【技术实现步骤摘要】 【国外来华专利技术】
【技术保护点】 一种器件，包括：半导体；衬底；和附着在所述半导体和所述衬底之间以吸收所述半导体和所述衬底之间的应力的插入器。
【技术特征摘要】 【国外来华专利技术】
【专利技术属性】 技术研发人员：RG沃姆斯利，Z张，J吴，SA伯纳德，SJ乔伊， 申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业， 类型：发明 国别省市：美国;US
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