一种HIT太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种HIT太阳能电池，其包括：N型单晶硅片，所述N型单晶硅片上设有电极汇流孔；依序设在N型单晶硅片受光面和电极汇流孔内壁上的本征非晶硅钝化膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；依序设在N型单晶硅片背光面的本征非晶硅钝化膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别设在N型单晶硅片受光面的透明导电膜层和电极汇流孔内壁的透明导电膜层上的第一金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面的透明导电膜层上的第二金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面电极汇流孔的出口处的金属主栅线电极，所述金属主栅线电极与电极汇流孔内壁的第一金属栅线电极相连接。本实用新型专利技术增加太阳能电池组件的发电量，增加了光的利用率，提高了电池短路电流。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池
，尤其涉及一种HIT太阳能电池。
技术介绍
高效率、低成本一直是光伏产业追求的目标。对太阳电池而言，光学损失是阻碍太阳电池效率提高的重要障碍之一。目前，尽管通过在电池受光面表面增加减反膜层和减反射结构，可以有效降低太阳电池表面的光反射，但是由于在电池受光面印刷有金属栅线电极进行电流收集，仍然导致一部分光被金属栅线电极遮挡而无法被电池吸收。因此，在光伏业内部分公司已经提出采用背接触式电极的电池电池结构以解决金属栅线电极遮光的问题。但是，对于传统双面受光的HIT电池结构，采用背接触式电极使电池背面无法接受反射光，降低了组件的发电量。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种一种HIT太阳能电池。其减少传统双面受光HIT电池受光面金属主栅线对光的遮挡，提高电池短路电流。为实现上述目的，本技术采用以下设计方案:一种HIT太阳能电池，其包括:N型单晶娃片，所述N型单晶娃片上设有电极汇流孔；分别依序设在N型单晶硅片受光面和电极汇流孔内壁上的本征非晶硅钝化膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；依序设在N型单晶硅片背光面的本征非晶硅钝化膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别设在N型单晶硅片受光面的透明导电膜层和电极汇流孔内壁的透明导电膜层上的第一金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面的透明导电膜层上的第二金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面电极汇流孔的出口处的金属主栅线电极，所述金属主栅线电极与电极汇流孔内壁的第一金属栅线电极相连接。优选的，所述电极汇流孔的直径为200 μ m-1500 μ m ；优选的，所述透明导电膜层厚度为80nm?120nm。优选的，所述第一金属栅线电极和第二金属栅线电极的宽度为40 μπι?100 μπι。优选的，所述第一金属栅线电极和第二金属栅线电极正交垂直。优选的，所述金属主栅线电极为Ag金属主栅线电极。本技术采用以上设计方案，在电池的受光面无金属主栅线电极，电极汇集孔将主栅电极引入到电池的背光面，减少了传统HIT电池金属主栅电极的遮光面积，同时背光面采用金属栅线电极也可以使背面反射光被电池所吸收，增加太阳能电池组件的发电量，增加了光的利用率，提高了电池短路电流。【附图说明】图1为本技术一种HIT太阳能电池的结构示意图；图2中a-h为本技术HIT太阳能电池制作流程示意图；图3中a-b为本技术HIT太阳能电池两面电极分布示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所述，本技术所述的一种HIT太阳能电池，其包括:N型单晶娃片I，所述N型单晶娃片I上设有电极汇流孔8 ；分别依序设在N型单晶硅片I受光面和电极汇流孔8内壁上的本征非晶硅钝化膜层2、P型掺杂非晶硅层3和透明导电膜层5 ;依序设在N型单晶硅片I背光面的本征非晶硅钝化膜层2、N型掺杂非晶硅层4和透明导电膜层5;分别设在N型单晶硅片I受光面的透明导电膜层5和电极汇流孔内壁8的透明导电膜层5上的第一金属栅线电极6 ;设在N型单晶硅片I背光面的透明导电膜层5上的第二金属栅线电极7 ;设在N型单晶硅片I背光面电极汇流孔的8出口处的金属主栅线电极9，所述金属主栅线电极9与电极汇流孔8内壁的第一金属栅线电极6相连接。其中，所述电极汇流孔8的直径为200 μ m-1500 μ m ;所述透明导电膜层5厚度为80nm?120nm。所述第一金属栅线电极6和第二金属栅线电极7的宽度为40 μπι?100 μπι。所述第一金属栅线电极6和第二金属栅线电极7正交垂直。所述金属主栅线电极9为Ag金属主栅线电极。