一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法，其特征是以N型锗基底层作为光电探测器的基区，在N型锗基底层的正面蒸镀绝缘层；在N型锗基底层的上表面设置N型锗纳米锥阵列；将P型石墨烯转移到覆盖绝缘层的N型锗纳米锥阵列上；在P型石墨烯上旋涂氧化铟锡纳米颗粒，实现基于P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结的光电二极管。本发明专利技术中的红外光电探测器通过利用锗纳米锥阵列的结构以及ITO纳米颗粒的表面等离子体共振的特性，增强了对光的吸收，提高了对光的响应度；本发明专利技术工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的红外光电探测器，为锗纳米锥阵列结构在光电探测器的应用中奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器，其特征在于：以N型锗基底(1)作为所述红外光电探测器的基区，在所述N型锗基底(1)的上表面的部分区域蒸镀有绝缘层(2)，另一部分区域生长有N型锗纳米锥阵列(3)，且所述N型锗纳米锥阵列沿垂直于N型锗基底上表面的方向生长；在所述绝缘层(2)和所述N型锗纳米锥阵列(3)的上方转移有P型石墨烯薄膜(4)，使所述P型石墨烯薄膜一部分与绝缘层(2)接触，另一部分与N型锗纳米锥阵列(3)形成肖特基接触；在所述P型石墨烯薄膜(4)上旋涂有ITO纳米颗粒(5)；在所述N型锗基底(1)的下表面和所述P型石墨烯薄膜(4)的上表面分别设置有引出电极(6)；所述引出电极(6)为银电极，所述引出电极(6)分别与所述P型石墨烯薄膜(4)和所述N型锗基底(1)形成欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗林保，卢瑞，郑坤，邹宜峰，王先贺，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34