本实用新型专利技术公开了一种IGBT模块，包括：基板，所述基板上设置有主电极，所述主电极通过导线与位于所述基板内部的芯片电连接，所述基板外部对应所述主电极位置固定设置有与所述主电极电连接的主电极输入端；以及保护盖，所述保护盖设在所述基板上且包覆所述主电极的至少一部分。根据本实用新型专利技术实施例的IGBT模块的安全性高。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子制造领域，尤其是涉及一种IGBT模块。
技术介绍
IGBT (绝缘栅双极型晶体管)模块是由MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应管)和双极性晶体管复合而成的一种功率器件，它是既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极性晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件。随着电力电子技术应用中对模块耐压要求的提高，如何防止IGBT模块正负极短路击穿出现拉弧现象就显得越来越重要，现有技术一般是在IGBT模块内部填充硅凝胶进行电气隔离和保护。但在一些条件严苛的使用环境下，如母线电压较高且电流较大时，发生短路时会产生大量能量使芯片爆炸，并产生等离子气体，由于硅凝胶是软胶状介质，大量的能量伴随着高压产生的气浪会推开硅凝胶，使电极和芯片暴露在等离子气体中，发生剧烈的拉弧现象，会引起模块严重烧毁甚至起火爆炸，因此对于IGBT结构的改进显得尤为重要。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术提出一种IGBT模块，该IGBT模块的安全性高。根据本技术实施例的IGBT模块，包括:基板，所述基板上设置有主电极，所述主电极通过导线与位于所述基板内部的芯片电连接，所述基板外部对应所述主电极位置固定设置有与所述主电极电连接的主电极输入端；以及保护盖，所述保护盖设在所述基板上且包覆所述主电极的至少一部分。根据本技术实施例的IGBT模块上设置有用于保护主电极的保护盖，通过保护盖的包覆作用，可以将主电极和基板内部的芯片隔离开，这样可以避免芯片发生爆炸时波及到主电极，而且由于保护盖的包覆作用，在硅凝胶被气浪推开时，可以避免主电极暴露在等离子气体中，从而可以避免发生拉弧现象，由此可以提高IGBT模块的安全性。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。【附图说明】本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:图1是根据本技术实施例的IGBT的爆炸图；图2是图1中A区域的放大图；图3是根据本技术实施例的IGBT的立体图，其示出了根据本技术一个实施例的保护盖；图4是根据本技术实施例的IGBT的立体图，其示出了根据本技术另一个实施例的保护盖；图5是图4中所示的IGBT的保护盖的一个角度的立体图；图6是图4中所示的IGBT的保护盖的另一个角度的立体图。附图标记:IGBT 模块 100;基板I ;主电极11 ;导线12 ;主电极输入端13 ;芯片14 ;外框15 ;避让凹口 151 ;卡装槽152 ;止挡筋153冶阶部16 ；保护盖2 ;卡扣21 ;凸块22 ;开口 23 ;主体板24 ;侧壁板25 ;避让缺口 251 ；防爆墙3;加强筋31。【具体实施方式】下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面参考图1-图6描述根据本技术实施例的IGBT模块100。根据本技术实施例的IGBT模块100，包括:基板I和保护盖2。如图1-图4所示，基板I上设置有主电极11，主电极11上连接有导线12，主电极11通过导线12与位于基板I内部的芯片14电连接，基板I外部对应主电极11位置布置有主电极输入端13，主电极输入端13与主电极11电连接。其中主电极11包括正电极和负电极，主电极输入端13与主电极11之间保持电连接。保护盖2设在基板I上且包覆主电极11的至少一部分。在根据图1-图4所示的本技术的实施例中，基板I大致为矩形，基板I内焊接有多个芯片14。现有技术中，为了防止IGBT模块正负极短路击穿出现拉弧现象，通常是在IGBT模块内部填充硅凝胶进行电气隔离和保护。但在一些条件严苛的使用环境下，如母线电压较高且电流较大时，发生短路时会产生大量能量使芯片爆炸，并产生等离子气体，由于硅凝胶是软胶状介质，大量的能量伴随着高压产生的气浪会推开硅凝胶，使电极和芯片暴露在等离子气体中，发生剧烈的拉弧现象，会引起模块严重烧毁甚至起火爆炸。为此，根据本技术实施例的IGBT模块100上设置有用于保护主电极11的保护盖2，通过保护盖2的包覆作用，可以将主电极11和基板I内部的芯片14隔离开，这样可以避免芯片14发生爆炸时波及到主电极11，而且由于保护盖2的包覆作用，在硅凝胶被气浪推开时，可以避免主电极11暴露在等离子气体中，从而可以避免发生拉弧现象，由此可以提高IGBT模块100的安全性。可选地，基板I和保护盖2均可以是注塑件，这样可以使保护盖2的结构更加简单，制造更加容易。进一步地，如图1-图4所示，围绕基板I的边缘设有外框15，保护盖2通过卡扣21结构设在外框15的邻近基板I的中心的内壁上。该外框15可以是围绕基板I的四周设置，也可以是围绕基板I的部分边缘设置。基板I的内壁是指基板I的邻近基板I中心方向的侧壁。通过将保护盖2设在外框15的内壁上，从而可以使保护盖2的安装结构更加紧凑。可选地，如图2所示，外框15的内壁上形成有远离基板I的中心的避让凹口 151，避让凹口 151的左右两端设有卡装槽152，保护盖2的左右两端设有与卡装槽152的形状匹配的卡扣21。两个卡扣21分别卡设在两个卡装槽152内，由此不仅可以使保护盖2的安装结构当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种IGBT模块，其特征在于，包括：基板，所述基板上设置有主电极，所述主电极通过导线与位于所述基板内部的芯片电连接，所述基板外部对应所述主电极位置固定设置有与所述主电极电连接的主电极输入端；以及保护盖，所述保护盖设在所述基板上且包覆所述主电极的至少一部分。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐文辉，薛鹏辉，张垚磊，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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