一种电子器件的制作方法及电子器件技术

本发明专利技术公开了一种电子器件的制作方法及电子器件，该制作方法包括：在基板上形成碳纳米管电极图形；将形成有所述电极图形的基板置于具有氧化性的第一溶液中，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第一次掺杂；利用具有氧化性的第二溶液对所述电极进行喷淋，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第二次掺杂。本发明专利技术提高了利用碳纳米管形成的电极的导电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件的制作方法及电子器件
本专利技术涉及电子器件的制作，特别是一种电子器件的制作方法及电子器件，提高电子器件中利用碳纳米管形成的电极的导电性能。
技术介绍
透明电极在大量的电子设备中需要使用，如显示装置中的像素电极、使用于显示装置中的太阳能电池的电极等。在现有技术中，氧化铟锡(ITO)是使用非常广泛的制作透明电极的材料。然而，氧化铟锡由于其柔性不够而使得使用氧化铟锡制作得到的电极在设备弯折时容易破裂，影响产品性能。碳纳米管是一种一维量子材料。碳纳米管主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同，所以能够实现导电功能。而同时，碳纳米管又具有良好的力学性能，其强度、弹性、抗疲劳性及各向同性等都非常好。因此，越来越多的透明电极开始使用碳纳米管进行制作。然而，在具有碳纳米管的晶格结构的电极中，然而碳纳米管形成的电极的导电性受制于碳纳米管之间的接触电阻，因此有必要提高碳纳米管形成的电极中碳纳米管之间的导电性来实现导电性能良好的电极。当然，当碳纳米管用于形成其他非透明应用场景的电子器件的电极(如显示面板中薄膜晶体管的电极)时同样存在上述问题，在此不一一举例说明。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种电子器件的制作方法及电子器件，提高电子器件中利用碳纳米管形成的电极的导电性能。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种电子器件的制作方法，包括：在基板上形成碳纳米管电极图形；将形成有所述电极图形的基板置于具有氧化性的第一溶液中，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第一次掺杂；利用具有氧化性的第二溶液对所述电极进行喷淋，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第二次掺杂。上述的电子器件的制作方法，其中，还包括：对喷淋后的基板进行清洗处理。上述的电子器件的制作方法，其中，所述清洗处理过程中采用去离子水进行清洗处理。上述的电子器件的制作方法，其中，还包括：对清洗后的基板进行干燥处理。上述的电子器件的制作方法，其中，所述第一溶液和第二溶液选自如下物质中的至少一种形成的溶液：二氧化氮、溴单质、硝酸、亚硫酰氯、全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌。上述的电子器件的制作方法，其中，还包括：在所述电极图形上形成导电保护图形。上述的电子器件的制作方法，其中，所述导电保护图形由导电聚合物材料形成。上述的电子器件的制作方法，其中，所述导电保护图形由掺杂有纳米金球或纳米银线的导电聚合物材料形成。上述的电子器件的制作方法，其中，所述导电聚合物材料选自如下物质中的至少一种：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔和聚双炔。上述的电子器件的制作方法，其中，在所述电极图形上形成导电保护图形具体包括：对所述导电聚合物材料使用室温离子液体进行溶液化处理；使用溶液化处理后的导电聚合物材料形成所述导电保护图形。上述的电子器件的制作方法，其中，所述室温离子液体选自如下物质中的至少一种：1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲基磺酸盐、氯化1-丁基-3-甲基咪唑盐。上述的电子器件的制作方法，其中，所述电极图形为太阳能电池的电极。上述的电子器件的制作方法，其中，所述电子器件为设置有太阳能电池的显示面板，所述电极图形为所述太阳能电池的电极。为了实现上述目的，本专利技术实施例还提供了一种利用上述制作方法制作得到的电子器件。本专利技术具体实施例的电子器件的制作方法中，在制作透明电极之后，利用具有氧化性的第二溶液对透明电极进行浸泡和喷淋处理，对碳纳米管进行掺杂，得到改性的碳纳米管，提高了利用碳纳米管形成的电极的导电性能。同时本专利技术具体实施例的电子器件的制作方法中，首先通过浸泡方式以较高的效率将形成电极的碳纳米管掺杂到一定浓度，然后利用喷淋方式来来实现剩余浓度的精确掺杂，既充分利用了浸泡方式的高效率的特点，又通过喷淋方式保证了碳纳米管膜层掺杂的精度，保证了产品性能的稳定性和一致性。同时，由于采用P-Doping掺杂过的碳纳米管、其电性能的改善源自于掺杂材料与碳纳米管之间的反应及结构重构，但是掺杂后的碳纳米管其电性能的会受到环境条件以及后续工艺的影响、从而造成由于其稳定性下降而引起电性能下降、如：方块电阻变大、甚至局部电阻发生大幅度变化、从而造成由于电极结构电性能均一性降低而引起的产品不良，因此本专利技术采用了在形成碳纳米管透明电极之后进行掺杂的工艺。为使掺杂后碳纳米管电极获得稳定及优良的耐候性以及信赖性，本专利技术还在掺杂后的电极结构上设计了保护层结构。