一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法技术

技术编号:11478753 阅读:82 留言:0更新日期:2015-05-20 09:30
本发明专利技术涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层,然后在500~1000℃,优选700~800℃下,包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体,退火压力为100~1000mbar,保持时间30~180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层,可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷,提高SiC MOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,包括:在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层,然后在500~1000℃,优选700~800℃下包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李诚瞻刘可安赵艳黎周正东吴佳杨勇雄丁荣军
申请(专利权)人:株洲南车时代电气股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖南;43

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