一种空气中稳定的钙钛矿薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法，包括两种方案：方案一：配制IV、VII族化合物溶液；将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，形成第一薄溶液层；采用气体将之吹干，形成第一薄膜；配制甲基卤化铵溶液，将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至第一薄膜表面，化学反应形成第二薄溶液层；采用气体将之吹干成膜；将薄膜加热烘干或者退火，得到钙钛矿薄膜。方案二：配制IV、VII族化合物和甲基卤化铵两种或多种混合溶液；将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，形成薄溶液层；采用气体将之吹干成膜；将薄膜加热烘干或者退火，得到钙钛矿薄膜。本发明专利技术提供的制备方法，步骤简单，工艺参数方便控制，适宜大面积规模化流水线生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：配制IV、VII族化合物溶液；步骤2：将配制的IV、VII族化合物溶液喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，在衬底表面形成第一薄溶液层；步骤3：采用气体将衬底表面的第一薄溶液层吹干，形成第一薄膜；步骤4：配制甲基卤化铵CH3NH3X溶液，将配制的甲基卤化铵CH3NH3X溶液喷淋、滴定、旋涂或印刷至第一薄膜表面，甲基卤化铵CH3NH3X溶液与第一薄膜发生化学反应，形成第二薄溶液层；步骤5：采用气体将第二薄溶液层吹干，形成化合物薄膜；步骤6：将化合物薄膜加热烘干或者退火，得到所需的钙钛矿薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄芳，袁国栋，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11