一种高导电率低反射率金属网格的制作方法及其制品技术

本发明专利技术提供一种高导电率低反射率金属网格的制作方法，采用涂布光阻层、压印、电浆蚀刻、镀金属网格材料、清洗的加工工艺，其光阻层厚度为20~60微米，光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成，且，上层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率大于下层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率；电浆蚀刻条件为：电浆功率为2000~3000W，蚀刻时间为2~30分钟。本发明专利技术不仅可加工出线宽低于40微米的金属网格，并且，适用于金、银、铜、铝等所有低电阻值金属材料的金属网格的制备。另外，本发明专利技术所制得的上宽下窄的金属网格具有反射率低、导电率高的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种高导电率低反射率金属网格的制作方法及其制品
本专利技术属于触摸面板材料领域，尤其是一种高导电率低反射率金属网格的制作方法及其制品。
技术介绍
未来移动终端、可穿戴设备、智能家电等产品，对触摸面板有着强劲需求，同时随着触控面板大尺寸化、低价化，以及传统ITO薄膜不能用于可弯曲应用，导电性及透光率等本质问题不易克服等因素，众面板厂商纷纷开始研究ITO的替代品，包括纳米银线、金属网格、纳米碳管以及石墨烯等材料。其中，金属网格因具有成本最低、导电性能良好的特性，在市场中的应用也最为广泛。金属网格(MetalMesh)的传统生产工艺为：(1)在透明基材上涂布塑胶薄膜，再在塑胶薄膜的上表面印刷具有适当线宽的导电金属网格图案；(2)按照导电金属网格图案对塑胶薄膜进行压印，向下压至透明基材处，在塑胶薄膜上形成金属网格凹槽；(3)向金属网格凹槽内镀满金、银、铜、铝等低电阻值金属材料；将塑胶薄膜全部剥离，制得按预定图案排列的金属网格。按上述传统生产工艺制得的金属网格的理论最低电阻值可达到0.1欧姆/平方英寸，而且，具有良好的电磁干扰屏蔽效果。但是，受限于印刷制作的工艺水平，并且，金属网格沟槽的宽度完全靠印刷的电路线线宽以及压印力度进行模糊控制，其所制得的触控感测器图样的金属线宽较粗(线宽一般在50微米以上，根据人眼的生理构造，当线宽为41～72微米时，线条模糊；当线宽为40微米以下时，人眼不可辨别)，线宽越粗，金属网格的导电率越高，但是，金属网格与透明基材的接触面越大，其反射率也越高，导致在高像素下的莫瑞干涉波纹就越明显。莫瑞干涉指数码产品显示屏中像素，光学膜片以及触控导电的金属图案，在水平和垂直方向上，规则对齐的像素和物体的精细规则图案重叠式稍有偏差，则会出现的干扰波纹图案，即在某些角落可以看到屏幕上有细线跑出来。另外，对于银金属网格来说，有些人也采用如下生产工艺：(1)在透明基材上按照预定的导电金属网格图案进行溴化银涂布；(2)对溴化银进行黄光制程曝光，溴化银遇光照射时，在光粒子的能量刺激下，溴离子放出一带负电的自由电子，此自由电子和带正电荷的银离子结合为不带电的银粒子，形成银粒子推积；(3)将除银粒子外的其他离子清洗去除，制得按预定图案排列的银金属网格。虽然，上述生产工艺可获得线宽为40微米以下的银金属网格，但是，随着市场所需的触控面板的尺寸越来越大，黄光制程的曝光机的尺寸精度会越来越难控制，经常出现银金属网格线宽宽窄不一的现象，并且，在将除银粒子外的其他离子清洗去除的过程中，经常会出现银线断裂的问题；触控面板尺寸越大，整体曝光时间也越长，成本也随之显著提升。另外，上述生产工艺也只适合银金属网格的制备，不适用于其他低电阻值金属材料的金属网格，例如铜金属网格、金金属网格等。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种高导电率低反射率金属网格的制作方法及其制品，该制作方法不仅可加工出线宽低于40微米的金属网格，并且，适用于金、银、铜、铝等所有低电阻值金属材料的金属网格的制备，同时，可制得上宽下窄的金属网格，该金属网格与透明基材接触的位置，线宽窄，可尽量降低其反射率，避免出现莫瑞干涉波纹；同时，在远离透明基材的区域，线宽较大，又可尽量维持较高的导电率。一种高导电率低反射率金属网格的制作方法，包括以下步骤：(1)在透明基材上涂布光阻层，光阻层厚度为20～60微米，光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成；且，上层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率大于下层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率；(2)采用底部带有电路图案凸起的压印模板对光阻层进行压印，拔出压印模板后，在光阻层内形成电路图案沟槽；(3)对压印后的光阻层进行电浆蚀刻，露出透明基材，其中，电浆蚀刻条件为：电浆功率为2000～3000W，蚀刻时间为2～30分钟，得到上宽下窄的金属网格沟槽；(4)采用现有的镀膜技术将金属网格沟槽内镀满金属网格材料，形成呈电路图案形状分布的金属网格；(5)最后采用光阻剥离液将光阻层溶出，并采用清洗剂进行清洗，得到金属网格。