【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于生长外延晶体的半导体衬底，其特征在于：包括基层、与所述基层一体成形的应力释放层，所述应力释放层包括若干通过激光蚀刻形成于所述基层表面的纳米结构的凸起，相邻的所述凸起之间的距离小于10纳米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：阿列克谢·伊瓦诺夫，朱廷刚，伊迪亚·乔德瑞，苗操，王科，王东盛，张葶葶，魏鸿源，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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