【技术实现步骤摘要】
多脉冲组合泵浦的LPP-EUV光源系统
本专利技术涉及激光等离子体型(LPP)极紫外(EUV)光刻光源,特别是一种多脉冲组合泵浦的LPP-EUV光源系统。
技术介绍
随着电子信息产业的飞速发展,半导体芯片的集成度大幅度提高,光刻技术正在迈向14nm乃至10nm以下的分辨尺寸节点。光刻机的曝光波长已从436nm(Hg-g)、365nm(Hg-i)发展到248nm(KrF)、193nm(ArF)和157nm(F2),正在向13.5nm(EUV)甚至6.Xnm等更短波长发展。EUV光源的类型主要包括同步辐射光源、放电等离子体(DPP)光源和激光等离子体(LPP)光源等。同步辐射光源通过改变带电粒子在磁场中的运动速度而产生EUV辐射,其体积庞大、结构复杂且造价较高。DPP光源通过高压放电击穿介质产生等离子体的方式辐射EUV,其结构较为简单,但在产生等离子体的过程中会造成较为严重的碎片污染。LPP光源则采用高功率激光脉冲照射靶材形成等离子体的方式而产生EUV辐射。此类光源的发光区域较小,光能收集效率较高,具有良好的可控性和稳定性,已成为最具应用潜力的新一代光刻光源。然而,基于单脉冲或加预脉冲泵浦的LPP-EUV光源(NaturePhotonics,2010,4(1):24-26),其输出功率仍无法很好的满足光刻机的商用化需求。为了推动EUV光刻技术的产业化进程,需突破泵浦激光功率及转化效率不足的限制,从而实现更高的LPP-EUV辐射功率输出。
技术实现思路
本专利技术提供一种多脉冲组合泵浦的LPP-EUV光源系统,旨在通过采用多脉冲组合泵浦的方法提高LPP-EUV光源的 ...
【技术保护点】
一种多脉冲组合泵浦的LPP‑EUV光源系统,其特征在于,包括由多个泵浦激光脉冲源(1a、1b、…、1o)组成的泵浦激光脉冲源组(1)、由多个脉冲延时调节装置(2a、2b、…、2o)组成的脉冲延时调节装置组(2)、由多个光束指向调节装置(3a、3b、…、或3o)组成的光束指向调节装置组(3)、同步信号控制器(5)和具有靶材(405)的LPP‑EUV发生装置(4);所述的同步信号控制器(5)的输出端分别与所述的泵浦激光脉冲源(1a、1b、…、1o)相连,产生触发信号使各泵浦激光脉冲源(1a、1b、…、1o)输出泵浦脉冲(Pa、Pb、…、Po),依次经各种对应的脉冲延时调节装置(2a、2b、…、2o)和光束指向调节装置(3a、3b、…、3o)后形成产生脉冲组合,进入所述的LPP‑EUV发生装置(4)并作用于靶材(405)。
【技术特征摘要】
1.一种多脉冲组合泵浦的LPP-EUV光源系统,其特征在于,包括由多个泵浦激光脉冲源(1a、1b、…、1o)组成的泵浦激光脉冲源组(1)、由多个脉冲延时调节装置(2a、2b、…、2o)组成的脉冲延时调节装置组(2)、由多个光束指向调节装置(3a、3b、…、3o)组成的光束指向调节装置组(3)、同步信号控制器(5)和具有靶材(405)的LPP-EUV发生装置(4);所述的同步信号控制器(5)的输出端分别与所述的泵浦激光脉冲源(1a、1b、…、1o)相连,产生触发信号使各泵浦激光脉冲源(1a、1b、…、1o)输出泵浦脉冲(Pa、Pb、…、Po),依次经各种对应的脉冲延时调节装置(2a、2b、…、2o)和光束指向调节装置(3a、3b、…、3o)后形成产生脉冲组合,进入所述的LPP-EUV发生装置(4)并作用于靶材(405);所述的脉冲延时调节装置包括:第一反射镜(201)、第二反射镜(202)、第三反射镜(203)和第四反射镜(204),所述的第二反射镜(202)和第三反射镜(203)安装在第一步进平移台(205)上,所述的第一反射镜(201)、第二反射镜(202)、第三反射镜(203)和第四反射镜(...
【专利技术属性】
技术研发人员:张宗昕,冷雨欣,王成,赵全忠,王关德,
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:上海;31
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