硅片刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术提供了硅片刻蚀设备，包括水膜喷淋装置和设置在水膜喷淋装置下方的传动滚轮，传动滚轮的下方设置有校正槽和刻蚀槽，且沿待刻蚀的硅片的移动方向，刻蚀槽设置在校正槽的下游；硅片放置在传动滚轮上，在传动滚轮的带动下移动；硅片刻蚀设备还包括：挡水装置，挡水装置设置在水膜喷淋装置的下游，且挡水装置设置在硅片的上方，挤压硅片上的水膜使其平铺在硅片上。本实用新型专利技术中的硅片刻蚀设备包括挡水装置，且挡水装置设置在硅片的上方，挤压硅片上的水膜，进而使其平铺在所述硅片上，从而解决了现有技术中的喷淋在硅片上的水膜不能均匀地覆盖在硅片上的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池加工领域，具体而言，涉及一种硅片刻蚀设备。
技术介绍
目前，光伏企业湿法刻蚀设备在硅片进入主体设备进行刻蚀前，普遍采用喷洒纯水水膜保护硅片的扩散表面后进入刻蚀槽，在刻蚀槽通过转动的滚轮将药液带起，进而达到去除太阳能电池片边缘的N型硅的目的。然而，在实际的水膜铺展过程中，由于生产过程中不同硅片间的时间差异性、工艺差异性等导致镀水膜的效果存在差异，往往存在以下两种情形:(I)水膜覆盖在硅片上表面，但由于S12的亲水性问题，部分亲水性差的硅片上的水膜会从扩散面滑落而导致硅片裸露，这样，刻蚀设备槽内的酸液以及酸雾就会腐蚀没有被水膜保护的硅片表面，使扩散面的PN结遭到破坏，进而造成过刻和黑边，导致漏电增大，电池片效率下降，不合格率上升；(2)水膜覆盖在硅片扩散面过多，导致进入主体设备刻蚀时，在传输过程中由于传动等原因导致的震动，使大量的水分掉落到槽体，进而使刻蚀不完全，且使刻蚀液的溶度降低，致使电池片效率下降，不合格率上升，且增加了设备为保持刻蚀液浓度稳定性而补充添加的大量药液。可见，喷淋在硅片上的水膜会由于很多原因不能均匀地覆盖在硅片的上表面，进而使的硅片的刻蚀效果大大降低。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种硅片刻蚀设备，以解决现有技术中的喷淋在硅片上的水膜不能均匀地覆盖在硅片上的问题。为了实现上述目的，本技术提供了一种硅片刻蚀设备，包括水膜喷淋装置和设置在水膜喷淋装置下方的传动滚轮，传动滚轮的下方设置有校正槽和刻蚀槽，且沿待刻蚀的硅片的移动方向，刻蚀槽设置在校正槽的下游；硅片放置在传动滚轮上，在传动滚轮的带动下移动；硅片刻蚀设备还包括:挡水装置，挡水装置设置在水膜喷淋装置的下游，且挡水装置设置在硅片的上方，挤压硅片上的水膜使其平铺在硅片上。进一步地，挡水装置包括滚动杆，滚动杆可旋转地设置在硅片上并挤压硅片上的水膜。进一步地，挡水装置还包括间隔套，间隔套套设在滚动杆上，且间隔套支撑在传动滚轮上，以使滚动杆与传动滚轮之间形成硅片穿过间隙。进一步地，滚动杆上设置有多个间隔套，多个间隔套相间隔地设置。进一步地，滚动杆上设置有四个间隔套。进一步地，间隔套为弹性环。进一步地，水膜喷淋装置设置在校正槽的上方。进一步地，校正槽和刻蚀槽的上方设置有支撑板，传动滚轮支撑在支撑板上。进一步地，硅片刻蚀设备包括多个传动滚轮，多个传动滚轮沿硅片的移动方向相间隔地设置。进一步地，娃片刻蚀设备还包括驱动电机，驱动电机的传动轴与传动滚轮传动连接。本技术中的硅片刻蚀设备包括挡水装置，且挡水装置设置在硅片的上方，挤压硅片上的水膜，进而使其平铺在所述硅片上，从而解决了现有技术中的喷淋在硅片上的水膜不能均匀地覆盖在硅片上的问题。【附图说明】构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1示出了本技术的硅片刻蚀设备的结构示意图；以及图2示出了挡水装置的结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记:10、水膜喷淋装置；20、传动滚轮；30、校正槽；40、刻蚀槽；50、硅片；60、挡水装置；61、滚动杆；62、间隔套；70、水膜；80、支撑板。