本发明专利技术提供一种釉面陶瓷砖生产工艺及其生产系统,该釉面陶瓷砖生产工艺在施釉后对坯体进行二次烘干,有效地减少了产品爆坯和裂纹等问题,提高了釉面陶瓷砖产品的成品率。该釉面陶瓷砖生产系统在施釉线与窑炉之间增加了一个二次烘干窑和一个露天平台,二次烘干窑的热源来自于窑炉急冷段和缓冷段的余热,二次烘干窑内的水汽通过窑炉的排烟段抽出,该露天平台隔断了二次烘干窑与排烟段之间温度联系,同时有助于二次烘干窑水汽的排出。该生产系统提高了釉面陶瓷砖的成品率,降低了能耗。
【技术实现步骤摘要】
一种釉面陶瓷砖生产工艺及其生产系统
本专利技术涉及一种釉面陶瓷砖生产工艺及其生产系统。
技术介绍
日常使用的陶瓷器,表面通常有一层具有油状光泽的釉面。陶瓷的釉面可被赋予丰富的图案与色彩,营造具有美感的氛围。同时,具有釉面的陶瓷釉面砖,有较好的防火防水作用,作为建筑装饰材料使用,不易老化使用寿命长。陶瓷釉面砖在的建筑装饰上市场潜力非常巨大。装饰陶瓷砖的制作过程中,通常是在压制成坯的坯体上涂覆和喷覆一层釉浆后,直接送入窑炉进行烧制,如专利CN101880178B记载的一种具有黄金金属效果的陶瓷釉面砖。按照传统工艺设备生产的釉面陶瓷砖产品通常有较多缺陷,如:爆坯、变形、针孔、麻面、釉面开裂、固定孔开裂。其主要原因是砖坯入窑时水分过大,而进入窑炉后温度急剧上升,来不及排出水分就进了厂烧制,直接影响了产品的质量。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种成品率更高的釉面陶瓷砖生产工艺及其生产系统。为解决上述问题,本专利技术所采用的技术方案如下:一种釉面陶瓷砖生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)制浆:将矿物原料加入球磨机,加水制成泥浆;2)喷雾干燥:泥浆经喷雾干燥塔干燥制成颗粒状粉料;3)压制成型:粉料经模具压制成型,得成型坯体;4)干燥:成型坯体经干燥窑内自70-80℃至300-320℃阶梯式升温干燥,自然冷却至70-80℃;5)施釉:在自然冷却后的坯体表面均匀地喷涂一层釉浆;6)二次烘干:将施釉后的坯体烘干至水分含量为0.3%-0.4%;7)坯体烧制:坯体在窑炉中经排烟段、氧化段、烧成段、急冷段和缓冷段烧制成成品。作为优选,步骤1)中泥浆的含水量控制为30-40%。作为优选,步骤2)中颗粒状粉料的含水量控制为7-9%。作为优选,步骤5)中施釉后水分控制为0.8%-1.0%。作为优选,步骤6)中二次烘干窑的干燥温度控制为200-250℃。作为优选,步骤7)中坯体在排烟段中,自200-210℃在4.0-4.5min内缓慢加热至420-430℃。作为优选,步骤7)中坯体在烧成段中以1180-1192℃烧成。作为优选,步骤7)中烧成的坯体经急冷段在1-2min内迅速冷却至580-650℃,再经缓冷段在6-7min内冷却至150-170℃。一种适用于上述的釉面陶瓷砖生产工艺的生产系统,其特征在于,包括依次连接的进砖平台、施釉线、二次烘干窑、露天平台、窑炉;所述窑炉包括依次连接的排烟段、氧化段、烧成段、急冷段、缓冷段。作为优选,所述二次烘干窑的热源来自急冷段和缓冷段的冷却余热;所述二次烘干窑的水汽通过排烟段抽走。相比现有技术,本专利技术的有益效果在于:1.本专利技术提供了一种釉面陶瓷砖生产工艺及其生产系统,该釉面陶瓷砖生产工艺在施釉后对坯体进行二次烘干,有效地减少了产品爆坯和裂纹等产品问题,提高了釉面陶瓷砖的成品率,采用本专利技术提供的工艺,可将成品率从以往的85-90%提高至97-98%;2.本专利技术所述的釉面陶瓷砖生产系统在施釉线与窑炉之间增加了一个二次烘干窑和一个露天平台,二次烘干窑的热源来自于窑炉急冷段和缓冷段的余热,二次烘干窑内的水汽通过窑炉的排烟段抽出,该露天平台隔断了二次烘干窑与排烟段之间温度联系,同时有助于二次烘干窑水汽的排出。该生产系统提高了釉面陶瓷砖的成品率,降低了能耗。下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。附图说明图1本专利技术釉面陶瓷砖生产系统示意图。具体实施方式本专利技术提供一种釉面陶瓷砖生产工艺,包括以下步骤:1)制浆:将矿物原料加入球磨机,加水制成泥浆;2)喷雾干燥:泥浆经喷雾干燥塔干燥制成颗粒状粉料;3)压制成型:粉料经模具压制成型,得成型坯体;4)干燥:成型坯体经干燥窑内自70-80℃至300-320℃阶梯式升温干燥,自然冷却至70-80℃;5)施釉:在冷却后的坯体表面均匀地喷涂一层釉浆;6)二次烘干:将施釉后的坯体烘干至0.3%-0.4%;7)坯体烧制:坯体在窑炉中依次经排烟段、氧化段、烧成段、急冷段和缓冷段烧制成成品。本专利技术提供的釉面陶瓷砖生产工艺,在施釉后对坯体进行二次干燥,使水分含量降至0.3%-0.4%,这一过程有效减少了施釉时增加的水分对坯体的烧制成型的影响,烧制后的产品表面不易出现开裂、麻面、针孔等现象。