【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高有源矩阵微型LED显示器光学性能的方法,其特征是它包括以下步骤:1)在透明蓝宝石衬底上依次外延生长晶格缓冲层、N层、多量子阱(MQW)、P层、电流扩展层,形成LED外延片;2)在LED外延片正面依次采用光刻及干法刻蚀工艺,将LED外延片的P层及发光层分割成微型像素阵列,N层相互连接形成共面结构的公共层;3)在微型像素阵列及公共N层上依次采用包含光刻及金属成膜的剥离图形化工艺制备复合金属层图形,并在周边形成套刻标记;4) 在金属粘附层及接触层上制备柱状金属凸点,并完成热回流;5) 将LED外延片背面蓝宝石衬底减薄,抛光;6)在LED外延片背面,即蓝宝石面采用背面套刻工艺及干法刻蚀工艺制备微型光学结构,微型光学结构对从蓝宝石衬底面的出射光形成聚拢效果,完成微型LED显示阵列的制备工艺;7)将制备的微型LED显示阵列金属凸点与有源矩阵MOS驱动背板芯片凸点形成纵向凸点倒装电学互联,由驱动背板提供电流至微型LED像素单元,进行发光; 成像像素单元从N层透过蓝宝石衬底发射出光,形成显示图像。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李超,杨洪宝,张白雪,杨淼,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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