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石墨烯/二氧化钛薄膜气敏传感器及其制备方法技术

技术编号:11544843 阅读:86 留言:0更新日期:2015-06-03 18:31
本发明专利技术公开了一种石墨烯/二氧化钛薄膜气敏传感器及其制备方法。它是以石英晶体微天平(QCM)为基片,采用层层自组装石墨烯/二氧化钛纳米复合物的方法制成气体敏感薄膜,经热处理除去水分子后,制得石墨烯/二氧化钛复合物敏感膜气敏元件。其气体敏感薄膜是由石墨烯片层和二氧化钛纳米晶体颗粒复合物所组成。其中石墨烯具有很大的比表面积,而纳米结构的二氧化钛晶体能够极大的提高元件的室温气敏响应。该方法制备工艺简单,成本低,尤其适用于批量生产。所制备的气敏元件对烷烃和氨气具有很高响应灵敏度,很好的回复性,能在室温下检测等特点,可广泛应用于工农业生产过程及大气环境中低浓度有毒气体的精确测量与控制。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种石墨烯/二氧化锡复合薄膜气敏元件,其特征在于:以石英晶体微天平(QCM)基底,在QCM基底表面上蒸发、光刻金电极,在金电极上连接有引线,在QCM基体和金电极表面上涂覆有气敏薄膜,气敏薄膜为石墨烯和二氧化钛的复合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王俊崔绍庆
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江;33

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