附图说明图1表示本专利技术实施例的一种电子器件的制作方法的流程示意图；图2表示本专利技术实施例的一种电子器件的制作方法的详细制作过程示意图；图3表示利用本专利技术实施例的制作方法形成的电极的结构示意图；图4所示为利用本专利技术实施例的制作方法形成的电极为太阳能电池的电极时，包括该太阳能电池的显示模组的结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例的一种电子器件的制作方法及电子器件中，使用两次浸泡掺杂和喷淋掺杂两次掺杂处理来对碳纳米管形成的电极进行P掺杂，提高利用碳纳米管形成的电极的导电性能的同时，综合考虑了掺杂过程的稳定性和效率。在对本专利技术实施例的电子器件的制作方法及电子器件进行详细说明之前，先对本专利技术实施例涉及到的几个问题进行简要说明如下，以便于更好的理解本专利技术实施例。在对碳纳米管形成的电极进行P掺杂时可以通过两种方式进行，即：浸泡方式和喷淋方式。所谓浸泡方式指的是将整个由碳纳米管形成的图形浸泡到P掺杂溶液中，其能够较为快速的实现对由碳纳米管形成的图形的掺杂。然而，在生产过程中，随着掺杂过程的持续过程，溶液浓度会发生变化，而浓度的变化将会导致单位时间内对由碳纳米管形成的图形的掺杂程度不一致。而在生产过程的不同阶段保持溶液浓度的一致性几乎难以做到，因此使用浸泡方式来对碳纳米管形成的图形进行掺杂时，掺杂的精度不易控制。所谓喷淋方式指的是向碳纳米管形成的图形喷淋P掺杂溶液，实现对碳纳米管形成的图形的掺杂。这种方式下可以通过控制喷淋设备的流量以及压力等实现对碳纳米管形成的图形的掺杂精度，但喷淋方式的掺杂效率比浸泡方式的掺杂效率要低。本专利技术实施例的电子器件的制作方法，如图1所示，包括：步骤101，在基板上形成碳纳米管电极图形；步骤102，将形成有所述电极图形的基板置于具有氧化性的第一溶液中，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第一次掺杂；步骤103，利用具有氧化性的第二溶液对所述电极进行喷淋，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第二次掺杂。本专利技术具体实施例的电子器件的制作方法中，在制作透明电极之后，利用具有氧化性的第二溶液对透明电极进行浸泡和喷淋处理，对碳纳米管进行掺杂，得到改性的碳纳米管，提高了利用碳纳米管形成的电极的导电性能，这将在后续提供实验数据来验证。本专利技术具体实施例的电子器件的制作方法中，首先通过浸泡方式以较高的效率将形成电极的碳纳米管掺杂到一定浓度，然后利用喷淋方式来来实现剩余浓度的精确掺杂，既充分了利用了浸泡方式的高效率的特点，又通过喷淋方式保证了碳纳米管膜层掺杂的精度，保证了产品性能的稳定性和一致性。同时，与常规的掺杂方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成碳纳米管电极图形；将形成有所述电极图形的基板置于具有氧化性的第一溶液中，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第一次掺杂；利用具有氧化性的第二溶液对所述电极进行喷淋，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第二次掺杂。

【技术特征摘要】
1.一种电子器件的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成碳纳米管电极图形；将形成有所述电极图形的基板置于具有氧化性的第一溶液中，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第一次掺杂；利用具有氧化性的第二溶液对所述电极图形进行喷淋，实现对形成所述电极图形的碳纳米管的第二次掺杂；其中，所述第一溶液和第二溶液为硝酸溶液，硝酸浓度范围为5％～20％，且掺杂过程中硝酸溶液的浸泡时长范围为18～30分钟，喷淋时长范围为2～10分钟；或者，所述第一溶液和第二溶液为亚硫酰氯溶液，亚硫酰氯浓度范围为5％～25％，且掺杂过程中亚硫酰氯溶液的浸泡时长范围为15～30分钟，喷淋时长范围为2～10分钟；或者，所述第一溶液和第二溶液为全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物溶液，全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物浓度范围为5％～30％，且掺杂过程中全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物溶液的浸泡时长范围为10～30分钟，喷淋时长范围为5～10分钟。2.根据权利要求1所述的电子器件的制作方法，其特征在于，还包括：对喷淋后的基板进行清洗处理。3.根据权利要求2所述的电子器件的制作方法，其特征在于，所述清洗处理过程中采用去离子水进行清洗处理。4.根据权利要求2所述的电子器件的制作方法，其特征在于，还包括：对清洗后的基板进行干燥处理。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的电子器件的制作方法，其特征在于，所述第一溶液和第二溶液选自如下物质中的至少一种形成的溶液：二氧化氮、溴单质、硝酸、亚硫酰氯、全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨久霞，白峰，刘建涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11