半导体装置和用于制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底(150)，其具有第一导电型的第一区域(120)以及第一导电型的主体区域(220)，所述主体区域分别在第一区域(120)的朝向半导体衬底(150)的第一表面(110)的侧上与第一区域(120)邻接地布置并与该第一区域重叠，并具有大量布置在第一区域(120)之间的、由与第一导电型不同的第二导电型的半导体材料(425)组成的漂移区带(260)。第一区域(120)和漂移区带(260)交替地布置并且形成超结结构。半导体装置此外包括在半导体衬底中的沟槽中构造的栅极电极(215)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
半导体装置，包括：半导体衬底(150)，具有第一导电型的第一区域(120)以及第一导电型的主体区域(220)，所述主体区域分别在第一区域(120)的朝向半导体衬底(150)的第一表面(110)的侧上与第一区域(120)邻接地布置并与该第一区域重叠，并且具有大量布置在第一区域(120)之间的、由与第一导电型不同的第二导电型的半导体材料(425)组成的漂移区带(260)，其中，第一区域(120)和漂移区带(260)交替地布置并且构成超结结构，以及在半导体衬底中的沟槽中所构造的栅极电极(215)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·迈泽尔，T·施勒泽尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE