半导体发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件
本专利技术涉及一种半导体发光元件的结构。
技术介绍
发光二极管（Light-emittingDiode；LED）目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图5所示，LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以相当分量的主动层1106被移除，导致发光效率降低。此外，上述的LED更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emittingapparatus)。图6为现有的发光装置结构示意图，如图6所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED1210粘结固定于次载体1202上并使LED1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)，以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
技术实现思路
本专利技术公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。附图说明图1A为依本专利技术第一实施例的半导体发光元件结构I的示意图；图1B为依本专利技术第一实施例的半导体发光元件结构I的上视图；图2为依本专利技术第二实施例的半导体发光元件结构II的示意图；图3为依本专利技术第三实施例的半导体发光元件结构III的示意图；图4A至图4D为本专利技术的半导体发光元件的制作工艺示意图；图5为现有的LED的剖视图；图6为现有的发光装置结构示意图；图7为依本专利技术另一实施例的结构示意图；图8A为依本专利技术第一实施例的半导体发光元件结构IV的示意图；图8B为依本专利技术第一实施例的半导体发光元件结构IV的上视图。符号说明1半导体叠层53第二焊接部10主动层54接触结构11第一半导体层61第一绝缘层12第二半导体层7缝隙13第一表面8基板131突出部81成长基板1312斜边9粘结层1313平台91第一粘结层132凹部92第二粘结层14第二表面600球泡灯141凹槽602灯罩15第一侧边604透镜16第二侧边606承载部161空缺608半导体发光元件17侧边610发光模块18角落612灯座19角落614散热片2接触结构616连接部3透明导电层H垂直方向31透明层1102基板4第一电极1104n型半导体层41第一延伸部1106主动层410凹凸表面1108p型半导体层411凹凸表面a1p型电极42第一连接部a2n型电极43第一焊接部1200发光装置5第二电极1202次载体51第二延伸部1204电路511第一延伸电极1206焊料512第二延伸电极1208电连接结构52第二连接部1210LED具体实施方式第一实施例图1A为依本专利技术第一实施例的半导体发光元件结构I的示意图。根据本专利技术实施例所公开的半导体发光元件为一具有凹槽反射镜的倒装式发光二极管元件。半导体发光元件包含一半导体叠层1具有一第一表面13及一第二表面14相对于第一表面13。半导体叠层1包含一第一半导体层11，一第二半导体层12及一主动层10位于第一半导体层11及第二半导体层12之间，其中第一表面13为第一半导体层11的表面，第二表面14为第二半导体层12的表面。第一半导体层11和第二半导体层12具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素的不同以提供电子或空穴；主动层10形成在第一半导体层11和第二半导体层12之间，主动层10将电能转换成光能。通过改变半导体叠层1其中一层或多层的物理及化学组成可调整发出的光波长。形成半导体叠层1常用的材料为磷化铝镓铟(aluminumgalliumindiumphosphide,AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(aluminumgalliumindiumnitride,AlGaInN)系列、氧化锌系列(zincoxide,ZnO)。主动层10可为单异质结构(singleheterostructure,SH)，双异质结构(doubleheterostructure,DH)，双侧双异质结(double-sidedoubleheterostructure,DDH)，多层量子阱(multi-quantumwell,MWQ)。具体来说，主动层10可为中性、p型或n型电性的半导体。施以电流通过半导体叠层1时，主动层10会发光。当主动层10的材料为磷化铝铟镓（AlGaInP）系列时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光；当为氮化铝镓铟（AlGaInN）系列时，会发出蓝或绿光。本实施例中，半导体叠层1的材料为磷化铝镓铟(aluminumgalliumindiumphosphide,AlGaInP)系列。在半导体叠层1的第一表面13上具有多个突出部131与多个凹部132交互排列，每一个多个突出部131皆包含一平台1313与至少一斜边1312，斜边1312相对于凹部132的平面具有一倾斜角度θ介于15度到75度之间，突出部131相对于凹部132平面的高度介于500nm～5000nm之间。在每一个平台1313上设置至少一接触结构2与第一半导体层11欧姆接触，本实施例中，接触结构2的材料包含锗(Ge)、铍(Be)、金(Au)、镍(Ni)、钯(Pd)、锌(Zn)或其合金。在第一表面13上，一透明导电层3共形地覆盖第一表面13并与接触结构2电性接触。透明导电层3的材料包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)或磷化镓(GaP)。一第一电极4形成在第一表面13上，第一电极4包含一第一延伸部41、一第一焊接部43以及一第一连接部42，第一连接部42形成在半导体叠层1的第一侧边15上连接第一延伸部41及第一焊接部43，其中第一延伸部41共形地覆盖透明导电层3并与透明导电层3欧姆接触，由于第一延伸部41共形地覆盖透明导电层3，因此具有一凹凸表面410，第一延伸部41为具有高反射率金属所形成，用以反射主动层10所发出的光，使光从第二表面14射出，同时凹凸表面410可将反射的光更集中朝向垂直方向H。一第一绝缘层61形成在第一延伸部41及第一焊接部43之间，覆盖第一延伸部41并延伸覆盖到半导体叠层1的第二侧边16。因为第一延伸部41共型于第一表面13所形成的凹凸表面411，被第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包含：半导体叠层具有一第一表面，其中该第一表面包含多个突出部与多个凹部；第一电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接；第二电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接；以及透明导电层共形地覆盖该第一表面，且位于该第一电极与该半导体叠层之间，其中该第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，该第一延伸部位于该第一焊接部与该透明导电层之间，且共形地覆盖该透明导电层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，包含：半导体叠层具有一第一表面、一第二表面相对于该第一表面以及一侧边，其中该第一表面包含多个突出部与多个凹部；第一电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接；第二电极位于该第一表面上与该半导体叠层电连接且包含一连接部位于该侧边；以及透明导电层共形地覆盖该第一表面，且位于该第一电极与该半导体叠层之间，其中该第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，该第一延伸部位于该第一焊接部与该透明导电层之间，且共形地覆盖该透明导电层。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含一绝缘层覆盖该第一延伸部以及该侧边，且位于该第一延伸部与该第一焊接部之间。3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该第一电极还包含一连接部电连接该第一焊接部与该第一延伸部。4.如权利要求3所述的半导体发光元件，该第一电极的该连接部位于该半导体叠层的另一侧边相对于该侧边。5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中每一个所述多个突出部包含一平台与一斜边，且该斜边具有一角度介于15度与...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡名，杨宗宪，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71