传片板制造技术

本实用新型专利技术提供一种传片板，包括：一平板，所述平板内均匀设置有循环管，所述循环管内充入有流动性物质。将流动性物质充入均匀分布于所述平板内的循环管中，使得整个平板的温度均匀，当将经过第二次快速升温退火后的金属硅化物硅片放到传片板上时，所述金属硅化物硅片整个表面降温均匀，从而解决因降温不均而引起的接触电阻分布不均的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造设备
，尤其是一种传片板。
技术介绍
在半导体制造技术中，金属硅化物由于具有较低的电阻率且和其他材料具有很好的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属与硅发生反应生成金属硅化物，通过一步或者多步退火工艺可以形成低电阻率的金属硅化物。随着半导体集成电路的集成度不断提高，半导体工艺水平的提高，半导体器件的特征尺寸不断缩小，特别是在90nm及其以下技术节点，金属硅化物也在不断地发展，为了获得更低的接触电阻，镍及镍的合金成为形成金属硅化物的主要材料。金属硅化物通常制备在源漏极以及栅极上，用于提高源漏极以及栅极与金属之间的接触。当器件的特征尺寸缩小到45nm及以下时，由于线宽效应的制约，镲钼合金(NiPt)取代了金属镍(Ni)或金属钴(Co)，用于形成金属硅化物。现有的制备镍铂金属硅化物的方法包括如下步骤:提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已形成MOS器件的栅极结构以及源/漏极；其中，所述栅极结构包括栅介质层、多晶硅栅极以及栅极侧墙；在所述半导体衬底上淀积镍铂合金膜，所述镍铂合金膜覆盖所述栅极结构以及源/漏极；将所述淀积镍铂合金膜的半导体衬底进行第一次快速升温退火(RTA，RapidThermal Anneal)，使所述镲钼合金与娃反应，形成镲钼金属娃化物；去除未反应成镍铂金属硅化物的镍铂合金膜；进行第二次快速升温退火。第二次快速升温退火的温度比第一次快速升温退火的温度要高。第二次快速升温退火后的金属硅化物硅片在传输出退火腔时温度仍高达250°C，将温度高达250°C的金属硅化物硅片放到常温的传片板上，所述金属硅化物硅片接触到常温的传片板后快速降温，为了加速降温散热，如图1所示，现有的传片板为一矩形平板101，在所述矩形平板上设置有一“凸”字形缺口 102及一圆形缺口 103，所述金属硅化物硅片与传片板接触不均，从而导致所述金属硅化物硅片的降温不均，进一步导致所述金属硅化物硅片的接触电阻分布不均。进一步的，现有的传片板为高纯度石英传片板，造价昂贵，成本尚O
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种传片板，用以解决所述金属硅化物硅片的接触电阻分布不均的问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种传片板，包括:一平板，所述平板内均匀设置有循环管，所述循环管内充入有流动性物质。优选的，在上述的传片板中，所述循环管呈圆环形均匀分布于所述平板内。优选的，在上述的传片板中，所述循环管呈多边形均匀分布于所述平板内。优选的，在上述的传片板中，所述循环管设置有一进口和一出口。优选的，在上述的传片板中，进入所述进口用于对金属硅化物硅片降温的流动性物质为液体。优选的，在上述的传片板中，所述液体为水。优选的，在上述的传片板中，进入所述进口用于对金属硅化物硅片降温的流动性物质为气体。优选的，在上述的传片板中，所述气体为氢气或氦气。优选的，在上述的传片板中，所述平板的边缘处设置有与所述平板垂直的挡板。优选的，在上述的传片板中，所述平板的形状为圆形。在本技术提供的传片板中，将流动性物质充入均匀分布于所述平板内的循环管中，使得整个平板的温度均匀，当将经过第二次快速升温退火后的金属硅化物硅片放到传片板上时，所述金属硅化物硅片整个表面降温均匀，从而解决因降温不均而引起的接触电阻分布不均的问题。