一种化合物半导体器件的去嵌入方法技术

本发明专利技术公开了一种化合物半导体器件的去嵌入方法，属于微电子集成电路技术领域。该方法包括：分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应；以及根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应。本发明专利技术提供合理分析了在片测试的版图结构，具有实际物理意义，完整地地表征和去除了可能的寄生影响；改进了传统去嵌方法的缺点，提高了去嵌入带宽，保证了更高频范围的去嵌精确度和高频器件模型和电路应用的有效性。另外，本发明专利技术从物理来源上充分考虑和表征所有可能的寄生效应，提高了去嵌入的精度和带宽，具有实际的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，包括：分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应；以及根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪刚，刘桂明，常虎东，周佳辉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11