【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光伏器件，包括：单结太阳能电池，由具有第一导电性的IV型半导体材料的吸收层和具有第二导电性的III‑V型半导体材料的发射极层提供；其中，所述III‑V型半导体材料为非晶体并且具有不大于50nm的厚度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·巴伊拉姆，B·海克麦特朔塔巴里，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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