本专利技术的有益技术效果为：(1)本专利技术采用的涂布光阻层、压印、蚀刻的加工工艺，不受印刷水平的影响，能够做出更为精细的电路图案；(2)由于本专利技术的光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成，且，上层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率大于下层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率，使得，采用同等电浆蚀刻条件进行蚀刻时，可制得上宽下窄的金属网格，该金属网格与透明基材接触的位置，线宽窄，可尽量降低其反射率，避免出现莫瑞干涉波纹；在远离透明基材的区域，线宽较大，又可尽量维持较高的导电率；(3)本专利技术通过对电阻层厚度和电浆蚀刻条件进行限定，使得，所制得的金属网格线宽保持在7～20微米，远远低于人眼所识别的线宽界限—40微米；(4)本专利技术的金属网格制备工艺简单，易于操作和对产品质量进行控制，且不会出现断线问题。根据上述的高导电率低反射率金属网格制作方法制得的金属网格，其金属网格上宽下窄。这样的金属网格与透明基材接触的位置，线宽窄，可尽量降低其反射率，避免出现莫瑞干涉波纹；同时，在远离透明基材的区域，线宽较大，又可尽量维持较高的导电率，尤其适合应用于大尺寸触控面板。本专利技术的高导电率低反射率金属网格的制作方法还可做如下改进：(1)上层光阻层的蚀刻速率与下层光阻层的蚀刻速率需要满足如下条件：上、下层光阻层的蚀刻速率的差值与下层光阻层蚀刻速率值的百分比为15～43％。这样，既可避免上、下层光阻层的蚀刻速率的差值太小，由于上宽下窄的沟槽开口太小、沟槽整体太窄，容易导致后续填入沟槽内的金属网格材料时出现填料不均匀的现象，使得制得的金属网格上会出现孔洞，严重影响产品质量；又可避免上、下层光阻层的蚀刻速率的差值太大，则容易发生上层光阻全部被蚀刻掉的现象，导致沟槽深度不足，或者是开口太大，金属网格线宽过大，在触摸屏的用途上，造成在阳光下容易反射外界光线，使得使用者不容易看清楚屏幕所显示的图案。(2)其中的步骤(2)为：采用带有电路图案凸起的压印模板对光阻层进行压印动作，直至压印模板与透明基材之间的距离为50～300纳米，停止压印，并拔出压印模板，在光阻层内形成电路图案沟槽；其他步骤不变。这样的设计，避免压印模板直接压至透明基材处时，压印过程中会对透明基材或者压印模板底部的电路图案凸起造成磨损损坏；(3)透明基材优选采用普通玻璃、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，俗称“有机玻璃”)，这些材质的透明基材均为光学性能优异的材料，更适用于大尺寸触控面板。附图说明图1为实施例1～6中透明基板涂布光阻层后的结构图；图2为实施例1～6中透明基板上进行光阻层压印的工作结构图，其中，箭头方向为当时压印模板的移动方向；图3为实施例1～6中透明基板上光阻层经电浆蚀刻后的结构图；图4为实施例1～6所制得的金属网格制品的结构图；图5为按照本专利技术的改进后的步骤(2)得到的透明基板上光阻层进行压印的工作结构图，其中，箭头方向为当时压印模板的移动方向。具体实施方式现结合附图具体说明本专利技术的实施方式：一种高导电率低反射率金属网格的制作方法，包括以下步骤：(1)在透明基材3上涂布光阻层(1、2)，光阻层厚度为20～60微米，光阻层为两层蚀刻速率不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导电率低反射率金属网格的制作方法，包括以下步骤：(1)在透明基材上涂布光阻层，光阻层厚度为20～60微米，光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成；且，上层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率大于下层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率；(2)采用底部带有电路图案凸起的压印模板对光阻层进行压印，拔出压印模板后，在光阻层内形成电路图案沟槽；(3)对压印后的光阻层进行电浆蚀刻，露出透明基材，其中，电浆蚀刻条件为：电浆功率为2000～3000W，蚀刻时间为2～30分钟，得到上宽下窄的金属网格沟槽；(4)采用现有的镀膜技术将金属网格沟槽内镀满金属网格材料，形成呈电路图案形状分布的金属网格；(5)最后采用光阻剥离液将光阻层溶出，并采用清洗剂进行清洗，得到金属网格。

【技术特征摘要】
1.一种高导电率低反射率金属网格的制作方法，包括以下步骤：(1)在透明基材上涂布光阻层，光阻层厚度为20～60微米，光阻层为两层蚀刻速率不同的光阻层叠加而成；且，上层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率大于下层光阻层所选用的光阻材料的电浆蚀刻速率；(2)采用底部带有电路图案凸起的压印模板对光阻层进行压印，拔出压印模板后，在光阻层内形成电路图案沟槽；(3)对压印后的光阻层进行电浆蚀刻，露出透明基材，其中，电浆蚀刻条件为：电浆功率为2000～3000W，蚀刻时间为2～30分钟，得到上宽下窄的金属网格沟槽；(4)采用现有的镀膜技术将金属网格沟槽内镀满金属网格材料，形成呈电路图案形状分布的金属网格；(5)最后采用光阻剥离液将光阻层溶出，并采用清洗剂进行清...

【专利技术属性】
技术研发人员：林杰，侯则良，王维纲，
申请(专利权)人：福建省诺希科技园发展有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35