一种车载过欠压保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种用于车载安防产品的主模块供电保护电路，尤其涉及一种车载过欠压保护电路，所述车载过欠压保护电路包括:车载电源；电压比较器U1；电压比较器U2；主模块；MOSFET管Q1；MOSFET管Q3；电阻R1、电阻R2；阻R3、电阻R4。通过比较器的输出来对P沟道MOSFET进行通断控制，通过主干线二极管获得多路电平值，电路简单，成本较低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种车载过欠压保护电路，其特征在于：所述车载过欠压保护电路包括:车载电源,所述车载电源为所述保护电路提供电压；电压比较器U1，用于获取和比较所述车载电源是否过压；电压比较器U2，用于获取和比较所述车载电源是否欠压；主模块，即需要获得电压的电路或者用电器的总成；MOSFET管Q1，该MOSFET管Q1的漏极和源极串联在所述车载电源和所述主模块之间，所述MOSFET管Q1的栅极连接所述电压比较器U1；MOSFET管Q3，该MOSFET管Q3的漏极和源极串联在所述车载电源和所述主模块之间，所述MOSFET管Q3的栅极连接所述电压比较器U2；电阻R1、电阻R2，所述电阻R1和所述电阻R2串联，配合所述车载电源和接地端组成分压电路，所述电阻R1和所述电阻R2之间还包括节点V1，所述电压比较器U1的参考电压比较端连接所述电阻R1和所述电阻R2之间的节点V1；电阻R3、电阻R4，所述电阻R3和所述电阻R4串联，配合所述车载电源和接地端组成分压电路，所述电阻R3和所述电阻R4之间还包括节点V2，所述电压比较器U2的参考电压比较端连接所述电阻R3和所述电阻R4之间的节点V2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭应锋，杨金玲，朱月，
申请(专利权)人：深圳市航盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44