【具体实施方式】需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。本技术提供了一种硅片刻蚀设备，请参考图1和图2，该硅片刻蚀设备包括水膜喷淋装置10和设置在水膜喷淋装置10下方的传动滚轮20，传动滚轮20的下方设置有校正槽30和刻蚀槽40，且沿待刻蚀的硅片50的移动方向，刻蚀槽40设置在校正槽30的下游；硅片50放置在传动滚轮20上，在传动滚轮20的带动下移动；硅片刻蚀设备还包括:挡水装置60，挡水装置60设置在水膜喷淋装置10的下游，且挡水装置60设置在硅片50的上方，挤压硅片50上的水膜70使其平铺在硅片50上。本技术中的硅片刻蚀设备包括挡水装置60，且挡水装置60设置在硅片50的上方，挤压硅片50上的水膜70，进而使其平铺在所述硅片50上，从而解决了现有技术中的喷淋在硅片上的水膜不能均匀地覆盖在硅片上的问题。优选地，挡水装置60包括滚动杆61，滚动杆61可旋转地设置在硅片50上并挤压硅片50上的水膜70。这样，便可以实现将硅片50上的水膜70平铺在硅片50上。优选地，挡水装置60还包括间隔套62，间隔套62套设在滚动杆61上，且间隔套62支撑在传动滚轮20上，以使滚动杆61与传动滚轮20之间形成硅片穿过间隙。这样，可以防止滚动杆61与硅片50之间发生摩擦，还可以防止滚动杆61将水膜挤压得太薄。优选地，滚动杆61上设置有多个间隔套62，多个间隔套62相间隔地设置。在本申请中，相邻的两个间隔套62之间放置一个硅片50。优选地，滚动杆61上设置有四个间隔套62。优选地，间隔套62为弹性环。这样，有利于滚动杆61与硅片50之间的间隙。优选地，水膜喷淋装置10设置在校正槽30的上方。这样，可以保证在硅片50进入到刻蚀槽40之前其上表面铺上水膜。优选地，校正槽30和刻蚀槽40的上方设置有支撑板80，传动滚轮20支撑在支撑板80上。通过设置支撑板80，有利于传动滚轮20的设置。优选地，硅片刻蚀设备包括多个传动滚轮20，多个传动滚轮20沿硅片50的移动方向相间隔地设置。在本申请中，传动滚轮20始终绕其轴线转动，使硅片50从相邻的传动滚轮20件传动。优选地，硅片刻蚀设备还包括驱动电机，驱动电机的传动轴与传动滚轮20传动连接。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。本申请提供了一种多晶硅太阳能电池5道湿法刻蚀设备中一种使水膜均匀覆盖硅片扩散面的挡水装置，该装置置于喷洒水膜的装置后方、进入刻蚀槽体的前方，且安置于传送当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片刻蚀设备，包括水膜喷淋装置(10)和设置在所述水膜喷淋装置(10)下方的传动滚轮(20)，所述传动滚轮(20)的下方设置有校正槽(30)和刻蚀槽(40)，且沿待刻蚀的硅片(50)的移动方向，所述刻蚀槽(40)设置在所述校正槽(30)的下游；所述硅片(50)放置在所述传动滚轮(20)上，在所述传动滚轮(20)的带动下移动；其特征在于，所述硅片刻蚀设备还包括：挡水装置(60)，所述挡水装置(60)设置在所述水膜喷淋装置(10)的下游，且所述挡水装置(60)设置在所述硅片(50)的上方，挤压所述硅片(50)上的水膜(70)使其平铺在所述硅片(50)上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许明金，邓清龙，符昌京，王诗造，陈耀军，
申请(专利权)人：海南英利新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：海南;66