一步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料及其制备工艺制造技术

技术编号:11468503 阅读:84 留言:0更新日期:2015-05-18 01:17
本发明专利技术公开了一种一步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料及其制备工艺,涉及电缆料生产技术领域,由如下质量份数的原料制成:高密度聚乙烯70-80份、线性低密度聚乙烯40-45份、低密度聚乙烯20-25份、纳米陶瓷粉15-18份、软质高岭土12-15份、聚乙二醇10-13份、聚氯乙烯8-10份、聚乙烯醇5-8份、硅烷偶联剂5-8份、聚乙烯蜡3-5份、黑色母料3-5份、紫外线吸收剂2-3份、阻燃剂2-3份、抗氧剂1-2份、铜粉0.5-1份、过氧化二异丙苯0.1-0.5份。本发明专利技术制备的绝缘料呈黑色,具有良好的电绝缘性能、机械性能、优异的抗老化和耐紫外线能力,长期允许最高工作温度为90℃,适用于10KV及以下交联架空电线电缆。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种一步法硅烷交联聚乙烯架空绝缘料,其特征在于,由如下质量份数的原料制成:高密度聚乙烯70‑80份、线性低密度聚乙烯40‑45份、低密度聚乙烯20‑25份、纳米陶瓷粉15‑18份、软质高岭土12‑15份、聚乙二醇10‑13份、聚氯乙烯8‑10份、聚乙烯醇5‑8份、硅烷偶联剂5‑8份、聚乙烯蜡3‑5份、黑色母料3‑5份、紫外线吸收剂2‑3份、阻燃剂2‑3份、抗氧剂1‑2份、铜粉0.5‑1份、过氧化二异丙苯0.1‑0.5份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:何军冯本青
申请(专利权)人:安徽科正新材料有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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