【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：至少一个欧姆接触区，其在所述半导体器件的半导体衬底和邻近所述半导体衬底布置的导电结构之间；和至少一个肖特基接触区，其在所述导电结构和所述半导体器件的所述半导体衬底之间，其中所述至少一个欧姆接触区被布置为邻近所述至少一个肖特基接触区，其中所述半导体衬底包括被布置为邻近所述导电结构的第一掺杂层，其中在所述至少一个欧姆接触区的一个区域中所述第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在所述至少一个肖特基接触区的一个区域中所述第一掺杂层的所述表面区的平均掺杂浓度，并且相差小于在所述至少一个肖特基接触区的所述区域中所述第一掺杂层的所述表面区的所述平均掺杂浓度的10％。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·许斯肯，A·毛德，HJ·舒尔策，W·勒斯纳，H·舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。