一种能大幅降低谐振频率的谐振腔制造技术

技术编号:11531337 阅读:81 留言:0更新日期:2015-06-01 02:15
本实用新型专利技术公开了一种能大幅降低谐振频率的谐振腔,包括腔体和盖板,腔体内部掏空,腔体顶部由盖板密封,腔体内部设置有介电常数大于1的介质块。本实用新型专利技术在降低滤波器高度的同时维持单腔横向尺寸不变,通过介质加载大幅降低了谐振腔的谐振频率。在滤波器的小型化中,当横向尺寸的缩小已趋于饱和的情形下,通过降低纵向尺寸来缩小体积成为一种可能。而纵向尺寸的降低必然导致谐振腔频率的上升。通过介质加载来抵消因降低高度导致的频率上升,从而维持了谐振腔的谐振频率,在滤波器的小型化中起到了极其重要的作用。

【技术实现步骤摘要】

本技术设及滤波器
,具体地指一种能大幅降低谐振频率的谐振腔
技术介绍
滤波器的设计主要包括谐振频率和禪合的设计,现有技术中,谐振单腔频率的设 计主要通过均匀阻抗谐振器UIR实现或介质谐振器实现。实际中为降低谐振频率,通过对 UIR采用电容加载的阶跃阻抗谐振器SIR实现。 随着通信技术的发展,滤波器逐渐向小型化、低成本、高性能和高集成发展。在W 前的设计中,滤波器的小型化主要体现在横截面积的缩小上,目前横截面积的缩小已基本 趋于饱和,为了进一步降低体积,只能采取降高度的方式。然而直接降低高度,会存在W下 问题: 1、若要保持原来的频率,则单腔横向尺寸需要增加,该样使滤波器小型化的方案 得不偿失; 2、若维持单腔横向尺寸不变,必然导致单腔谐振频率的快速升高,为降低谐振频 率,必然会采取减小谐振杆外直径、增大谐振杆圆盘直径或增加谐振腔内部件的纵向高度 等措施。 对于频率较低的滤波器,如700MHz频段的LTE滤波器,该些措施容易使金属部件 间距太小,从而导致在高低温或温循时电气不良或批量生产困难;有时甚至无法将频率降 低到要求值,因此,通过降低滤波器的高度来达到滤波器小型化的目的给设计带来了较大 的挑战。
技术实现思路
本技术的目的就是要解决上述
技术介绍
的不足,提供一种结构简单,使用方 便且能大幅降低谐振频率的谐振腔。[000引本技术的技术方案为;一种能大幅降低谐振频率的谐振腔,包括腔体和盖板, 所述腔体内部掏空,所述腔体顶部由盖板密封,其特征在于:所述腔体内部设置有介电常数 大于1的介质块。 优选地,所述介质块设置在所述腔体的底部与所述盖板之间。 优选地,所述腔体的底部设有台阶,所述介质块设置在所述台阶与所述盖板之间。 优选地,所述腔体的底部设有谐振杆,所述介质块设置在所述谐振杆与所述盖板 之间。 优选地,所述腔体的底部从下至上依次设有台阶和谐振杆,所述介质块设置在所 述谐振杆与所述盖板之间。 进一步地,所述介质块的上表面与所述盖板接触或不接触,所述介质块的下表面 与用于固定所述介质块的构件接触,并固定设置在所述构件上。 更近一步地,所述介质块为所述谐振杆的圆盘。 更近一步地,所述介质块的上表面和下表面覆盖有金属层;所述介质块上表面还 设有金属化的薄垫片或薄盖板。 优选地,用于固定所述介质块的构件顶部设有一圈或两圈第一凸起,所述第一凸 起对应设置在所述介质块径向外侧、内侧或两侧。 优选地,用于固定所述介质块的构件顶部设有若干个第二凸起,所述介质块下表 面设置有若干个与所述第二凸起相匹配的凹槽。 优选地,所述介质块为所述谐振杆的圆盘 本技术在降低滤波器高度的同时维持单腔横向尺寸不变,通过介质加载大幅 降低谐振腔的频率来抵消因降低高度导致的频率上升,从而维持了谐振腔的谐振频率,在 滤波器的小型化中起到了极其重要的作用。且因介质块一般较薄,烧结使用的介质材料比 烧结一般介质滤波器的谐振杆少得多,故相应的也可降低成本。【附图说明】 图1为本技术的结构正视图; 图2为图1的俯视图;[002引图3为介质块设置在腔体的内壁底部与盖板之间时,图2中A-A剖面示意图; 图4为介质块设置在台阶与盖板之间时,图2中A-A剖面示意图; 图5为介质块设置在谐振杆与盖板之间时,图2中A-A剖面示意图; 图6为在腔体内有台阶和谐振杆,介质块设置在谐振杆与盖板之间时,图2中A-A 剖面示意图; 图7为第一凸起在介质块径向外侧局部放大示意图; 图8为第一凸起在介质块径向内侧局部放大示意图;[002引图9为第一凸起在介质块径向两侧局部放大示意图; 图10为构件顶部的第二凸起与介质块4底面凹槽配合时局部放大示意图; 图11为谐振杆的圆盘采用介质材料制成时,谐振腔的结构示意图。【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。 我们知道,滤波器谐振单腔的谐振频率可W表示为/ = I/(2/tVZ。,其中L和C分 别表示谐振单腔的等效电感和等效电容,等效电容由平行板电容和其它间隙电容并联组 成。平行板电容可W表示为c= es/d。本实施例通过介质加载,将平行板之间介质的介电 常数由真空中1增大到远大于真空的介电常数e,在不改变其它条件的同时,其它并联间 隙电容不变,增加了平行板之间的电容C',从而降低了谐振单腔的谐振频率。通过增大介 质块的介电常数,理论上可W最多成倍的降低介质单腔的谐振频率。 参考附图,为了达到降低谐振腔的谐振频率的目的,本实施例一种能大幅降低谐 振频率的谐振腔,包括腔体1和盖板5,腔体1内部掏空,腔体1顶部由盖板5密封,盖板5 的中部沿轴向被调谐螺杆6穿过,调谐螺杆6的尾部设置有紧固螺母9,调谐螺杆6的头部 进入到腔体1内,实际中,紧固螺母9主要为使调谐螺杆6紧固,调节螺杆6在实际中起到 频率的微调作用。本技术的创新点在于,在腔体1内部设置有介电常数大于1的介质 块4,介质块4可W由介电常数大于1的介质材料制成或由多种不同介电常数大于1的介 质材料做成的介质分块叠加而成。本技术通过在谐振腔中加载介电常数大于1的介质 块4,可大幅降低谐振频率,来抵消因降低高度导致的频率上升的问题,从而维持了谐振腔 的谐振频率,在滤波器的小型化中起到了极其重要的作用。 介质块4在腔体1内部的安装方式为; 1、参考图3,介质块4直接设置在腔体1的底部与盖板5之间当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能大幅降低谐振频率的谐振腔,包括腔体(1)和盖板(5),所述腔体(1)内部掏空,所述腔体(1)顶部由盖板(5)密封,其特征在于:所述腔体(1)内部设置有介电常数大于1的介质块(4)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许建军朱晖
申请(专利权)人:武汉凡谷电子技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:湖北;42

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