一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中，所述阵列基板包括基板；位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构；位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接。本发明专利技术能够降低数据线断裂产生暗线的概率，从而提高产品良率，且能够防止显示面板产生显示不均的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)在液晶显示装置和有机发光显示装置等平板显示
得到了非常广泛的应用，以主动矩阵(activematrix)式液晶显示装置为例，TFT是作为液晶显示装置中液晶显示面板的像素开关元件。其中，TFT具有一栅电极、一漏电极、一源电极及一有源层，栅电极与栅极线电连接并受其控制而开启，源电极与数据线电连接以接收信号，而漏电极与像素电极电连接，用以改变液晶显示面板的每个像素的穿透率而达到控制灰阶亮度的目的。液晶显示面板通常是由一TFT阵列基板、一彩色滤光基板以及一夹设于两基板间的液晶层构成，且两基板与液晶层可形成多个阵列设置的像素。图1是现有技术中液晶显示面板的TFT阵列基板的俯视图，如图1所示，主要包括基板1、以及设置于基板1上多条栅极线2和多条数据线3，位于数据线3和栅极线2交叉处的TFT(包括源电极4、栅电极5和漏电极6)以及与TFT电连接的像素电极(图中未示出)。相邻的数据线3和栅极线2所围成的区域为像素区域，所述像素区域包括TFT区域和像素电极区域，所述像素电极设置于该像素电极区域内，TFT设置于TFT区域内。TFT的栅电极5与栅极线2相连，TFT的源电极4与数据线3相连，TFT的漏电极6与所述像素电极相连。图2是现有技术中TFT阵列基板制作方法的流程图。如图2所示，现有的TFT阵列基板的制作工艺包括如下步骤：A、提供基板1，在基板上形成缓冲层101；B、在缓冲层101上沉积一层有源层，刻蚀所述有源层，在所述TFT区域形成有源层结构7；C、在步骤B的基础上沉积一层栅极绝缘层102；D、在步骤C的基础上沉积第一导电层，刻蚀该第一导电层形成第一电极图案，所述第一电极图案包括栅极线(图中未示出)和栅电极5；E、在步骤D的基础上沉积第一层间绝缘层103，刻蚀该层间绝缘层103和栅极绝缘层102在TFT区域形成第一过孔1031和第二过孔1032；F、在步骤E的基础上沉积第二导电层，刻蚀该第二导电层形成第二电极图案，所述第二电极图案包括数据线3、源电极4和漏电极6，源电极4通过第一过孔1031与有源层结构7电连接，漏电极6通过第二过孔1032与有源层结构7电连接；G、在步骤F的基础上依次沉积钝化层104、公共电极层105和第一绝缘层106，刻蚀该第一绝缘层106、公共电极层105和钝化层104在TFT区域形成第三过孔1061；H、在步骤G的基础上沉积像素电极层，刻蚀该像素电极层在像素区域形成像素电极107，像素电极107通过第三过孔1061与漏电极6电连接。现有的TFT阵列基板在制作的过程中，如果层间绝缘层103表面存在异物，则沉积的第二导电层在异物(Particle)(如图1中所示的异物8)所在的位置出现凸起，使得形成的数据线3容易发生断裂，从而产生暗线，降低了产品良率。同时，如图2步骤E所示，现有的阵列基板在制作过程中，因为层间绝缘层103的材料为绝缘材质，在刻蚀该层间绝缘层103形成第一过孔1031和第二过孔1032的过程中，尤其在光刻胶剥离、清洗等过程中，层间绝缘层103表面容易产生并积累静电，当在第一过孔1031和第二过孔1032中分别形成源电极4和漏电极6以后，单个TFT呈暴露状态，此时层间绝缘层103表面的静电会通过源电极4和漏电极6击伤有源层结构7与栅电极5交叠的部分(沟道)，从而使得沟道产生缺陷或者在栅极绝缘层103上积累电荷，进而导致阵列基板中TFT(包括N型管和P型管)的阈值电压Vth发生漂移，而发生阈值电压Vth漂移的TFT，其局部充电和放电的能力会发生增强或者减弱，从而导致局部像素电压产生波动，从而使得液晶显示面板出现显示效果不均(mura)的现象。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术中数据线容易断裂产生的暗线、产品良率低以及显示不均的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接。第二方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括相对设置的对置基板和阵列基板，所述阵列基板为第一方面所述的阵列基板。第三方面，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。第四方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极金属层，刻蚀所述栅极金属层形成栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层电绝缘；在所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层上形成层间绝缘层，图案化所述层间绝缘层形成层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；在所述层间绝缘结构和所述金属预置层上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极、漏电极和数据线，所述金属预置层位于所述数据线下面。本专利技术实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，通过在数据线的下方设置金属预置层，且所述金属预置层与所述栅极线电绝缘，在制作过程中，金属预置层和数据线在不同的工艺步骤中形成，使得导致金属预置层断裂的异物和导致数据线断裂的异物不会发生在重叠的位置，因此，能够降低因数据线断线而带来的暗线的风险，从而提升产品良率，此外，在相同数据线的宽度下，能够增大数据线的截面面积，从而使得电阻大幅下降，相应的信号延迟也会大幅下降，且金属预置层能够优先导走层间绝缘结构表面积累的静电，防止显示面板产生显示不均的现象。附图说明下面将通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本专利技术的上述及其他特征和优点，附图中：图1是现有技术中液晶显示面板的TFT阵列基板的俯视图；图2是现有技术中TFT阵列基板制作方法的流程图；图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的剖面图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视图；图5是本专利技术实施例提供的一种阵列基板中存在异物时的示意图；图6是现有技术中阵列基板中数据线的截面图；图7中示出了本专利技术实施例提供的阵列基板的数据线的截面图；图8是本专利技术实施例提供的显示面板的结构图；图9是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图10、图11a和图11b、图12至图14是本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的各步骤对应的剖面图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容，并且附图中相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的剖面图，图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视图，下面结合图3和图4对本专利技术实施例提供的阵列基板进行描述。所述阵列基板包括：基板11、位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接；其中，在所述基板与所述栅电极、栅极线和金属预置层之间，还包括：位于所述基板上的缓冲层；位于所述缓冲层上的有源层结构；覆盖所述有源层结构和所述缓冲层的栅极绝缘层；所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层在同一工艺步骤中形成，所述金属预置层设置在所述栅极绝缘层上，且所述栅极绝缘层和所述金属预置层的厚度之和大于所述有源层结构的厚度；所述金属预置层的位置高于所述有源层结构的位置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘结构和所述栅极绝缘层上设置有第一过孔与第二过孔，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层结构电连接。3.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括：覆盖所述源电极、所述漏电极和所述数据线的平坦化层；位于所述平坦化层上的第一透明导电电极；位于所述第一透明导电电极上的绝缘层；所述平坦化层、所述第一透明导电电极和所述绝缘层上设置有第三过孔；位于所述绝缘层上的第二透明导电电极，所述第二透明导电电极通过所述第三过孔与所述漏电极电连接。4.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层的厚度均为100nm～500nm。5.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极、所述漏电极和所述数据线的厚度均为100nm～2000nm。6.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的对置基板和阵列基板，所述阵列基板为权利要求1-5任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟绩，蔡明光，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35