硅表面垂直组装CeO2纳米棒薄膜的溶剂热制备方法技术

本发明专利技术涉及一种硅表面垂直组装CeO2纳米棒薄膜的溶剂热制备方法，该方法是以洁净的硅片为基体，以CeCl 3和CO(NH2)2为原料、以乙醇为溶剂配制前躯体溶液、在160-200℃的溶剂热条件下反应，在硅片表面制备由CeO2纳米棒垂直组装而形成的薄膜。本发明专利技术方法设备简单，制膜成本低，不需要对硅基质和薄膜进行高温处理，制得的膜薄是由CeO2纳米棒垂直组装而成，均匀、可见光透明度高、附着性好、抗紫外线性能强，并在380-390nm有很强的发射峰，在晶硅太阳能电池抗紫外线性能方面有广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅表面垂直组装CeO2纳米棒薄膜的溶剂热制备方法，其特征在于：步骤如下：（1）将原料CeCl3·7H2O溶于无水乙醇中，得到0.01‑0.02mol/L CeCl3的无水乙醇溶液，加入0.02‑0.04mol /L的CO(NH2)2，搅拌均匀，得到前躯体溶液；（2）将洁净的硅片放入内衬为聚四氟乙烯反应釜中，加入前驱液，密封，置于烘箱中，在160‑200℃温度下反应2‑6h；反应结束，自然降温至室温后取出硅片，分别用乙醇、水洗涤干净，干燥即得产品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘连利，孙彤，王莉丽，崔岩，张帆，孙志佳，
申请(专利权)人：渤海大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21