经二次烘干后的坯体内水分的含量更加均匀,烧制成型的产品不易出现变形、固定孔开裂等现象。坯体在窑炉中依次经排烟段、氧化段、烧成段、急冷段和缓冷段烧制成成品,坯体在排烟段均匀地升温,排烟段的水分、烟气、废气等抽出;坯体在氧化段预热氧化,坯体内的氧化有机物经氧化作用氧化炭化,减少了坯体在烧成过程中有机物杂质产生CO2和H2O,从而造成坯体气泡等问题,这一过程还有效地减小了坯体因水分分布不均或材料不均匀受热引起的裂纹和变形。烧成的坯体在急冷段迅速冷却至580-650℃,再经缓冷段缓慢冷却至150-170℃,减少了坯体在冷却过程中的变形机率。如图1所示,一种适用于上述釉面陶瓷砖生产工艺的釉面陶瓷砖生产系统,其特征在于,包括依次连接的进砖平台、施釉线、二次烘干窑、露天平台、窑炉;所述窑炉包括依次连接的排烟段、氧化段、烧成段、急冷段、缓冷段。上述二次烘干窑的热源来自急冷段和缓冷段的冷却余热;二次烘干窑的水汽经排烟段抽走。以下通过具体实施例来对本专利技术作进一步说明。实施例1:一种釉面陶瓷砖生产工艺,包括以下步骤:1)制浆:将矿物原料加入球磨机,加水制成泥浆,制成泥浆后水分为30-35%;2)喷雾干燥:泥浆经喷雾干燥塔干燥至水分为7%,制成颗粒状粉料;3)压制成型:粉料经模具压制成型,得成型坯体;4)干燥:成型坯体经干燥窑内自70℃至320℃阶梯式升温干燥后自然冷却至70-80℃,其中阶梯升温程序为:0-10min内,均匀地由70℃升温至150℃;10-15min内,均匀地由150℃升温至250℃,15-25min内,均匀地由250℃升温至320℃,25-30min内,保持温度为320℃。5)施釉:在自然冷却后的坯体表面均匀地喷涂一层釉浆,施釉后坯体水分含量为0.8%-1.0%;6)二次烘干:将施釉后的坯体烘干至0.3%-0.4%,二次烘干温度为200-210℃,烘干时间为4min;7)坯体烧制:坯体在窑炉中经排烟段、氧化段、烧成段、急冷段和缓冷段烧制成成品;其中排烟段自210℃在4.0-4.5min内缓慢加热至430℃,坯体经过排烟段后,水分含量降至0.1%以下;经排烟段升温的坯体,经氧化段中在10min内匀速升温至1080-1140℃;坯体在烧成段中以1180-1192℃煅烧12min,烧成的坯体经急冷段在2min内迅速冷却至580-620℃,再经缓冷段在6min内冷却至170℃。实施例2:一种釉面陶瓷砖生产工艺,包括以下步骤:1)制浆:将矿物原料加入球磨机,加水制成泥浆,制成泥浆后水分为35-40%;2)喷雾干燥:泥浆经喷雾干燥塔干燥至水分为9%,制成颗粒状粉料;3)压制成型:粉料经模具压制成型,得成型坯体;4)干燥:成型坯体经干燥窑内自80℃至300℃阶梯式升温干燥后自然冷却至70-80℃,其中阶梯升温程序为:0-10min内,均匀地由80升温至150℃;10-15min内,均匀地由150℃升温至250℃,15-25min内,均匀地由250℃升温至300℃,25-3本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种釉面陶瓷砖生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)制浆:将矿物原料加入球磨机,加水制成泥浆;2)喷雾干燥:泥浆经喷雾干燥塔干燥制成颗粒状粉料;3)压制成型:粉料经模具压制成型,得成型坯体;4)干燥:成型坯体经干燥窑内自70‑80℃至300‑320℃阶梯式升温干燥,自然冷却至70‑80℃;5)施釉:在自然冷却后的坯体表面均匀地喷涂一层釉浆;6)二次烘干:将施釉后的坯体烘干至水分含量为0.3%‑0.4%;7)坯体烧制:坯体在窑炉中依次经排烟段、氧化段、烧成段、急冷段和缓冷段烧制成成品。
【技术特征摘要】
1.一种釉面陶瓷砖生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)制浆:将矿物原料加入球磨机,加水制成泥浆;浆的含水量控制为30-40%;2)喷雾干燥:泥浆经喷雾干燥塔干燥制成颗粒状粉料,颗粒状粉料的含水量控制为7%-9%;3)压制成型:粉料经模具压制成型,得成型坯体;4)干燥:成型坯体经干燥窑内自70-80℃至300-320℃阶梯式升温干燥,自然冷却至70-80℃;5)施釉:在自然冷却后的坯体表面均匀地喷涂一层釉浆;施釉后水分控制为0.8%-1.0%;6)二次烘干:将施釉后的坯体烘干至水分含量为0.3%-0.4%;二次烘干窑的干燥温度控制为200-250℃;7)坯体烧制:坯体在...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞斌,朱永军,袁福贵,江荣文,李腾,
申请(专利权)人:宁夏科豪陶瓷有限公司,
类型:发明
国别省市:宁夏;64
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