【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种III族半导体发光器件，其特征在于，该发光器件包括：自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，并构成凸台，其中，所述凸台的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；所述凸台表面上还设有N型线电极，所述N型线电极下方的有源层为被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层为被部分蚀刻掉，所述N型线电极还连接有N型焊盘，该N型焊盘位于所述有源层上方，所述N型线电极与所述N型焊盘组成N型电极；所述发光器件还包括P型电极，包括：P型焊盘与P型线电极，该P型电极位于所述凸台上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许顺成，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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