiC纳米薄膜：以SiC陶瓷为溅射靶材，采用射频磁控溅射方法在石英或玻璃衬底上镀上一层2‑5nm厚的非晶SiC纳米薄膜，石英或玻璃衬底的温度控制在400‑500摄氏度； 步骤二 多层石墨烯薄膜的制备： 以步骤一所得的石英或玻璃衬底上的非晶SiC纳米薄膜为缓冲层，采用等离子体增强化学气相沉积制备法直接在为缓冲层上在沉积多层石墨烯薄膜，沉积温度控制在450‑950摄氏度，所得的多层石墨烯薄膜薄膜厚度均匀，可见光透过率较高。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭正，
申请(专利权)人：浙江汉脑数码科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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