【附图说明】图1为现有的传片板的结构示意图；图2为本技术实施例1中的传片板的俯视剖视图；图3为本技术实施例2中的传片板的俯视剖视图；图4为本技术实施例3中的传片板的俯视剖视图；图中:101-传片板的平板；102- “凸”字形缺口 ;103_圆形缺口 ；201-平板；202_呈圆环形分布的循环管202 ;203_循环管的进口 ；204_循环管的出口 ；301-平板；302_呈六边形分布的循环管302 ;303_循环管的进口 ；304_循环管的出口 ；401-平板；402_呈弓形分布的循环管；403_循环管的进口 ；404_循环管的出口。【具体实施方式】下面将结合示意图对本技术的【具体实施方式】进行详细的描述。根据下列描述并结合权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。实施例1本技术提供了一种传片板，包括:一平板201，所述平板201内均匀设置有循环管，所述循环管内充入有流动性物质。具体的，如图2所示，所述平板201为圆形。在其它实施例中所述平板201还可以是其他形状。所述平板201的形状和大小可以根据需要确定，这是本领域技术人员常用的技术手段，在此不再赘述。进一步的，所述循环管呈圆环形均匀分布于所述平板201内，所述呈圆环形分布的循环管202设置有一进口 203和一出口 204。所述流动性物质从所述进口 203进入到所述呈圆环形分布的循环管202，流经所述呈圆环形分布的循环管202后，从所述出口 204流出，所述流动性物质的流动使得放置于所述平板201上的金属硅化物硅片快速降温。又由于所述呈圆环形分布的循环管202均匀分布于所述平板201内，所述流动性物质也均匀分布于所述平板201内且流动，从而使得所述平板201表面温度分布均匀，从而使得平板201上的金属硅化物硅片快速均匀的降温，降低由于所述金属硅化物硅片降温不均而引起的接触电阻分布不均的概率。在所述呈圆环形分布的循环管202内流动的所述流动性物质可以是液体，具体的，可以为水，也可以为其他溶剂。在具体的使用过程中，还可以使用低温液体，如冰水等，能够更加快速均匀的降低所述金属硅化物硅片的温度。在所述呈圆环形分布的循环管202内流动的所述流动性物质也可以是气体，具体的，例如氢气、氦气等。同样，也可以使用低温的氢气、氦气加快降温。更优的，所述平板201的边缘处设置有与所述平板201垂直的挡板。可以在所述平板201的边缘上设置一个挡板，以防止所述金属硅化物硅片从所述平板201上滑落。所述平板201可以是高精度石英平板，也可以是陶瓷等其他材质的平板，比如陶瓷平板可以降低传片板的制作成本。实施例2所述循环管呈多边形均匀分布于所述平板301内。具体的，如图3所示，所述循环管呈六边形均匀分布于所述平板301内。具体的，所述呈六边形分布的循环管302设置有一进口 303和一出口 304。所述流动性物质从所述进口 303进入到所述呈六边形分布的循环管302，流经所述呈六边形分布的循环管302后，从所述出口 304流出，所述流动性物质的流动使得放置于所述平板301上的金属硅化物硅片快速降温。又由于所述呈六边形分布的循环管302均匀分布于所述平板301内，所述流动性物质也均匀分布于所述平板301内且流动，从而使得所述平板301表面温度分布均匀，从而使得平板301上的金属硅化物硅片快速均匀的降温，降低由于所述金属硅化物硅片降温不均而引起的接触电阻分布不均的概率。其他部分与实施例1中相同，在此不再赘述。实施例3所述循环管呈弓形均匀分布于所述平板401内。如图4所示，所述循环管呈弓形均匀分布于所述平板401内。具体的，所述呈弓形分布的循环管402设置有一进口 403和一出口 404。所述流动性物质从所述进口 403本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传片板，其特征在于，包括：一平板，所述平板内均匀设置有循环管，所述循环管内充入有流动性物质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11