如图2所示，本技术所述的HIT太阳能电池的具体制作过程可以如下:步骤1:如图2a所示，在N型单晶硅片I激光开孔，形成汇流电极孔8 ;步骤2:如图2b所示，在N型单晶硅片I的受光面和电极汇流孔8的内壁通过PECVD依次沉积本征非晶硅膜层2、P型掺杂非晶硅膜层3和磁控溅射透明导电膜5 ;步骤3:如图2c所示，在N型单晶硅片I的背光面对着电极汇流孔8的位置进行图案掩膜001 ；步骤4:如图2d所示，在N型单晶硅片I的背光面图案掩膜001开口处，通过PECVD依次沉积一层本征非晶硅膜层2、N型掺杂非晶硅膜层4和磁控溅射透明导电膜5 ;步骤5:如图2e所示，去除背光面电极汇流孔8区域的图案掩膜001 ;步骤6:如图2f所示，在受光面和背光面的透明导电膜层5上分别进行栅线电极图案掩膜002 ；步骤7:如图2g所示，在受光面透明导电膜层5上电镀第一金属栅线电极6和在背光面透明导电膜层5电镀第二金属栅线电极7，第一金属栅线电极6和第二金属栅线7的主栅线正交垂直；步骤8:如图2h所示，在背光面电极汇流孔8的开口处印刷Ag金属主栅线电极9。其中，受光面金属栅线电极分布如图3a所示，背光面金属栅线电极分布如图3b所不O以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种HIT太阳能电池，其特征在于，其包括: N型单晶硅片，所述N型单晶硅片上设有电极汇流孔； 分别依序设在N型单晶硅片受光面和电极汇流孔内壁上的本征非晶硅钝化膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层； 依序设在N型单晶硅片背光面的本征非晶硅钝化膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层； 分别设在N型单晶硅片受光面的透明导电膜层和电极汇流孔内壁的透明导电膜层上的第一金属栅线电极； 设在N型单晶硅片背光面的透明导电膜层上的第二金属栅线电极； 设在N型单晶硅片背光面电极汇流孔的出口处的金属主栅线电极，所述金属主栅线电极与电极汇流孔内壁的第一金属栅线电极相连接。2.根据权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于:所述电极汇流孔的直径为200 μ m-1500 μ mD3.据权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于:所述透明导电膜层厚度为80nm ?120nm。4.据权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于:所述第一金属栅线电极和第二金属栅线电极的宽度为40 μπι?100 μπι。5.据权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于:所述第一金属栅线电极和第二金属栅线电极正交垂直。6.据权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于:所述金属主栅线电极为Ag金属主栅线电极。【专利摘要】本技术公开了一种HIT太阳能电池，其包括：N型单晶硅片，所述N型单晶硅片上设有电极汇流孔；依序设在N型单晶硅片受光面和电极汇流孔内壁上的本征非晶硅钝化膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；依序设在N型单晶硅片背光面的本征非晶硅钝化膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别设在N型单晶硅片受光面的透明导电膜层和电极汇流孔内壁的透明导电膜层上的第一金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面的透明导电膜层上的第二金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面电极汇流孔的出口处的金属主栅线电极，所述金属主栅线电极与电极汇流孔内壁的第一金属栅线电极相连接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HIT太阳能电池，其特征在于，其包括：N型单晶硅片，所述N型单晶硅片上设有电极汇流孔；分别依序设在N型单晶硅片受光面和电极汇流孔内壁上的本征非晶硅钝化膜层、P型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；依序设在N型单晶硅片背光面的本征非晶硅钝化膜层、N型掺杂非晶硅层和透明导电膜层；分别设在N型单晶硅片受光面的透明导电膜层和电极汇流孔内壁的透明导电膜层上的第一金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面的透明导电膜层上的第二金属栅线电极；设在N型单晶硅片背光面电极汇流孔的出口处的金属主栅线电极，所述金属主栅线电极与电极汇流孔内壁的第一金属栅线电极相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨与胜，葛洪，张超华，
申请(专利权)人：泉州市博泰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35