温度传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种温度传感器，包括：衬底(1)；铂电阻(2)，布置在所述衬底(1)上；保护层(4)，覆盖所述铂电阻(2)；覆盖层(5)，覆盖所述保护层(4)；所述覆盖层(5)包含Al2O3和Si2O。根据本发明专利技术，所述覆盖层(5)还包含Y2O3。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种温度传感器，包括：衬底(1)；铂电阻(2)，布置在所述衬底(1)上；保护层(4)，覆盖所述铂电阻(2)；覆盖层(5)，覆盖所述保护层(4)；所述覆盖层(5)包含Al2O3和Si2O；其特征在于，所述覆盖层(5)还包含Y2O3。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯瑟琳·欧苏利文，安东尼·赫利希，安东尼·马赫，巴拉苏博拉马尼姆·维德海纳森，陈阳，
申请(专利权)人：森萨塔科技百慕大有限公司，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛;BM