一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件，其为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS2薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极，其中，缓冲层为具有宽禁带的介质材料，禁带宽度Eg>3.0eV，作用主要包括两方面：一是，能够提高异质结界面内建电场；二是，阻挡载流子的界面复合特征。本发明专利技术通过界面缓冲层的引入，显著提高了器件的光伏性能，对比测试结果表明：开路电压、短路电流密度和光转换效率分别提高了69％以上、47％以上和85％以上。本发明专利技术具有器件结构简单，工艺简单、成品率高、制造成本低、生产过程无污染等特点，适于规模化工业生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种二硫化钼/缓冲层/硅n‑i‑p太阳能电池器件，其特征在于，为层状结构，由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS2薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极；所述缓冲层通过直流磁控溅射沉积于所述p型单晶Si基片的上表面上，其厚度为1‑3nm，材质为具有宽禁带的介质材料，所述介质材料的禁带宽度Eg>3.0eV；所述MoS2薄膜层通过直流磁控溅射沉积于所述缓冲层的表面上，所述MoS2薄膜层具有n型半导体特征，其厚度为70‑80nm；所述Pd金属前电极通过直流磁控溅射沉积于所述MoS2薄膜的表面上，其厚度为30‑40nm；所述金属In背电极通过锡焊焊接在所述Si基片的下表面上，其厚度为0.2mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝兰众，刘云杰，高伟，韩治德，薛庆忠，
申请(专利权)人：中国石油大学华东，
类型：发明
国别省市：山东;37