【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法,包括:在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层,然后在500~1000℃,优选700~800℃下包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李诚瞻,刘可安,赵艳黎,周正东,吴佳,杨勇雄,丁荣军,
申请(专利权)人:株洲南车时代电气股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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