【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种调整接触电阻的工艺方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述半导体衬底；在所述第一金属层上沉积第二金属，在开始沉积所述第二金属时延迟一预定时间通入一反应气体，使得所述第二金属与所述反应气体形成一顶层保护层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄飞，李志国，杨勇，姜国伟，丁同国，曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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