优化射频单极双投开关的隔离及插入损耗制造技术

一种单极双投SPDT开关(200)制造于集成电路IC上且可包括两个射频RF开关装置(112,114)，所述两个射频开关装置中的每一者具有耦合于相应RF开关装置与共用节点(102)之间的单独DC阻断电容器。在所述两个RF开关装置之间使用细导电线(224)提供DC连接。此细导电线提供所述两个RF开关装置之间的增大的隔离及减小的插入损耗。通过在符合阻抗匹配条件时通过所述细导电线的特性阻抗调谐所述线而实现所述增大的隔离和/或减小的插入损耗。通过使用进一步降低细电线电感的两个或两个以上细导电线可实质上降低在所述SPDT开关中的非所要电路谐振。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及射频(RF)装置，且特定来说，涉及优化在所述RF装置的集成电路RF前端模块(FEM)中使用的射频单极双投开关的隔离及插入损耗的方式。
技术介绍
用于单极双投(STOT)开关的RF集成电路(IC)设计的微型化使维持制造于IC上的RF开关的良好隔离及低插入损耗变得困难。参考图1，描绘制造于集成电路IC上的现有技术单极双投(SroT) RF开关。此现有技术SPDT RF开关包括第一节点102、第二节点104及第三节点106。可使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) RF开关112及114执行节点102与104之间或节点102与106之间的开关动作。所述MOSFET RF开关为使用DC阻断电容器110、116及118分别从节点102、104及106阻断的直流电(DC)电压。由MOSFET RF开关112及114 二者共享DC阻断电容器110，其中由电容器110的板提供两个MOSFET RF开关112与114之间的DC连接。此类型的DC物理连接导致MOSFETRF开关112与114之间的较差RF信号隔离，从而导致节点104与106之间的较差RF信号隔离。
技术实现思路
因此存在改善制造于集成电路裸片上的RF开关的节点之间的RF信号隔离的方式的需求。根据一实施例，射频(RF)单极双投(STOT)开关可包括:第一节点；第一 RF开关装置；第二 RF开关装置；第一直流电(DC)阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一 RF开关装置之间；第二 DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二 RF开关装置之间；第二节点；第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一 RF开关装置之间；第三节点；第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二 RF开关装置之间；及细导电线，其具有耦合于所述第一 DC阻断电容器与所述第一 RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二 DC阻断电容器与所述第二 RF开关装置之间的其的第二末端，其中所述细导电线在所述第一 RF开关装置与所述第二 RF开关装置之间提供DC路径。根据再一实施例，所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据再一实施例，所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互补金属氧化物半导体(CMOS)MOSFET?根据再一实施例，所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置在吉赫(gigahertz)频率下操作。根据再一实施例，所述细导电线的宽度可约为四微米。根据再一实施例，所述细导电线的长度可经调整以用于所述第二节点与所述第三节点之间的最佳隔离。根据再一实施例，所述细导电线的长度可经调整以降低所述第一节点与所述第二节点之间及所述第一节点与所述第三节点之间的插入损耗。根据再一实施例，所述RF SPDT开关可制造于集成电路裸片上。根据另一实施例，射频(RF)单极双投(STOT)开关可包括:第一节点；第一 RF开关装置；第二 RF开关装置；第一直流电(DC)阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一RF开关装置之间；第二 DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二 RF开关装置之间；第二节点；第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一 RF开关装置之间；第三节点；第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二 RF开关装置之间；及第一细导电线及第二细导电线，其具有耦合于所述第一 DC阻断电容器与所述第一 RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二 DC阻断电容器与所述第二 RF开关装置之间的其第二末端，其中所述第一细导电线及所述第二细导电线在所述第一 RF开关装置与所述第二RF开关装置之间提供DC路径。根据再一实施例，所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据再一实施例，所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互补金属氧化物半导体(CMOS)MOSFETo根据再一实施例，所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置在吉赫频率下操作。根据再一实施例，所述第一细导电线及所述第二细导电线中的每一者的宽度可约为四微米。根据再一实施例，所述第一细导电线及所述第二细导电线的长度可经调整以用于所述第二节点与所述第三节点之间的最佳隔离、所述第一节点与所述第二节点之间的降低插入损耗及所述第一节点与所述第三节点之间的降低插入损耗。根据再一实施例，所述RFSPDT开关可制造于集成电路裸片上。根据又另一实施例，射频(RF)单极双投(STOT)开关可包括:第一节点；第一 RF开关装置；第二 RF开关装置；第一直流电(DC)阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一 RF开关装置之间；第二 DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二 RF开关装置之间；第二节点；第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一 RF开关装置之间；第三节点；第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二 RF开关装置之间；及多个细导电线，其具有耦合于所述第一 DC阻断电容器与所述第一 RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二DC阻断电容器与所述第二 RF开关装置之间的其第二末端，其中所述多个细导电线在所述第一 RF开关装置与所述第二 RF开关装置之间提供DC路径。根据再一实施例，所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据再一实施例，所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互补金属氧化物半导体(CMOS)MOSFETo根据再一实施例，所述第一 RF开关装置及所述第二 RF开关装置在吉赫频率下操作。根据再一实施例，所述第一细导电线及所述第二细导电线中的每一者的宽度可约为四微米。根据再一实施例，所述多个细导电线的长度可经调整以用于所述第二节点与所述第三节点之间的最佳隔离、所述第一节点与所述第二节点之间的降低插入损耗及所述第一节点与所述第三节点之间的降低插入损耗。根据再一实施例，所述RF SPDT开关可制造于集成电路裸片上。【附图说明】可通过参考结合附图进行的下列描述获得本专利技术的更完全理解，在附图中:图1说明制造于集成电路IC上的现有技术单极双投(SroT)开关的示意图；图2说明根据本专利技术的特定实例实施例的制造于集成电路(IC)上的单极双投(SPDT)开关的不意图；图3说明根据本专利技术的另一特定实例实施例的制造于集成电路(IC)上的单极双投(sroT)开关的示意图；图4说明根据本专利技术的特定实例实施例的2G单极双投(STOT)开关及5G单极双投(STOT)开关及2G/5G双工器的示意性框图；图5说明根据本专利技术的特定实例实施例的在图4中展示的2G单极双投(STOT)开关的更详细示意图；以及图6说明根据本专利技术的特定实例实施例的在图4中展示的5G单极双投(STOT)开关的更详细示意图。虽然本专利技术易于有多种修改及替代形式，但其特定实例实施例已在图式中展示且在此处详细描述。然而，应理解，此处的特定实例实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频RF单极双投SPDT开关，其包括：第一节点；第一RF开关装置；第二RF开关装置；第一直流电DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一RF开关装置之间；第二DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二RF开关装置之间；第二节点；第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一RF开关装置之间；第三节点；第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二RF开关装置之间；以及细导电线，其具有耦合于所述第一DC阻断电容器与所述第一RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二DC阻断电容器与所述第二RF开关装置之间的其的第二末端，其中所述细导电线在所述第一RF开关装置与所述第二RF开关装置之间提供DC路径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：永林·柯，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US