成长高可靠性IGBT终端保护环的方法技术

本发明专利技术公开了一种成长高可靠性IGBT终端保护环的方法，包括：1）在硅衬底上，成长第一热氧化层作为保护环注入阻挡层；2）刻蚀保护环注入阻挡层，打开保护环注入窗口；3）在保护环注入窗口进行保护环注入；4）进行高温热处理，并再次成长第二热氧化层，将第一热氧化层和第二热氧化层作为后续的保护环场板；5）刻蚀保护环场板，形成保护环结构。本发明专利技术确保了耐压性，优化元胞终端的耐压后漏电特性，避免其发生击穿，提升IGBT器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种成长绝缘栅双极晶体管终端保护环的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上，成长第一热氧化层作为保护环注入阻挡层；2）刻蚀保护环注入阻挡层，打开保护环注入窗口；3）在保护环注入窗口进行保护环注入；4）在1150～1250℃进行高温热处理70～500分钟，并再次成长第二热氧化层，将第一热氧化层和第二热氧化层作为后续的保护环场板；5）刻蚀保护环场板，形成保护环结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李琳松，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31