一种抑制二次电子发射的微波器件镀膜处理装置及方法制造方法及图纸

技术编号:11496113 阅读:142 留言:0更新日期:2015-05-21 20:25
一种抑制二次电子发射的微波器件镀膜处理装置及方法,本发明专利技术的装置安装在磁控溅射镀膜机腔室内,由底部电机驱动转轴旋转,带动托架和托盘绕转轴周向旋转,托架上的齿轮与底座齿轮架啮合,带动托架和托盘绕支承轴转动,托盘上的齿轮与转塔齿轮啮合,使托盘绕托架轴转动,各运动复合使托盘形成复杂空间翻转运动。镀膜时先在磁控溅射镀膜机腔室内安装碳靶和钛靶,洗靶后将待镀覆工件安装托盘上,对腔室抽真空通氩气进行溅射镀膜,工件在镀膜过程中随托盘进行空间翻转运动,接受各个方向的溅射离子。本发明专利技术的装置和方法能够在异型微波器件表面制备的均匀一致的碳膜,具有非常低的二次电子发射系数,且微波传输性能良好,能够有效抑制微放电现象。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抑制二次电子发射的微波器件镀膜处理装置,其特征在于包括:底座(1)、支撑轴承(2)、转塔(3)、托盘(4)和托架(5);所述的底座(1)的中心设有轴孔(7),底座(1)的周围设有齿轮架(8);所述的转塔(3)包括转轴(9)、支撑轴(10)、转塔齿轮(11)和转塔架(12),转轴(9)的一端通过支撑轴承(2)垂直穿过轴孔(7),所述的转塔架(12)为正N棱柱,N为正整数,N不小于3,转轴(9)的另一端与所述正N棱柱的底面固定连接,N个支撑轴(10)分别垂直安装在所述正N棱柱的N个侧面上,N个转塔齿轮(11)各自分别唯一对应一个支承轴(10),每个转塔齿轮(11)与对应的支承轴(10)同轴并安装在所述正N棱柱的侧面上;每一个支撑轴(10)唯一对应一个托架(5),所述的托架(5)包括托架齿轮(13)、托架转筒(14)和托架轴(15),托架转筒(14)套接在支承轴(10)上,转筒(14)的外侧固定有托架齿轮(13),托架齿轮(13)与齿轮架(8)通过锥齿轮联接,托架轴(15)固定在转筒(14)上并与支撑轴承(2)平行;托盘(4)固定安装在所述托架轴(15)上,托盘(4)的底面外缘设有托盘齿轮(17),托盘齿轮(17)与转塔齿轮(11)通过锥齿轮副联接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄信林马小琴苌群峰刘洪
申请(专利权)人:中国航天时代电子公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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