一种双模逆导门极换流晶闸管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种双模逆导门极换流晶闸管及其制备方法，所述双模逆导门极换流晶闸管的每个基本单元包括两个二极管和二极管之间的门极换流晶闸管，二极管和门极换流晶闸管之间具有有效隔离；所述二极管纵向由上至下依次包括二极管的P+阳极、N-衬底、N′缓冲层及N+阴极；所述门极换流晶闸管纵向由上至下依次包括门极换流晶闸管的阴极、P型基区、N-衬底、N′缓冲层、P+阳极，其中门极换流晶闸管的阴极由3个N+掺杂区组成、N+掺杂区两两之间设置门极换流晶闸管的门极。本发明专利技术充分利用硅片结构，降低成本，并且能够大大提高电流处理能力，同时，提供的该双模逆导门极换流晶闸管制备工艺与传统的集成门极换流晶闸管工艺兼容，能够实现产业化。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双模逆导门极换流晶闸管，其特征在于，所述双模逆导门极换流晶闸管的每个基本单元包括两个二极管和二极管之间的门极换流晶闸管，二极管和门极换流晶闸管之间具有有效隔离；所述二极管纵向由上至下依次包括二极管的P+阳极、N‑衬底、N′缓冲层及N+阴极；所述门极换流晶闸管纵向由上至下依次包括门极换流晶闸管的阴极、P型基区、N‑衬底、N′缓冲层、P+阳极，其中门极换流晶闸管的阴极由3个N+掺杂区组成、N+掺杂区两两之间设置门极换流晶闸管的门极；所述二极管与门极换流晶闸管的N‑衬底、N′缓冲层共用，所述二极管的阴极和门极换流晶闸管的阳极共同作为双模逆导门极换流晶闸管阳极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭巍，李建清，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51